Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ..приборы, чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению – H01L 31/09
Патенты в данной категории
СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫЙ ВАКУУМНЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ ФОТОДИОД ДЛЯ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО, ВИДИМОГО И ИНФРАКРАСНОГО ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И СПОСОБ ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ
Изобретение относится к оптоэлектронике и вакуумной микроэлектронике и может быть использовано при создании сверхширокополосных фотодетекторов в ультрафиолетовой, видимой и ИК области спектра для оптической спектроскопии и диагностики, систем оптической связи и визуализации. Cверхширокополосный вакуумный туннельный фотодиод, детектирующий оптическое излучение в УФ, видимой и ИК спектральной области, характеризующийся тем, что форма поверхности фотоэмиттера представляет 3D пространственно наноградиентную структуру с заданным коэффициентом усиления локальной напряженности электростатического поля, расстояние между фотоэмиттером и анодом формируется в микро- или нанометровом диапазоне. Фотодиод создан на основе матрицы диодных ячеек планарно-торцевых автоэмиссионных структур с лезвиями |
2523097 патент выдан: опубликован: 20.07.2014 |
|
АВТОНОМНЫЙ ПРИЕМНИК РЕНТГЕНОВСКОГО И УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Использование: для регистрации рентгеновского и ультрафиолетового излучения. Сущность изобретения заключается в том, что автономный приемник для регистрации рентгеновского и ультрафиолетового излучения включает металлический корпус, прозрачную диэлектрическую подложку, фоточувствительный слой из АФН-пленки и металлические контакты, при этом между прозрачной диэлектрической подложкой и металлическим корпусом помещено отражающее покрытие, приемник снабжен полусферической зеркальной крышкой, имеющей окно, прозрачное для рентгеновского и ультрафиолетового излучения. Технический результат: повышение чувствительности при регистрации рентгеновского и ультрафиолетового излучения. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. |
2522737 патент выдан: опубликован: 20.07.2014 |
|
ДЕТЕКТОР ИЗЛУЧЕНИЯ
Изобретение относится к области низкоразмерной нанотехнологии и высокодисперсным материалам и может быть использовано при изготовлении детекторов электромагнитного излучения, преимущественно оптического, с наноструктрированным поглощающим (фоточувствительным) слоем. Детектор излучения снабжен прозрачными контактами и контактами основы, между которыми расположен массив наногетероструктурных элементов, образованных донорными полупроводниковыми слоями, между которыми расположен поглощающий полупроводниковый слой. Массив наногетероструктурных элементов образован в порах матрицы оксида алюминия с диаметром пор от 40 до 150 нм. Донорные полупроводниковые слои и поглощающий полупроводниковый слой образуют структуру узкозонный полупроводник/широкозонный полупроводник/узкозонный полупроводник. Донорные полупроводниковые слои выполнены из Ge, поглощающий полупроводниковый слой выполнен из ZnSe(1-x) Sx. В качестве контактов основы используется никель, или серебро, или оксид индия-олова, в качестве прозрачных контактов используется пленка оксидов индия-олова. В качестве основы используют подложку из Si. Расстояние между контактами основы составляет от 1 до 10 мкм. Изобретение обеспечивает повышение точности позиционирования устройств, в которых реализуются сверхмалые перемещения: сканирующих атомно-силовых и туннельных микроскопов, микро- и наноэдьюкаторов и др., кроме того, достигается высокая точность фиксации перемещения. 6 з.п. ф-лы, 4 ил. |
2517802 патент выдан: опубликован: 27.05.2014 |
|
ПРИЕМНИК ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ БОЛОМЕТРИЧЕСКОГО ТИПА
Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих шинок. Функции (ТЧЭ) и (ПЭЭ) объединены в одном элементе, который выполнен в виде 2N периодических решеток, ориентированных взаимно перпендикулярно друг к другу. Решетки состоят из n тонкопленочных монокристальных полосок, изготовленных из Bi1-xSbx (0<x<12), и представляют собой n фазированных антенн с периодом L= |
