Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: .....с потенциальным барьером в виде p-n-гетероперехода – H01L 31/109

Полупроводниковый детектор излучения содержит подложку из полупроводникового материала, на первой стороне которой в перечисленном порядке расположены: слой модифицированного внутреннего затвора из полупроводника с электропроводностью второго типа, запирающий слой из полупроводника с электропроводностью первого типа и пиксельные полупроводниковые области легирования с электропроводностью второго типа. Пиксельные легирования адаптированы к созданию соответствующих им пикселей (элементов изображения) хотя бы при одном значении приложенного к ним пиксельного напряжения. Устройство содержит первый контакт из полупроводника с электропроводностью первого типа. Указанное значение пиксельного напряжения определяется как разность потенциалов между пиксельным легированием и первым контактом. Подложка обладает электропроводностью первого типа. На второй стороне подложки, противоположной первой стороне, отсутствует проводящий задний слой, который обычно используется для вывода вторичных зарядов из активной области детектора и в качестве окна для ввода излучения. Изобретение позволяет создать полупроводниковый детектор излучения, содержащий модифицированный внутренний затвор, в котором устраняются проблемы, создаваемые проводящим задним слоем, также получить структуру для полупроводникового детектора излучения, при которой сигнальный заряд может стираться малым напряжением, и получить средства для более полного разделения генерируемых поверхностью зарядов и сигнальных зарядов. 2 н. и 28 з.п. ф-лы, 69 ил.