Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: .способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей – H01L 31/18

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный слой, изготовленный из Hg_1-xCd _xTe, в котором значение x плавно уменьшается от значения, находящегося в пределах (х_Д+0,1)÷1, до значения x_Д, детекторный слой, изготовленный из Hg_1-x Cd_xTe, где x=x_Д=0,2-0,3, а также последовательно соединенные верхний варизонный слой, изготовленный из Hg _1-xCd_xTe, в котором значение x плавно увеличивается от значения x_Д до значения, находящегося в пределах (x_Д+0,1)÷1, изолирующий слой, изготовленный из CdTe, диэлектрический слой, изготовленный из SiO₂, диэлектрический слой, изготовленный из Si₃N₄ , и верхний, прозрачный для инфракрасного излучения проводящий слой, в детекторный слой дополнительно введены чередующиеся барьерные слои и слои квантовых ям, изготовленные из Hg_1-xCd _xTe, минимальное количество которых равно трем, с возможным добавлением числа пар чередующихся слоев от 1 до 100, при этом на границах между слоем квантовых ям и барьерным слоем значения x ступенчато изменяются в пределах x_Б=0,5-1,0 и x _Я=0-0,15 при толщине каждого из барьерных слоев 20-100 нм и толщине каждого из слоев квантовых ям 5-20 нм. Также предложен способе изготовления предлагаемой структуры. Изобретение обеспечивает возможность расширения диапазона рабочих частот фоточувствительной структуры и расширения области ее применения. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 ил.

Способ изготовления каскадных солнечных элементов включает последовательное нанесение на фронтальную поверхность фоточувствительной полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge пассивирующего слоя и контактного слоя GaAs, локальное удаление контактного слоя травлением через маску фоторезиста. Далее создают многослойное просветляющее покрытие на открытой части пассивирующего слоя. Напыляют основу омических контактов на поверхности полосок контактного слоя через маску фоторезиста и на тыльной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры. После вжигания напыленной основы омических контактов утолщают ее импульсным электрохимическим осаждением слоя золота или серебра толщиной 5-10 мкм на полоски основы омических контактов через маску задубленного фоторезиста с вертикальными боковыми стенками и на основу омического контакта на тыльной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры. Создают разделительную мезу плазмохимическим травлением фоточувствительной полупроводниковой структуры со стороны фронтальной поверхности на глубину 10-15 мкм через маску задубленного фоторезиста. Наносят защитный слой из термостойкого и химически стойкого диэлектрика на боковую поверхность разделительной мезы. Изобретение обеспечивает изготовление солнечных элементов с минимизированной степенью затенения светочувствительной области, с утолщенными омическими контактами, обладающими высокими электропроводящими свойствами, высокой износостойкостью. 7 з.п. ф-лы, 4 ил., 8 пр.

