Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ..отличающиеся наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы – H01L 31/10

Изобретение относится к устройству для считывания изображения и способу его изготовления, видеокамере, фотогальваническому устройству. Заявленное устройство для считывания изображения содержит модуль считывания изображения, в котором множество пикселов, воспринимающих падающий свет, расположены на фотоприемной поверхности в считывающей области подложки, в котором пиксел включает группу приборов с термопарами, в которой несколько термопар ориентированы вдоль фотоприемной поверхности, в котором в этой группе приборов с термопарами несколько термопар расположены отдельно одна от другой, так что фотоприемная поверхность имеет решетчатую структуру, и в котором группа приборов с термопарами расположена так, что падающий свет, попадающий на решетчатую структуру, вызывает плазменный резонанс на фотоприемной поверхности. В результате изменения температуры части группы приборов с термопарами, где возник плазменный резонанс, происходит генерация электродвижущей силы в каждой из нескольких термопар. Технический результат - повышение качества принятого изображения и уменьшение размеров. 4 н. и 16 з.п. ф-лы, 31 ил.

Изобретение относится к фототранзистору и к дисплейному устройству, содержащему этот фототранзистор. Фототранзистор согласно изобретению содержит электрод затвора, сформированный на изолирующей подложке; изолирующую пленку затвора, которая покрывает электрод затвора; полупроводниковый слой, который сформирован на поверхности изолирующей пленки затвора и имеет область канала, противоположную электроду затвора; электрод истока и электрод стока, которые покрывают соответствующие участки полупроводникового слоя, и межслойную изолирующую пленку, которая покрывает область канала полупроводникового слоя, электрод истока и электрод стока, при этом электрод истока и электрод стока имеют один и тот же электрический потенциал, а фототранзистор включает в себя прозрачный электрод, сформированный на поверхности межслойной изолирующей пленки таким образом, чтобы он перекрывал область канала, и контроллер регенерации, предназначенный для уменьшения заряда, накопленного на участке области канала, области, направленной в сторону прозрачного электрода, посредством приложения напряжения между прозрачным электродом, электродом затвора и электродом истока. Настоящее изобретение направлено на снижение ухудшения характеристик приема светового излучения оптических датчиков по мере их старения. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к работе модуля формирования сигнала изображения и устройства для формирования сигнала изображения. Модуль формирования сигнала изображения содержит фотозатвор, фотодиод, скомпонованный с фотозатвором (212), и первый переключатель (M1). Один вывод первого переключателя соединен с опорным напряжением (Vcc), a другой вывод - с фотодиодом (212). Способ работы модуля формирования сигнала изображения предусматривает следующие этапы: (а) приложение первого напряжения к фотозатвору, (b) включение первого переключателя, (с) выключение первого переключателя в первое время, (d) освещение фотодиода светом, (е) прекращение приложения напряжения к фотозатвору во второе время, (f) приложение второго напряжения в третье время и (д) поддержание выключенного состояния первого переключателя до четвертого времени. Способ работы модуля формирования сигнала изображения дает возможность устройству для формирования сигнала изображения увеличить его динамический диапазон. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 8 ил.

Полупроводниковый координатный детектор ионизирующего излучения, включающий подложку n⁺-типа проводимости, эпитаксиально выращенный на ней активный слой n ^- или р^-, или n_i -типа проводимости, на поверхности которого сформированы полосковые сигнальные электроды р⁺-типа проводимости с омическими контактами, разделенными друг от друга канавками. Канавки вытравлены на глубину 20-50% от толщины активного слоя, а на дне канавок сформированы n⁺-слои толщиной не более 3% толщины активного слоя. Предложенная конструкция детектора позволяет увеличить эффективность полезной площади отдельных каналов детектора с малыми токами утечки между каналами при реализации детектора с предельно малыми размерами пространственного шага. 1 ил.

Изобретения относятся к конструкции и технологии изготовления полупроводниковых систем дозиметрического измерения оптического излучения (ОИ) в широком и ограниченном диапазонах длин волн. Сущность: датчик ОИ выполнен в виде сэндвич-структуры слоев сегнетоэлектрика и полупроводника. Сегнетоэлектрическая пленка сэндвич-структуры выполнена из поляризованного нелегированного материала, а полупроводниковая пленка сэндвич-структуры выполнена из униполярного материала, причем знак поверхностного заряда сегнетоэлектрической пленки совпадает со знаком заряда основных носителей полупроводниковой пленки. Система контроля оптического излучения содержит описанный выше датчик ОИ, блок обработки информации и источник электрического питания, один полюс которого присоединен к сегнетоэлектрической пленке. Во внешней электрической цепи установлен коммутатор, контроллер, фазовый дискриминатор и элемент И. В качестве источника электрического питания использован источник переменного напряжения. Участки полупроводниковой пленки подключены к блоку обработки информации через коммутатор, второй полюс источника питания подключен через коммутатор к электродам полупроводниковой пленки с образованием цепи обнуления датчика. Вход фазового дискриминатора связан с выходом источника питания, выход фазового дискриминатора подключен к первому входу элемента И, первый выход контроллера подключен к управляющему входу блока обработки информации, второй выход контроллера подключен к управляющему входу коммутатора, третий выход контроллера подключен ко второму входу элемента И, а выход элемента И соединен с управляющим входом источника электрического питания. Технический результат изобретения: обеспечение возможности получения характеристики, несущей информацию о дозе принятого ОИ, и ограничение спектрального диапазона измерений. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.