Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ....отличающиеся действием полевого эффекта, например плоскостные полевые фототранзисторы – H01L 31/112

Изобретение относится к способам изготовления противоотражающих структур для датчиков изображения на основе комплементарных металлооксидных полупроводников. В изобретении описано формирование на оптическом интерфейсе между двумя слоями, имеющими различные показатели преломления, выпуклостей (5), имеющих меньшие размеры по вертикали (h) и по горизонтали (р), чем диапазон длин волн света, различимого фотодиодом (8). Выпуклости могут быть сформированы с использованием самособирающихся блок-сополимеров, которые образуют массив сублитографических элементов рельефа из первой составляющей блок-сополимера, находящихся внутри матрицы из второй составляющей блок-сополимера. Структуру составляющей блок-сополимера переносят на первый оптический слой (4), чтобы сформировать массив наноразмерных выпуклостей. В качестве альтернативы, для формирования выпуклостей, имеющих меньшие размеры, чем длина световой волны, может применяться метод обычной литографии. Непосредственно на выпуклостях первого оптического слоя формируют второй оптический слой. Граница раздела между первым и вторым оптическими слоями имеет плавно изменяющийся показатель преломления и обеспечивает высокое пропускание света с малым отражением. Изобретение обеспечивает возможность создания структур, уменьшающих отражение света на оптическом пути пиксела КМОП-датчика изображения и тем самым увеличивающих пропускание света к фотодиоду и повышающих общий коэффициент полезного действия пиксела датчика изображения. 5 н. и 30 з.п. ф-лы, 37 ил.

В изобретении предлагается чувствительный прибор (ЧП) для обнаружения заряженных частиц и/или квантов электромагнитного излучения. Технический результат заключается в снижении емкости соединения и упрощении сборки при соединении датчика и усилителя (У). ЧП имеет чувствительное устройство (ЧУ) (12) и схему У (14); (M1, M4). ЧУ (12) подает сигнал на входной узел Vin У (14); (M1, M4), чтобы вызвать изменение уровня Vout на выходном узле У (14). Устройство отрицательной обратной связи (ОС) (T1); (M2) в ответ на изменение уровня на выходном узле изменяет воздействие ОС, чтобы повысить петлевое усиление указанной схемы У (14); (M1, M4). Токовое зеркало (Т2, Т3); (М3, М6) повторно устанавливает входной узел в состояние его начального уровня. В изобретении раскрыт ЧП для обнаружения одиночной частицы и интегрирующий ЧП. 5 н. и 20 з.п. ф-лы, 21 ил.