Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: .в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы – H01L 31/08
Патенты в данной категории
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ В КОД
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к средствам измерения перемещений, и может быть использовано для измерения угловых перемещений бесконтактным методом. Фотоэлектрический преобразователь перемещения в код содержит источник света, подключенный к источнику импульсного напряжения, кодирующий фотоприемник, выполненный в виде сформированного в пластине полупроводника одного р-n-перехода, покрытого сверху через слой изолятора беззазорной кодирующей маской с нанесенными на края р-области и на нижнюю часть n-области тремя омическими электродами, один из которых подключен к сопротивлению нагрузки, второй - к источнику импульсного напряжения, управляемому от генератора синхронизации, а третий - к источнику напряжения смещения. К сопротивлению нагрузки подключен компаратор напряжения, второй вход которого подключен к источнику импульсного напряжения. Изобретение обеспечивает упрощение технологии изготовления фотоприемника, его конструкции и уменьшение габаритов, а также упрощение конструкции блока электроники. 1 ил. |
2426199 патент выдан: опубликован: 10.08.2011 |
|
ДЕТЕКТОР ТЕПЛОВОГО ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, СОДЕРЖАЩИЙ ПОГЛОЩАЮЩУЮ МЕМБРАНУ, ЗАКРЕПЛЕННУЮ В ПОДВЕШЕННОМ СОСТОЯНИИ
Изобретение относится к технологии изготовления детекторов теплового электромагнитного излучения - болометров. Поглощающая мембрана (1) детектора закреплена в подвешенном состоянии с помощью по меньшей мере одной теплоизолирующей опорной детали (5ab) на лицевой стороне подложки (2), содержащей по меньшей мере два электрических вывода (3), электрически соединенных с мембраной (1), например, посредством проводящих слоев (9). Опорная деталь (5ab) имеет по меньшей мере один конец-основание (6) и возвышающуюся зону (7). Конец-основание (6) прикреплен к верхней части проводящего столбика (8), имеющего основание, неподвижно прикрепленное к одному из электрических выводов (3). По существу плоская зона нижней стороны мембраны (1) находится в непосредственном контакте с возвышающейся зоной (7) опорной детали (5ab). Опорная деталь (5ab) предпочтительно образована мостиком, имеющим второй конец-основание (6), прикрепленный к верхней части второго столбика (8), при этом возвышающаяся зона (7) образована плоской средней частью мостика. Технический результат - высокое отношение чувствительной к излучению поверхности болометра к его общей поверхности. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 11 ил. |
2374610 патент выдан: опубликован: 27.11.2009 |
|
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДЕТЕКТОРА ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Изобретение относится к оптоэлектронике. Сущность изобретения: в чувствительном элементе детектора инфракрасного излучения, выполненном в виде тонкой пленки твердого раствора, в качестве материала твердого раствора использован Cd1-x SnxS при х=0,1÷0,66, а пленка использована толщиной в интервале от 0,3 до 0,7 мкм. Изобретение позволяет расширить диапазон принимаемого излучения и упростить технологию производства чувствительного элемента. 1 табл. |
2309486 патент выдан: опубликован: 27.10.2007 |
|
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ НЕОХЛАЖДАЕМЫЙ МИКРОБОЛОМЕТРИЧЕСКИЙ ПРИЕМНИК
Изобретение относится к области оптико-электронных приборов и может быть использовано как приемник инфракрасного излучения в тепловизионных приборах, теплопеленгаторах, приборах ориентации и экологического мониторинга. Технический результат изобретения: улучшение пороговой чувствительности, расширение динамического диапазона и области рабочих температур. Сущность: приемник содержит многослойные чувствительные элементы плоскостной структуры, термочувствительный слой в нем выполнен из материала, представляющего собой смесь окислов ванадия VOx при 2<х<2,5 и не претерпевающего фазового перехода. 3 ил. |
2260875 патент выдан: опубликован: 20.09.2005 |
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ СОПУТСТВУЮЩИХ НЕЙТРОНАМ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ В НЕЙТРОННОМ ГЕНЕРАТОРЕ СО СТАТИЧЕСКИМ ВАКУУМОМ
Изобретение относится к области ядерной физики и может быть использовано для регистрации сопутствующих нейтронам заряженных частиц в нейтронном генераторе со статическим вакуумом. Сущность: в полупроводниковом детекторе для регистрации сопутствующих нейтронам заряженных частиц в нейтронном генераторе, включающем полупроводниковый регистрирующий элемент, размещенный в диэлектрическом корпусе, закрытый как со стороны потока заряженных частиц, так и с противоположной стороны слоями металла, электрически соединенными с токоотводами, токоотвод со стороны потока заряженных частиц выполнен в виде жесткой прижимной металлической пластины с отверстием напротив чувствительной зоны полупроводникового регистрирующего элемента, прикрепленной к диэлектрическому корпусу, а токоотвод с противоположной стороны выполнен в виде жесткой металлической пластины, поджатой пружинным элементом к полупроводниковому регистрирующему элементу, при этом диэлектрический корпус выполнен из вакуум-плотного материала, с газовой десорбционной способностью, не более 5· 10 -8 мбар· см-2· с-1 ; корпус может быть выполнен из керамики. Технический результат изобретения: обеспечение возможности регистрации сопутствующих нейтронам заряженных частиц в нейтронном генераторе со статическим вакуумом при скорости регистрации до 107 частиц в секунду. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
