Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: .связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света – H01L 31/12

Изобретение относится к термоотверждающейся композиции на основе эпоксидной смолы и полупроводниковому устройству, полученному с использованием ее. Композиция содержит (А) реакционную смесь триазинпроизводной эпоксидной смолы и ангидрида кислоты при отношении эквивалента эпоксидной группы к эквиваленту ангидрида кислоты 0,6-2,0; (В) внутренний агент высвобождения из формы; (С) отражающий материал; (D) неорганический наполнитель; и (Е) катализатор отверждения. Внутренний агент высвобождения из формы компонента (В) содержит сложный карбоксилатный эфир, представленный следующей общей формулой (1):

Изобретение относится к фотоприемникам и предназначено для селективной регистрации оптических сигналов в оптоэлектронных устройствах. Фотоприемник содержит интерференционно-чувствительный фотоэлектрический слой, N оптических линий задержки, каждая из которых смещена в плоскости, перпендикулярной измеряемому световому потоку, и зеркало, при этом фотоэлектрический слой оптически связан с N линиями задержки. Технический результат заключается в обеспечении возможности регистрации суммы N оптических сигналов с различной разностью хода. 2 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно к диодным источникам и приемникам, излучающим и принимающим излучение с поверхности в инфракрасном (ИК) диапазоне спектра, и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, в системах обнаружения и связи. Технический результат изобретения: повышение удельной спектральной мощности и расширение функциональных возможностей диода. Сущность: в полупроводниковом диоде для инфракрасного диапазона спектра, включающем р- и n-области с токоподводящими контактами, разделенные р-n переходом, активную область, электрически связанную с р-n переходом, и, по меньшей мере, один оптический модуль, оптически связанный с активной областью через оптический компаунд, вышеупомянутый модуль выполнен с оптической толщиной, не превышающей значения обратной величины среднего коэффициента поглощения модуля в рабочем диапазоне энергий квантов, а упомянутая активная область выполнена с величиной ширины запрещенной зоны, соразмерной с энергией квантов рабочего диапазона спектра. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Использование: в спектрально-аналитической, пирометрической и тепловизионной аппаратуре. Технический результат излучателя и фотоэлемента: создание серии фотолюминесцентных излучателей различных интервалов длин волн с максимумами, соответствующими полосам поглощения исследуемых веществ, а также обеспечение возможности управления их быстродействием и увеличение мощности и силы излучения (чувствительности). Технический результат для оптрона также: расширение спектрального диапазона оптической связи в открытом оптическом канале оптрона до 5 мкм, что дает возможность проведения спектрального анализа. Сущность: фотолюминесцентный излучатель включает электролюминесцентный диод из арсенида галлия, генерирующий первичное излучение в интервале длин волн 0,8-0,9 мкм, а также нанесенный на диэлектрическую подложку поликристаллический слой селенида свинца, поглощающий первичное излучение и вторично излучающий в интервале длин волн 2-5 мкм, в селенид свинца совокупно введены: добавка, направленно изменяющая положение длины волны максимума излучения, время нарастания и спада импульса излучения, и добавка, увеличивающая мощность излучения. Фотоэлемент включает слой селенида свинца на диэлектрической подложке с сформированным в нем потенциальным барьером, в селенид свинца введены добавки, аналогичные добавкам, введенным в селенид свинца заявленного излучателя. В оптроне применены излучатель и заявленные фотоэлементы согласно изобретению. Концентрация добавки селенида кадмия в поликристаллическом слое излучателя в 3,5-4,5 раза больше, чем в фотоэлементе. Открытый оптический канал оптрона лучше выполнить с возможностью заполнения газом или жидкостью, а для оптимального согласования и компактности излучатель и/или фотоэлемент можно дополнить узкополосными оптическими интерференционными фильтрами. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 3 табл., 6 ил.

Изобретение относится к конструктивным элементам полупроводниковых приборов, по меньшей мере, с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенных для светового излучения, в частности, к железнодорожным светодиодным светофорам. Техническим результатом изобретения является контроль параметров излучения светодиодного устройства в пределах оптического диапазона и возможность варьирования индикатрисой излучения. Сущность: на подложке дополнительно размещены один или более фотоприемников и система оптических фильтров. У каждого из фотоприемников р область проводимости соединена со своим присоединительным выводом через контактную площадку и присоединительный вывод проходит через отверстие в подложке и изолирован от последней, а n область проводимости соединена со своим присоединительным выводом при помощи проводника с металлическим или металлизированным контактом, выполненным в форме сегмента кольца, и все сегменты объединены между собой в кольцо через диэлектрические вставки. Система оптических фильтров, с одинаковыми или различными спектральными характеристиками пропускания, образована частями полого перевернутого усеченного конуса, количество которых равно количеству фотоприемников, и все части через диэлектрические прокладки объединены в единый полый перевернутый усеченный конус. На торцах полого перевернутого усеченного конуса размещены диэлектрические кольца, верхнее из которых имеет внутренний диаметр, равный внутреннему диаметру большего основания усеченного конуса, а внешний диаметр - равен диаметру подложки. Диэлектрическое кольцо имеет по окружности отверстия для электрического соединения проводников фотоприемников и светоизлучающих кристаллов с контактами в форме сегментов кольца. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.