2515417 патент выдан: опубликован: 10.05.2014 |
|
НАНОСТРУКТУРНЫЙ ИК-ПРИЕМНИК (БОЛОМЕТР) С БОЛЬШОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ ПОГЛОЩЕНИЯ
Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих шинок. ТЧЭ и ПЭЭ объединены в одном элементе, который выполнен в виде покрытия из тонкопленочного монокристального материала Bi1-x Sbx (0<x<12). Покрытие максимально покрывает поверхность мембраны и включает полоску, которая отделена зазорами шириной l от остальной части покрытия за исключением концов полоски, соединенных с остальной частью покрытия. Кроме того, покрытие разделено щелью на две части, электрически соединенные указанной полоской. Параметры болометра удовлетворяют следующим соотношениям: R/2Z<1, где R - удельное поверхностное сопротивление пленки, Z=120 |
2511275 патент выдан: опубликован: 10.04.2014 |
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИЕМНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Полупроводниковый приемник инфракрасного излучения включает полупроводниковую подложку (1) AIIIBV с активной областью (2) в форме диска с отверстием в центре на основе гетероструктуры, выполненной из твердых растворов AIIIBV, первый омический контакт (4) и второй омический контакт (7). Первый омический контакт (4) нанесен на поверхность (3) активной области (2). Второй омический контакт (7) нанесен на поверхность (6) периферийной области (8) полупроводниковой подложки (1), противолежащую поверхности с активной областью (2). В поверхности (6) центральной области (9) полупроводниковой подложки (1), свободной от второго омического контакта (7), выполнено по меньшей мере одно углубление (10). Изобретение обеспечивает возможность изготовления полупроводникового приемника инфракрасного излучения, который наряду с расширенным диапазоном спектральной чувствительности в среднем ИК-диапазоне (2-5 мкм) имел повышенную квантовую эффективность и более низкую плотность обратных токов. 5 з.п. ф-лы, 9 ил. |
2488916 патент выдан: опубликован: 27.07.2013 |
|
СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ИЗЛУЧЕНИЯ ФОТОПРИЕМНОЙ МАТРИЦЕЙ
Способ заключается в том, что регистрируемое излучение направляют на фотоприемную матрицу и осуществляют его регистрацию через экран, формирующий тепловое изображение объекта, от которого регистрируют излучение. Фотоприемная матрица охлаждена до криогенных температур. Экран подогревают до температуры, вызывающей дополнительный поток квантов от экрана к фотоприемной матрице и обеспечивающей повышение отношения полезный сигнал/шум фотоприемной матрицы относительно значения последнего в отсутствие дополнительного подогревания, в частности, до максимального значения отношения полезный сигнал/шум, что соответствует температуре от 40 до 120 К. Изобретение обеспечивает повышение качества получаемого изображения в видеосистемах и возможность регистрации излучения спектрального диапазона, иного, чем диапазон чувствительности фотоприемной матрицы. 3 з.п. ф-лы, 5 ил. |
2399990 патент выдан: опубликован: 20.09.2010 |
|
ДВУМЕРНЫЙ КООРДИНАТНО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПРИЕМНИК ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Изобретение может быть использовано для регистрации параметров оптического излучения. Двумерный координатно-чувствительный автономный приемник оптического излучения включает стеклянную подложку, фоточувствительную АФН-пленку (аномального фотонапряжения) из полупроводникового материала и металлические контакты. Этот приемник оптического излучения получен из полупроводниковых соединений в виде двумерной - по координатам Х и Y ступенчатообразной АФН-пленки с постепенным увеличением толщины ступенек по оси Х и с продолжением увеличения на каждой следующей ступеньке по оси Y или наоборот. Двумерный координатно-чувствительный автономный приемник оптического излучения согласно изобретению обладает повышенной чувствительностью. 2 ил. |
2361323 патент выдан: опубликован: 10.07.2009 |