2247411 патент выдан: опубликован: 27.02.2005 |
|
ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ СУХОГО ПЛЕНОЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА
Изобретение относится к фторполимеризующимся композициям для сухих пленочных фоторезистов водно-щелочного проявления, находящих применение для получения рисунка при изготовлении печатных плат в радиоэлектронной промышленности. Описывается фотополимеризующаяся композиция для сухого пленочного фоторезиста, включающая сополимер стирола с моно-н-бутилмалеинатом, дифункциональный акрилат, (-хлор-2-гидрокси-3-метакрилоилоксипропан, ингибитор, фотоинициатор, краситель и соединение гликоля. Она отличается тем, что содержит сополимер стирола с моно-н-бутилмалеинатом с ММ = 20 - 35,0 тыс.у.е., а в качестве соединения гликоля - продукт этерификации гликоля дикарбоновой кислотой формулы 1: НООС-(А)-СО-(СН2-СН2-О-)-СО-(А)-СООН, где А = -(СН2-)4-, (СН2-)6- или ![]() |
2163724 патент выдан: опубликован: 27.02.2001 |
|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ - БОЛОМЕТР Изобретение относится к технике электроизмерений. С целью расширения функциональных возможностей фоточувствительный элемент выполнен из высокотемпературной сверхпроводящей пленки, например из кермета Ba CuO, а подложка изготовлена в виде погруженного в жидкий азот теплопроводящего кронштейна, на поверхности которого расположен подстилающий слой (например, из меди). 4 ил. | 2117361 патент выдан: опубликован: 10.08.1998 |
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ ДАТЧИК Использование: в области контрольно-измерительной техники, как датчик оптического излучения в различных устройствах автоматического управления технологическими процессами. Сущность: в устройстве осуществляется преобразование управляемого светом сопротивления в частоту , для чего полевые транзисторы выступают в качестве емкостного элемента колебательного контура, а индуктивным элементом служит пассивная индуктивность. Полупроводниковый оптический датчик содержит два источника напряжения, которые осуществляют питание двух полевых транзисторов через фоторезисторы. Истоки полевых транзисторов соединены между собой. Параллельно стокам полевых транзисторов подключена последовательная цепочка, состоящая из пассивной индуктивности и конденсатора. 1 ил. | 2114490 патент выдан: опубликован: 27.06.1998 |
|
СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ И ИЗМЕРЕНИЯ ПОТОКА ИК ИЗЛУЧЕНИЯ
Использование: в полупроводниковой технике и для регистрации и измерения потока ИК излучения. Сущность изобретения: в способе регистрации и измерения потока ИК-излучения фоторезистором на основе кремния, легированного селеном, включающем приложение к его контактам постоянного напряжения, освещение фоторезистора и регистрацию сигнала с резистора нагрузки, прикладывают напряжение U(В) в диапазоне 1,4 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
2113745 патент выдан: опубликован: 20.06.1998 |
|
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОТЕНЦИОМЕТР Изобретение относится к электротехнике, в частности к конструированию фотоэлектрических потенциометров для следящих систем, и может быть использовано при изготовлении датчиков угловых и линейных перемещений для устройств автоматики и вычислительной техники. Сущность изобретения: фотоэлектрический потенциометр содержит корпус 1 с крышкой 2, в корпусе 1 на подшипнике установлена ось 3, соосно которой жестко закреплен элемент формирования светового пучка, выполненный в виде светозащитного цилиндра 4, охватывающего точечный источник света 6 и имеющего щель 9 для прохождения светового пучка к светочувствительному элементу 7, закрепленному на корпусу 1, выводы которого подсоединены к контактной колодке. Устройство содержит также сегмент параболоида вращения 5, соединенный торцами боковых стенок с щелью 9 светозащитного цилиндра 4, при этом точечный источник света 6 расположен в фокусе параболоида вращения 5, а внутренняя поверхность его выполнена светоотражающей. Для случаев, когда рабочий угол поворота оси 3 менее 180o, элемент формирования светового пучка содержит два или более сегмента параболоида вращения 5, в местах соединения которых с боковой поверхностью светозащитного цилиндра 4 образованы соответствующие им щели 9 для прохождения света к светочувствительным элементам 7, при этом количество светочувствительных элементов 7 и сегментов параболоида вращения 5 должно соответствовать числу образуемых секций. 1 з. п. ф-лы, 3 ил. | 2100875 патент выдан: опубликован: 27.12.1997 |
|
ФОТОРЕЗИСТОР Сущность: фоторезистор выполнен на основе перекристаллизованной пленки n-InSb на слюдяной подложке с низкоомными включениями двухфазной системы InSb-Jn p-типа проводимости, обеспечивающими при освещении белым светом освещенностью 2000 лк в диапазоне температур 77-340 К, при приложении напряжения 0,01-0,10 B уменьшение полного тока и возрастание сопротивления пленки. | 2095887 патент выдан: опубликован: 10.11.1997 |
|
ОПТИЧЕСКИЙ ТРАНЗИСТОР Использование: усиление оптических сигналов в волоконно-оптических линиях связи. Сущность изобретения: транзистор представляет собой интерферометр Маха-Цендера, выполненный в виде параллельных металлических волноводов с У-образными разветвителями. В одно плечо встроен компенсатор фазы, а в другое - планарный фотоприемник. 1 з.п.ф-лы, 2 ил. | 2024899 патент выдан: опубликован: 15.12.1994 |
|