Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: .....с потенциальным барьером p-i-n-типа – H01L 31/105

МПК Раздел H H01 H01L H01L 31/00 H01L 31/105

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

H01 Основные элементы электрического оборудования

H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

H01L 31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов

H01L 31/105 .....с потенциальным барьером p-i-n-типа

Патенты в данной категории

	БИСТАБИЛЬНЫЙ АБСОРБЦИОННЫЙ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ПРИБОР Использование: в оптоэлектронике, в системах оптической обработки информации для реализации различных логических операций. Сущность изобретения: в бистабильном абсорционном оптоэлектронном приборе на основе полупроводниковой p-i-n-гетероструктуры с омическими контактами, содержащей в i-области по крайней мере одну квантовую яму, ограниченную барьером в виде сверхрешетки, гетероструктура снабжена волноводом. Квантовые ямы размещены в нем, причем энергетические параметры зонной структуры квантовой ямы с барьером в виде сверхрешетки связаны следующим соотношением -(E₁-E_o) где E_o - энергия нижнего энергетического уровня, локализованного в квантовой яме, отсчитываемая от дна квантовой ямы, эВ; E₁ - энергия нижнего края минизоны (барьера в виде сверхрешетки, ограничивающего квантовую яму), отсчитываемая от дна квантовой ямы, эВ - энергетическая ширина минизоны сверхрешетки, эВ. 1 ил.	2007786 патент выдан: опубликован: 15.02.1994