Изобретение относится к технологии гибридизации ИК-фотоприемника способом перевернутого монтажа (flip chip) и может быть использовано для выравнивания зазоров между кристаллами БИС и МФЧЭ, что приводит к увеличению надежности соединения и стойкости к термоциклированию соединения кристаллов, с помощью так называемых индиевых "подушек" на обоих кристаллах. Способ перевернутого монтажа дополнен новым конструктивным элементом - индиевыми микроконтактами увеличенной площади - «подушками», расположенными на периферии БИС и МФЧЭ и обеспечивающими выравнивание зазоров при гибридизации. Последовательность технологических операций при создании БИС и МФЧЭ с «подушками» остается стандартной, и лишь добавляются новые конструктивные элементы топологии кристаллов БИС и МФЧЭ. Большая площадь индиевых «подушек» предохраняет индиевые микроконтакты от передавливания и перекоса. Индиевые «подушки» МФЧЭ попадают в пазы между индиевыми «подушками» БИС, зазор становится ровным и равным высоте индиевых "подушек", что повышает качество и надежность стыковки. 6 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронике и вакуумной микроэлектронике и может быть использовано при создании сверхширокополосных фотодетекторов в ультрафиолетовой, видимой и ИК области спектра для оптической спектроскопии и диагностики, систем оптической связи и визуализации. Cверхширокополосный вакуумный туннельный фотодиод, детектирующий оптическое излучение в УФ, видимой и ИК спектральной области, характеризующийся тем, что форма поверхности фотоэмиттера представляет 3D пространственно наноградиентную структуру с заданным коэффициентом усиления локальной напряженности электростатического поля, расстояние между фотоэмиттером и анодом формируется в микро- или нанометровом диапазоне. Фотодиод создан на основе матрицы диодных ячеек планарно-торцевых автоэмиссионных структур с лезвиями -углерода. Также предложен способ создания сверхширокополосного вакуумного туннельного фотодиода в УФ, видимой и ИК спектральной области, характеризующийся тем, что поверхность фотоэмиттера, имеющего работу выхода А, создают в виде 3D пространственно наноградиентной структуры с заданным коэффициентом усиления локальной напряженности электростатического поля , формируют расстояние между фотоэмиттером и анодом в микро- или нанометровом диапазоне, при этом граничная величина напряжения на аноде U_max, соответствующая максимальному туннельному фотоэмиссионному току при детектировании оптического излучения с заданной длиной волны , определяется из предложенного соотношения. Изобретение обеспечивает возможность создания сверхширокополосного вакуумного туннельного фотодиода, позволяющего детектировать оптическое излучение в УФ, видимой и ИК спектральной области при использовании одного наноструктурного эмиттера с управляемой, изменением напряженности электростатического поля, «красной» границей фотоэффекта. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. В способе изготовления микроконтактов матричных фотоприемников согласно изобретению формируют на пластине с матрицами БИС или фотодиодными матрицами металлический подслой (например, Cr+Ni) круглой формы, защищают кристалл пленкой фоторезиста с окнами круглой формы в местах контактов, напыляют слой индия толщиной, соответствующей высоте микроконтактов, формируют на слое индия маску фоторезиста круглой формы, затем формируют микроконтакты травлением ионами инертного газа до полного распыления индия в промежутках между контактами, удаляют остатки фоторезистивной маски на вершинах микроконтактов и нижней защитной пленки в органических растворителях или травлением в кислородной плазме. Изобретение обеспечивает возможность формирования микроконтактов высотой 4÷12 мкм, в том числе на матрицах формата 640*512 и шагом 15 мкм. 6 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронным приборам. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор содержит прозрачное защитное покрытие на рабочей поверхности, на которое падает излучение, и секции фотопреобразователей, соединенные оптически прозрачным герметиком с защитным покрытием. Секции фотопреобразователей наклонены к рабочей поверхности под углом , равным 5-50°, между секциями фотопреобразователей установлены плоские зеркальные отражатели с углом наклона к рабочей поверхности генератора =5-50°. Зеркальные отражатели и секции фотопреобразователей выполнены в виде периодической уголковой пилообразной структуры, секции фотопреобразователей имеют двухстороннюю рабочую поверхность, а зеркальные отражатели выполнены с двухсторонней отражающей поверхностью. Технический результат заключается в увеличении освещенности и электрической мощности на единицу площади поверхности фотопреобразователей. 6 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, предназначенных для регистрации инфракрасного излучения. Фотоприемный модуль на основе PbS представляет собой гибридную микросборку, состоящую из фоточувствительного элемента, в виде линейки на основе PbS и кристалла БИС-считывания (мультиплексора), соединенных между собой методом перевернутого монтажа (flip-chip). Индиевые столбики наносят на контактные площадки ламелей фоточувствительного элемента, которые помимо слоев Cr, Pd и Au содержат подслой Cr и In, и стыкуют с индиевыми столбиками, нанесенными на БИС-считывания, образуя электрическую и механическую связь. Способ изготовления фотоприемного модуля позволяет значительно снизить трудоемкость монтажа и повысить эффективность изготовления, используя метод групповой холодной сварки. Это позволяет конструктивно выполнить фотоприемный модуль в виде гибридной сборки и расположить БИС-считывания на фоточувствительном элементе, снизить габариты, повысить надежность. 3 ил.

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к фотопреобразователям. Техническим результатом изобретения является улучшение качества контактов и увеличение выхода годных приборов. В способе изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, включающем создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание мезы, удаление фоторезиста, напыление слоев тыльного контакта, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, нанесение просветляющего покрытия, вырезку из пластины фотопреобразователя со встроенным диодом, вытравливание диодной площадки проводят капельным смачиванием, а для напыления слоев лицевой металлизации используются слои хрома толщиной 5÷15 нм, серебра толщиной 5÷15 нм, золото-германия толщиной 50÷80 нм, серебра толщиной 5÷6 мкм, золота толщиной 30÷80 нм, кроме того, после создания фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода проводят вытравливание мезы с одновременным удалением эпитаксиальных наростов на тыльной стороне подложки, а затем наносят защитное покрытие, после чего стравливают подложку, а после удаления защитного покрытия и фоторезиста напыляют слои тыльной металлизации. 1 табл.

