Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ....отличающиеся наличием двух потенциальных или поверхностных барьеров, например биполярные фототранзисторы – H01L 31/11

МПКРаздел HH01H01LH01L 31/00H01L 31/11
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
H01L 31/11 ....отличающиеся наличием двух потенциальных или поверхностных барьеров, например биполярные фототранзисторы

Патенты в данной категории

ДВУХПОЛЮСНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПОЗИЦИОННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ФОТОПРИЕМНИК С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ

Изобретение может найти применение в различных узлах автоматики, устройствах управления и позиционирования. Фотоприемник, согласно изобретению, представляет собой комбинированный прибор, реализованный на основе полупроводникового прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью и полупроводниковой структуры позиционно-чувствительного фотоприемника. Для увеличения протяженности области позиционной фоточувствительности дополнительно к полупроводниковому прибору с отрицательной дифференциальной проводимостью введена протяженная фоточувствительная полупроводниковая структура, имеющая верхнюю фоточувствительную область первого типа проводимости с первым и вторым контактами, расположенными по краям области, вторую, среднюю, область второго типа проводимости и третью, нижнюю, область первого типа проводимости с третьим контактом, соединенную таким образом, что первый контакт к фоточувствительной области протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры соединен с эмиттерным электродом прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью, второй контакт к фоточувствительной области протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры соединен с коллекторным электродом, а третий контакт протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры соединен с базовым электродом прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью. Целью изобретения является увеличение протяженности области позиционной фоточувствительности прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью. 3 ил.

2445725
патент выдан:
опубликован: 20.03.2012
Наверх