Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: .....со структурой типа проводник-диэлектрик-полупроводник, например полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник – H01L 31/113
Патенты в данной категории
ФУНКЦИОНАЛЬНО-ИНТЕГРИРОВАННАЯ ЯЧЕЙКА ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ МАТРИЦЫ
Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к фоточувствительным матрицам приемников оптических, рентгеновских излучений и изображений для применения в фотоаппаратах, видеокамерах, сотовых телефонах, медицинских рентгеновских панелях, а также в универсальных твердотельных экранах, способных одновременно как принимать фотоизображение, так его и воспроизводить на этом же экране. Функционально-интегрированная ячейка фоточувствительной матрицы согласно изобретению содержит фоточувствительный элемент, шины общую, питания, адресную и разрядную, транзистор выборки строк, затвор которого соединен с адресной шиной, при этом ячейка дополнительно содержит конденсатор и биполярный n-p-n (p-n-p) транзистор, коллектор которого соединен с шиной питания, а эмиттер - с разрядной шиной, база со стоком p(n)канального МОП транзистора - выборки строк, общая шина соединена с первым выводом конденсатора, второй вывод которого соединен с коллектором биполярного транзистора. Также согласно изобретению предложены еще три варианта функционально-интегрированная ячейка фоточувствительной матрицы. Изобретение обеспечивает улучшение чувствительности, быстродействия фоточувствительной матрицы, а также возможность двойного использования в качестве приемника и передатчика изображения. 4 н.п. ф-лы, 6 ил. |
2517917 патент выдан: опубликован: 10.06.2014 |
|
КМДП-ФОТОПРИЕМНИК
Изобретение относится к области полупроводниковых ИС и может быть использовано для создания фоточувствительных цифровых и аналоговых устройств. Техническим результатом настоящего изобретения является выделение движущихся фрагментов на изображении непосредственно в фокальной плоскости кристалла за счет реализации межкадрового вычитания. Сущность: в схеме КМОП-фотоприемника, содержащего фоточувствительный затвор и управляющие МОП-транзисторы: транзистор восстановления, сток которого подключен к шине питания, а исток - ко входу истокового повторителя, построенного на двух транзисторах, транзистор связи, исток которого контактирует с каналом фоточувствительного затвора, исток восстанавливающего транзистора подключен к фоточувствительному затвору, а сток транзистора связи - к дополнительному источнику питания. Управляющие импульсы, поступающие на вход восстанавливающего транзистора, и затвор транзистора связи обеспечивают экстракцию зарядов двух соседних кадров из канала фоточувствительного затвора. 2 ил.
|
2251760 патент выдан: опубликован: 10.05.2005 |
|
ФОТОДЕТЕКТОР, СОДЕРЖАЩИЙ МОППТ С ПЛАВАЮЩИМ ЗАТВОРОМ Использование: для измерения слабых уровней освещенности. Сущность: фотодетектор содержит фотоэмиссионную поверхность, способную высвобождать фотоэлектроны. Фотоэлектроны детектируют посредством МОППТ, имеющим плавающий затвор, который перед измерением соответственно заряжают таким образом, чтобы фотоэлектроны могли вызывать изменение заряда плавающего затвора. Детектируемое изменение показывает количество света, воспринятого детектором. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности, снижение стоимости и упрощение изготовления фотодетектора. 5 с. и 6 з.п.ф-лы, 1 ил. | 2161348 патент выдан: опубликован: 27.12.2000 |
|
КОНСТРУКЦИЯ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ С ВЕРТИКАЛЬНО РАСПОЛОЖЕННЫМИ ДРУГ НАД ДРУГОМ ПЕРЕСЕЧЕНИЯМИ Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями. Ячейка памяти согласно изобретению содержит первый транзисторный инвертор, имеющий первый вход и первый выход, и второй инвертор, имеющий второй вход и второй выход. Первый и второй транзисторы связаны с первым и вторым пересекающимися соединениями. Первое пересекающееся соединение соединяет первый вход со вторым выходом. Второе пересекающееся соединение соединяет второй вход с первым выходом. Два пересекающихся соединения содержат разные проводящие слои в процессе изготовления полупроводника. Данное изобретение выполняет пересечения в разных материалах на разных слоях устройства. Поэтому пересечения могут размещаться вертикально друг над другом, тем самым сокращая площадь ячейки памяти. Технический результат: снижение себестоимости за счет уменьшения размера элемента, повышение надежности ячейки памяти в запоминающих устройствах. 3 с. и 22 з.п.ф-лы, 8 ил. | 2156013 патент выдан: опубликован: 10.09.2000 |
|