Изобретение может быть использовано в различной оптико-электронной аппаратуре для обнаружения инфракрасного излучения. Фотоприемный модуль на основе PbSe согласно изобретению представляет собой гибридную микросборку, состоящую из фоточувствительного элемента, в виде линейки на основе PbSe и кристалла БИС-считывания (мультиплексора), соединенных между собой методом перевернутого монтажа (flip-chip), при этом индиевые столбики наносят на контактные площадки ламелей фоточувствительного элемента, которые помимо слоев Cr, Pd, An содержат подслой Cr и In, и стыкуют с индиевыми столбиками, нанесенными на БИС-считывания, образуя электрическую и механическую связь. Изобретение позволяет значительно снизить трудоемкость монтажа и повысить эффективность изготовления, используя метод групповой холодной сварки, что в свою очередь позволяет конструктивно выполнить фотоприемный модуль в виде гибридной сборки и расположить БИС-считывания на фоточувствительном элементе, снизить габариты и повысить надежность. 3 ил.

Настоящее изобретение относится к области кремниевых многопереходных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечных батарей. Конструкция «наклонного» кремниевого монокристаллического многопереходного (МП) фотоэлектрического преобразователя (ФЭП) согласно изобретению содержит диодные ячейки (ДЯ) с n⁺ -p^--p⁺ (р⁺-n^--n ⁺) переходами, параллельными горизонтальной светопринимающей поверхности, диодные ячейки содержат n⁺(p⁺ ) и р⁺(n⁺) области n⁺-p ^--p⁺(p⁺-n^--n⁺ ) переходов, через которые они соединены в единую конструкцию металлическими катодными и анодными электродами, расположенными на поверхности n⁺(p⁺) и p⁺(n ⁺) областей с образованием соответствующих омических контактов - соединений, при этом, что n⁺(p⁺) и p ⁺(n⁺) области и соответствующие им катодные и анодные электроды расположены под углом в диапазоне 30-60 градусов к светопринимающей поверхности, металлические катодные и анодные электроды расположены на их поверхности частично, а частично расположены на поверхности оптически прозрачного диэлектрика, расположенного на поверхности n⁺(p⁺) и p⁺(n⁺) областей, при этом они с металлическими электродами и оптически прозрачным диэлектриком образуют оптический рефлектор. Также предложен способ изготовления описанной выше конструкции «наклонного» кремниевого монокристаллического многопереходного (МП) фотоэлектрического преобразователя (ФЭП). Техническим результатом изобретения является повышение коэффициента полезного действия фотопреобразователей. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области фотоэлектрического преобразования солнечной энергии. Согласно изобретению предложен способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента, имеющей два электрода и содержащей по меньшей мере один слой соединения кремния, который включает осаждение слоя соединения кремния на несущую структуру, в результате чего одна поверхность слоя соединения кремния расположена на несущей структуре, а вторая поверхность слоя соединения кремния является непокрытой, обработку второй поверхности слоя соединения кремния в заданной кислородсодержащей атмосфере с обогащением тем самым второй поверхности слоя соединения кремния кислородом и воздействие на обогащенную вторую поверхность окружающим воздухом. Изобретение обеспечивает улучшение технологической гибкости при сохранении хорошей воспроизводимости процесса и воспроизводимости готового продукта. 14 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение касается способа изготовления электродов для солнечных батарей, в котором электрод выполнен в виде электропроводящего слоя на основе (1) для солнечных батарей, на первом этапе с носителя (7) на основу (1) переносят дисперсию, содержащую электропроводящие частицы, посредством облучения дисперсии лазером (9), а на втором этапе сушат и/или отверждают перенесенную на основу (1) дисперсию в целях образования электропроводящего слоя. Способ изготовления электродов для солнечных батарей согласно изобретению позволяет формировать электропроводящий слой с очень тонкой структурой, реализуется простым образом, без использования больших количеств экологически вредных веществ. 16 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей с текстурированным слоем прозрачного проводящего оксида. Способ получения слоя прозрачного проводящего оксида на стеклянной подложке включает нанесение на стеклянную подложку слоя оксида цинка ZnO химическим газофазным осаждением при пониженном давлении и последующее текстурирование поверхности слоя ZnO высокочастотным магнетронным травлением в среде рабочего газа с одновременным перемещением электромагнитов магнетрона по площади поверхности слоя ZnO в течение определенных времени и мощности магнетрона. Способ имеет повышенную производительность и позволяет уменьшить себестоимость слоев прозрачных проводящих оксидов за счет уменьшения времени и энергозатрат на их выращивание и модификацию поверхности. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Настоящее изобретение относится к области кремниевых многопереходных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечных батарей. Согласно изобретению предложено создание «гребенчатой» конструкции фотоэлектрического преобразователя, которая позволяет реализовать в его диодных ячейках максимально возможный объем области пространственного заряда p-n переходов, в котором сбор неосновных носителей заряда происходит наиболее эффективно. Предложены конструкция и способ изготовления этой конструкции гребенчатого кремниевого монокристаллического многопереходного фотоэлектрического преобразователя. Данное изобретение позволяет повысить коэффициент полезного действия фотоэлектрических преобразователей до 32%. 2 н.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники, фотовольтаики, к не литографическим технологиям структурирования кремниевых подложек, в частности к способам структурирования поверхности монокристаллического кремния с помощью лазера. Способ согласно изобретению включает обработку поверхности монокристаллического кремния ориентации (111) с помощью импульсного излучения лазера, сфокусированного перпендикулярно поверхности обработки с длительностью импульса 15 нс, при этом предварительно монокристаллический кремний ориентации (111) помещают в ультразвуковую ванну и обрабатывают в спирте в течение 30 минут, а обработку лазером ведут импульсами с длиной волны 266 нм и частотой 6 Гц, при этом число импульсов составляет 5500-7000 с плотностью энергии на обрабатываемой поверхности 0,3 Дж/см². Изобретение обеспечивает формирование периодических пирамидальных структур на поверхности монокристаллического кремния, имеющих монокристаллическую структуру и три кристаллографические грани ориентации (111). 1 табл., 5 ил.

