Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ....отличающиеся наличием трех потенциальных барьеров, например фототиристоры – H01L 31/111

Изобретение относится к оптоэлектронике и, в частности, к полупроводниковым фотоприемникам с отрицательной проводимостью (ОП) и может быть использовано в качестве фотодатчика, управляемого одним или несколькими световыми потоками, фотоприемного элемента оптопары в системах автоматики, переключающей и преобразовательной техники для бесконтактной коммутации и управления в цепях постоянного и переменного тока. Сущность: фотоприемник с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры содержит полупроводниковые области, снабженные контактами, часть из которых соединена между собой. С одной стороны на первой области первого типа проводимости расположена первая область второго типа проводимости и вторая область первого типа проводимости. С другой стороны на первой области первого типа проводимости последовательно расположены вторая область второго типа проводимости и третья область первого типа проводимости. Контакт первой области второго типа проводимости соединен с контактом третьей области первого типа проводимости, а контакт второй области второго типа проводимости соединен с контактом второй области первого типа проводимости. Описанная конструкция обеспечивает достижение позиционной чувствительности и двунаправленности изменения значения отрицательной проводимости при изменении пространственного положения светового потока. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.