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Изобретение относится к микроэлектронной измерительной технике и может быть использовано в конструкции и технологии производства полупроводниковых датчиков ультрафиолетового излучения (УФИ). Технический результат изобретения: повышение чувствительности к УФИ и упрощение конструкции датчика. Сущность: датчик содержит подложку, включающую монокристаллический и пористый слои карбида кремния, электроизоляционное покрытие, нанесенное на пористый слой подложки со стороны принимаемого светового излучения, электродную систему, включающую выпрямляющий электрод, соединенный с пористым слоем подложки с образованием контакта Шотки через окно, выполненное в электроизоляционном покрытии, и выводные контакты, присоединенные к электродной системе для подключения датчика к внешней электрической цепи и подачи напряжения смещения. Пористый слой сформирован непосредственно на поверхности монокристаллического слоя подложки, а его глубина l в нм выполнена из расчета, что l=(0,8÷1,0)W, где W - ширина обедненной области в нм. В планарном варианте подложка имеет n- или p-тип проводимости, при этом на подложке сформированы две группы контактов Шотки и два выводных контакта, соединенных с выпрямляющими электродами с образованием конфигурации пары встречных гребенок для обеспечения встречно-параллельного включения диодов Шотки. 1 з.п.ф-лы, 2 табл., 2 ил. |
2292609 патент выдан: опубликован: 27.01.2007 |
|
КООРДИНАТНО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПРИЕМНИК ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Изобретение относится к приемникам оптического излучения для применения в оптоэлектронных и робототехнических устройствах, служащим для регистрации параметров оптического излучения. Технический результат изобретения: повышение чувствительности. Сущность: координатно-чувствительный автономный приемник оптического излучения включает стеклянную подложку, фоточувствительную АФН-пленку (аномального фотонапряжения) из полупроводникового материала и металлические контакты и получен из полупроводниковых соединений в виде ступенчатообразной АФН-пленки с постепенным увеличением толщины ступенек начиная с
|
2246779 патент выдан: опубликован: 20.02.2005 |
|
ФОТОРЕЗИСТОР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ CdHgTe (ВАРИАНТЫ)
Использование: для регистрации и измерения светового излучения. Фоторезистор на основе гетероэпитаксиальной структуры CdHgTe содержит диэлектрическую подложку, на которой закреплена, по крайней мере, одна подложка чувствительного элемента, выполненная из CdZnTe или GaAs, или Si, с размещенным на ней чувствительным элементом, выполненным в виде гетероэпитаксиальной структуры, состоящей из нижнего варизонного слоя CdxHg1-x Te, где х изменяется в интервале от 0,8±0,05 до 0,3±0,05 в направлении от подложки, рабочего слоя CdxHg 1-хТе, где х=0,3±0,05, верхнего варизонного слоя Cd xHg1-xTe, где х изменяется от 0,3±0,05 до 0,8 в направлении от подложки, и просветляющего покрытия. Также предложен второй вариант с измененным составом рабочего слоя и соответственно градиентом концентрации в варизонных слоях. Технический результат изобретения: расширение спектральной области чувствительности, устранение поверхностной рекомбинации и, как результат, обеспечение повышения интегральной обнаружительной способности. 2 с. и 10 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
2244366 патент выдан: опубликован: 10.01.2005 |
|
ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО
Использование: для обнаружения и регистрации инфракрасного излучения. Сущность: фотоприемное устройство содержит, по крайней мере, один фоточувствительный элемент, представляющий собой многослойную полупроводниковую гетероэпитаксиальную структуру на основе трехкомпонентного твердого раствора CdHgTe, состоящую из рабочего слоя постоянного состава, соответствующего области чувствительности устройства, размещенного между двумя варизонными слоями того же полупроводникового материала, при этом градиент состава варизонных слоев выбран из условия обеспечения увеличения ширины запрещенной зоны от рабочего слоя к внешним краям варизонных слоев, мультиплексор, обеспечивающий считывание и обработку сигнала фоточувствительного элемента, и интерфейс, выполненный в виде интегральной схемы, управляющей мультиплексором и выравнивающей каналы усиления и преобразования мультиплексора, при этом фоточувствительный элемент и мультиплексор размещены в вакуумной камере напротив входного окна в непосредственной близости от холодного пальца газовой криогенной машины, контакты к фоточувствительному элементу выполнены в виде индиевых столбиков и соединены с ответными индиевыми столбиками мультиплексора, а интерфейс расположен в теплой зоне. Технический результат изобретения: снижение тока смещения одного пикселя приблизительно в 10-50 раз, повышение вольтовой чувствительности, исключение дополнительных шумов с частичным оцифровованием сигнала в холодной зоне, устранение постоянной составляющей сигнала с фоторезистора, определяемой током смещения. 10 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