Задний лист для модуля солнечных элементов содержит лист подложки и отвержденный слой пленки покрытия из материала покрытия, сформированного на одной стороне или на каждой стороне листа подложки, причем указанный материал покрытия содержит фторполимер (А), имеющий повторяющиеся звенья на основе фторолефина (а), повторяющиеся звенья на основе мономера (b), содержащего группы для поперечного сшивания и повторяющиеся звенья на основе мономера (с), содержащего алкильные группы, где C_2-20 линейная или разветвленная алкильная группа не имеет четвертичного атома углерода, а ненасыщенные группы, способные к полимеризации, связаны друг с другом посредством эфирной связи или сложноэфирной связи. Также предложен модуль солнечных элементов с использованием такого заднего листа и варианты способа изготовления заднего листа для модуля солнечных элементов. Предложенное изобретение обеспечивает возможность создания отвержденного слоя гибкого с хорошей адгезией за счет исключения растрескивания, разламывания, замутнения и расслоения. 5 н. и 10 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл.

Способ изготовления чипов каскадных фотоэлементов относится к солнечной энергетике. Способ включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное выращивание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя, создание сплошных омических контактов на тыльной и фронтальной поверхностях фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры. Формирование контактной сетки на фотоэлементах осуществляют локальным травлением химическим и ионно-лучевым методами омического контакта и контактного слоя для открытия части нижележащего пассивирующего слоя и создают многослойное просветляющее покрытие на открытой части пассивирующего слоя. Далее проводят разделение многослойной структуры на чипы и пассивируют боковую поверхность чипов диэлектриком. Способ позволяет уменьшить затенение фоточувствительной поверхности фотоэлементов и одновременно упростить технологию. 1 з.п. ф-лы, 7 пр., 5 ил.

Изобретение относится к изготовлению солнечных батарей. Устройство для термовакуумного ламинирования фотопреобразователей (ФП) включает вакуумируемую камеру с нагревателем, теплопроводными поддонами для укладки склеиваемых пакетов и прижим, обеспечивающий необходимое усилие сжатия пакетов. Поддоны соединены через центральное отверстие на вертикальной колонке, образуя вертикальный ряд, и подпружинены относительно друг друга с возможностью согласованного последовательного перемещения. В каждом из поддонов симметрично относительно центрального отверстия выполнены два ложемента для пакетов. Дно поддонов выполнено с возможностью передачи усилия сжатия пакетам на нижележащем поддоне при перемещении прижима. Последний размещен над крайним верхним поддоном. Ложементы снабжены ограничителями смещения пакетов и хода прижима. Последние размещены по центру продольных краев ложементов и выполнены с возможностью контакта с вертикальными экранами нагревателя и теплопередачи на поддон. Поддоны со стороны продольных краев снабжены углублением для сбора излишков клея, образующихся при сдавливании пакета, а также антиадгезионным покрытием. Изобретение обеспечивает возможность получения плоскопараллельных равнотолщинных ФП за счет повышения равномерности сжатия пакетов, предотвращение образования воздушных включений (пузырей) между ламинирующими стеклами и ФП за счет одинакового нагрева пакетов от центра к их периферии и попадания клея на контакты ФП, снижение габаритов и энергоемкости устройства и повышение удобства загрузки-выгрузки пакетов на поддоны. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное создание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя. Способ также включает создание сплошных омических контактов на тыльной и фронтальной поверхностях фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры, формирование контактной сетки, которое осуществляют локальным травлением через маску фоторезиста с фронтальной поверхности фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры омического контакта и контактного слоя методом плазмохимического травления и ионно-плазменного травления. После чего проводят напыление просветляющего покрытия, разделение структуры на чипы и пассивацию боковой поверхности чипов диэлектриком. 8 пр., 5 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InSb n-типа проводимости (изготовление p-n-переходов), фототранзисторов (изготовление базовых областей на кристаллах n-типа проводимости и эмиттеров и омических контактов на кристаллах p-типа проводимости), фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости (омические контакты). В способе изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах InSb, включающем имплантацию ионов Be⁺ с энергией не более 40 кэВ и дозой не более 10¹⁴ см^-2 и последующий импульсный отжиг излучением галогенных ламп через кремниевый фильтр в атмосфере осушенного аргона или азота с нагревом образца до температуры отжига со скоростью 15-350 град/с и охлаждением после отжига со скоростью не более 10 град/мин, при этом отжиг проводят в две стадии: первая - при температуре 300-320°C с длительностью отжига 40-120 с, вторая - при температуре 385-400°C с длительностью отжига 10-20 с. Изобретение обеспечивает улучшение структурных и электрофизических свойств получаемых слоев, так как в этом случае наиболее эффективно отжигаются как простые, при более низких температурах, так и сложные, при более высоких температурах, радиационные дефекты, отжиг в течение указанного времени необходим для завершения процессов диффузии к поверхности кристалла продуктов распада этих дефектов - точечных дефектов. 1 табл.

Изобретение относится к созданию высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых многослойных наногетероструктур для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию с использованием солнечных батарей. Способ изготовления чипов наногетероструктуры, выращенных на германиевой подложке, включает нанесение омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности наногетероструктуры, удаление части фронтального контактного слоя наногетероструктуры методом химического травления и нанесение антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность наногетероструктуры, пассивацию боковой поверхности чипов диэлектриком. Разделение структуры на чипы проводят травлением через маску фоторезиста со стороны фронтальной поверхности наногетероструктуры на глубину 10-30 мкм наногетероструктуры и германиевой подложки в едином процессе в травителе, содержащем бромистый водород, перекись водорода и воду при определенном соотношении компонентов. Изобретения обеспечивают достижение ровной, без выступов и раковин, боковой поверхности разделительных канавок в монолитных наногетероструктурах на германиевой подложке, при травлении всей структуры в едином процессе в одном травителе, методом жидкостного химического травления, что обеспечивает качественное нанесение защитных (пассивирующих) покрытий на боковую поверхность разделительных канавок и разделение наногетероструктуры на отдельные элементы - чипы, в результате повышается выход годных изделий и их надежность и увеличивается срок службы отдельных элементов. 2 н.п. ф-лы, 6 ил, 2 пр.