2244365 патент выдан: опубликован: 10.01.2005 |
|
ПЕРВИЧНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО И ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЙ, ОСУЩЕСТВЛЯЮЩИЙ КОМПЕНСАЦИЮ ПОГРЕШНОСТЕЙ, ВЫЗВАННЫХ ВЛИЯНИЕМ ТЕМНОВЫХ ТОКОВ Изобретение относится к полупроводниковым приборам, предназначенным для измерения электромагнитных излучений, работающих в диапазоне длин волн от ультрафиолетового до гамма-излучений. Техническим результатом изобретения является расширение диапазона измеряемых величин и уменьшение погрешностей, вызванных влиянием темновых токов. Сущность: устройство содержит три одинаковых пленочных детектора, выполненных из пленки сернистого кадмия, нанесенной на керамическую подложку. Первый детектор изолирован свинцовой пластиной от воздействия гамма- и ультрафиолетового излучений и предназначен для компенсации погрешности, вызванной изменением температуры на втором детекторе. Второй детектор изолирован слоем эмали, не пропускающей видимый и ультрафиолетовый свет, и предназначен для измерения интенсивности гамма-излучения. Третий детектор закрыт фильтром видимого света и предназначен для измерения интенсивности ультрафиолетового излучения. 2 ил. | 2189667 патент выдан: опубликован: 20.09.2002 |
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Изобретение относится к микроэлектронике. Технический результат - селективное детектирование УФИ в диапазоне от 280 до 340 нм. Сущность: в конструкцию полупроводникового датчика УФИ, содержащего подложку, выполненную из монокристаллического карбида кремния n+-типа проводимости с эпитаксиальным n-слоем, омический электрод, соединенный с n+-областью подложки, электроизоляционное покрытие, нанесенное на n-слой подложки со стороны принимаемого светового излучения, выпрямляющий электрод, соединенный с образованием контакта Шотки с n-слоем подложки через окно, выполненное в электроизоляционном покрытии, и выводной контакт, присоединенный к выпрямляющему электроду для подключения к внешней электрической цепи и подачи напряжения смещения между омическим и выпрямляющим электродами, внесены следующие изменения: выпрямляющий электрод выполнен из тугоплавкого переходного металла, имеющего температуру плавления не ниже 1877oС, на поверхность выпрямляющего электрода со стороны принимаемого светового излучения нанесен серебряный светофильтр толщиной от 8 до 15 нм, толщина выпрямляющего электрода составляет от 4 до 10 нм, соединение выпрямляющего электрода с n-слоем подложки выполнено через переходный слой карбида металла, из которого изготовлен выпрямляющий электрод толщиной от 1 до 7 нм. 1 з. п. ф-лы, 4 ил. , 2 табл. | 2178601 патент выдан: опубликован: 20.01.2002 |
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии конструирования полупроводниковых датчиков ультрафиолетового излучения (УФИ). Технический результат изобретения - повышение селективности измерений УФИ в C-диапазоне и расширение арсенала используемых для этой цели средств. Сущность: датчик содержит подложку, слой полупроводника, чувствительного к УФИ, и электродную систему (ЭС), выполненную с образованием высокоомных параллельных участков в слое полупроводника, при этом высокоомный чувствительный элемент выполнен из эпитаксиально выращенного на подложке слоя AlN, подложка изготовлена из монокристаллического сапфира, ЭС сформирована в плоскости раздела подложки со слоем полупроводника. Наиболее предпочтительным является выполнение ЭС в виде пары встречных гребенок с образованием в слое полупроводника параллельных участков со значением коэффициента формы не более 0,01. 2 з.п.ф-лы, 2 табл., 3 ил. | 2155418 патент выдан: опубликован: 27.08.2000 |
|