Способ изготовления фотовольтаического преобразователя включает нанесение на периферийную область подложки из n-GaSb диэлектрической маски, формирование на открытых участках фронтальной поверхности подложки высоколегированного слоя р-типа проводимости диффузией цинка из газовой фазы, удаление со стороны фронтальной поверхности анодным окислением с последующим травлением в соляной кислоте части высоколегированного слоя р-типа проводимости на оптимальную глубину, определяемую по градуировочной кривой для заданной глубины залегания р-n-перехода, удаление с тыльной стороны подложки образовавшегося в результате диффузии слоя p-GaSb, формирование тыльного и фронтального омического контактов. Изобретение позволит повысить эффективность работы фотовольтаического преобразователя при использовании в различных устройствах: в солнечных батареях и установках с расщеплением светового потока при высоких кратностях концентрирования солнечного излучения, в системах преобразования энергии лазерного луча, а также в термофотоэлектрических генераторах с высокой температурой эмиттера. 1 з.п. ф-лы, 4 пр., 10 ил.

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к технологическому оборудованию для производства фотоэлектрических панелей, и, в частности, технологической таре для хрупких пластин фотопреобразователей (ФП) при позиционировании, фиксации, обработке, транспортировании, контроле, испытаниях и хранении. Спутник-носитель пластин ФП имеет жесткий корпус из изоляционного материала в виде рамки с опорными выступами для размещения пластины, пазами для контактов и выемками для не менее трех фиксирующих и двух базирующих элементов. Последние выполнены с возможностью пружинного контакта с торцами пластины. Фиксирующие и базирующие элементы могут быть выполнены в виде цилиндра на пружинном держателе из материала корпуса. При этом поверхность цилиндра фиксирующего элемента в зоне контакта с торцевой поверхностью пластины скошена с образованием острого угла с плоскостью пластины. Изобретение обеспечивает простоту конструкции спутника-носителя и возможность автоматического позиционирования, надежность фиксации и беспрепятственный доступ к рабочей поверхности пластины 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Солнечные элементы изготавливают из слитков монокристаллического или поликристаллического кремния с легированием Р-типа, отрезанием пластин и проведением легирования N-типа. Согласно изобретению предложен способ изготовления солнечного элемента в условиях плазменной обработки из кремниевой пластины или кремниевой пластины с легированием р-типа, с нанесением покрытия с легированием n-типа, включающий стадию травления паразитного эмиттера на тыльной стороне солнечного элемента, фотомаски солнечных элементов со структурой PERL; пластин, имеющих фосфорсодержащее стекловидное покрытие, или травления пластин для модификации поверхности, включая тыльную сторону, или для исправления кремниевых пластин, которые имеют трещины, травильным газом, включающим неразбавленный карбонилфторид, неразбавленный фтор или смеси фтора с азотом, смеси фтора с аргоном, смеси фтора с азотом и аргоном, смеси карбонилфторида с кислородом, смеси карбонилфторида с инертным газом, выбранным из азота, гелия и аргона, или смеси карбонилфторида с кислородом и инертным газом, выбранным из азота, гелия и аргона. Также согласно изобретению предложены солнечный элемент изготовленным описанным выше способом и способ изготовления индикаторных плоскопанельных дисплеев. Изобретение обеспечивает отсутствие парникового эффекта, т.е. не происходит разрушение озонового слоя. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 пр., 1 табл.

Изобретение области измерений электрофизических параметров солнечных элементов на основе применения устройств, позволяющих имитировать (симулировать) реальное солнечное излучение искусственными источниками света вместе с необходимой и встроенной в устройство электронной аппаратурой для обеспечения процесса измерений и определения параметров солнечных элементов с целью оценки их эксплуатационных характеристик. Способ определения вольтамперных характеристик кремниевых солнечных элементов на симуляторе солнечного излучения включает в себя облучение измеряемого и эталонного солнечных элементов импульсом света от одиночного импульсного источника светового излучения, определение по характеристикам эталонного солнечного элемента калибровочных параметров измерительной системы симулятора, подачу на контролируемый солнечный элемент в течение длительности плоской части импульса T=(1·10 ³÷1·10⁴) мкс регулируемого напряжения смещения U(t) с шагом t=(3÷30) мкс и измерение протекающего через него тока I(t), а в качестве калибровочных параметров используют I _к.з - ток короткого замыкания, А; I₀ - обратный ток, А; - постоянная времени релаксации, мкс, напряжение смещения U(t) регулируют в соответствии с определенной зависимостью. Изобретение обеспечивает увеличение точности определения вольтамперных характеристик солнечных элементов в процессе проведения импульсных световых засветок. 1 пр.

Предложено устройство обнаружения, предназначенное для обнаружения излучения, содержащее: подложку; переключающий элемент, расположенный поверх подложки и включающий в себя множество электродов; проводящую шину, расположенную поверх подложки и электрически соединенную с первым электродом из множества электродов переключающего элемента; и преобразующий элемент, включающий в себя полупроводниковый слой, расположенный поверх переключающего элемента и проводящей шины и расположенный между двумя электродами, причем один электрод из двух электродов электрически соединен со вторым электродом из множества электродов переключающего элемента. Упомянутый один электрод преобразующего элемента расположен поверх переключающего элемента и проводящей шины через промежуток, образованный между упомянутым одним электродом и первым электродом переключающего элемента, или между упомянутым одним электродом и проводящей шиной, при этом промежуток сформирован путем удаления пленки, покрывающей проводящую шину и переключающий элемент. Также предложены система обнаружения, содержащая описанное выше устройство обнаружения и способ изготовления устройства обнаружения. Изобретение обеспечивает снижение паразитных емкостей между преобразующими элементами и переключающими элементами или проводящими шинами. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение касается способа текстурирования кремниевых поверхностей и кремниевых пластин, получаемых этим способом, при этом способ включает этапы погружения пластин в щелочной раствор с рН>10 и приложения разности потенциалов между пластиной и платиновым электродом в электролите в диапазоне от +10 В до +85 В. Способ текстурирования кремниевых пластин согласно изобретению позволяет использовать щелочные травящие растворы и получать кремниевые пластины с существенно более низкой отражательной способностью по сравнению с пластинами, которые подвергаются химическому травлению согласно процессам, применяемым в настоящее время. 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 19 ил.

Изобретение относится к области энергосберегающих технологий. Предложенный способ повышения эффективности полимерных преобразователей введением в активный слой краунзамещенных порфиринов металлов позволяет снизить стоимость производимой электроэнергии из солнечной энергии. Способ изготовления органического фотовольтаического преобразователя солнечной энергии в электрический ток согласно изобретению включает операцию введения в фотоактивный полимерный слой органического фотовольтаического преобразователя краунзамещенных порфиринатов металлов, при этом краунзамещенные порфиринаты металлов вводят в концентрации от 0.1 до 50 мас.%. Изобретение обеспечивает возможность значительно повысить эффективность органических полимерных преобразователей солнечной энергии в электрическую энергию, кроме того, использование полимерных активных слоев позволяет получать преобразователи на гибкой основе, большой площади и простыми технологическими способами. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 пр.

Изобретение относится к способу изготовления солнечных элементов (СЭ). Способ включает в себя нанесение фосфоросодержащей 3 и боросодержащей 2 пленок соответственно на первую и противоположную вторую поверхности кремниевой подложки 1, одновременную диффузию фосфора и бора из соответствующих пленок в поверхности первой и второй сторон подложки 1 соответственно при повышенной температуре, удаление поверхностного слоя 4, легированного фосфором, при одновременном создании текстурированной поверхности на первой стороне подложки 1, создание легированного фосфором слоя 7 на текстурированной поверхности и формирование контактной системы 8. Содержание фосфора в фосфоросодержащей пленке 3 выбирают таким, чтобы концентрация фосфора на всех участках поверхности, покрытой фосфоросодержащей пленкой 3, превышала после указанной диффузии концентрацию бора на этих участках. Изобретение обеспечивает повышение эффективности СЭ за счет устранения эффекта перекрытия n⁺ и р ⁺-слоев. 6 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 табл., 2 пр.

Способ изготовления кремниевого солнечного элемента с избирательным эмиттером согласно изобретению включает в себя следующие операции, проводимые в указанном порядке: создание двумерного эмиттера на эмиттерной поверхности подложки солнечного элемента; нанесение барьера травления на первые частичные зоны эмиттерной поверхности; травление эмиттерной поверхности во вторых частичных зонах эмиттерной поверхности, не покрытых барьером травления; удаление барьера травления; и создание металлических контактов в первых частичных зонах. Также предложен солнечный элемент, изготовленный описанным выше способом. Предлагаемый способ изготовления кремниевого солнечного элемента с избирательным эмиттером является совместимым с другими, обычно применяемыми в промышленности операциями, причем этот способ является рентабельным и позволяет производить солнечные элементы, имеющие высокий кпд, в которых имеется высокая потребность. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 2 ил.