Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ..приборы или их части, содержащие аморфный полупроводниковый материал – H01L 31/20

Изобретение относится к области фотоэлектрического преобразования солнечной энергии. Фотоэлектрический элемент согласно изобретению содержит электродный слой из прозрачного электропроводящего оксида, который осажден на прозрачной несущей подложке, контактный слой из легированного аморфного кремния первого типа и имеющий толщину, самое большее 10 нм, первый активный слой из легированного аморфного соединения кремния первого типа, который имеет запрещенную зону, которая больше, чем запрещенная зона материала указанного контактного слоя, второй активный слой из соединения кремния с собственной проводимостью и третий активный слой из легированного соединения кремния второго типа. Также предложены фотоэлектрическая преобразующая панель, содержащая по меньшей мере один фотоэлектрический элемент и способ изготовления фотоэлектрического элемента. Изобретение обеспечивает высокую эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую, возможность создания дешевых солнечных элементов, а также использование для их создания кремния. 3 н. и 19 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способу получения тетрафторсилана и газу на его основе. Способ получения тетрафторсилана включает стадию (1) нагревания гексафторсиликата, стадию (2-1) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с газообразным фтором. Далее следует стадия (2-2) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с фтористым соединением многовалентного металла. В качестве альтернативы стадии (2-2) присутствует стадия (2-1) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с газообразным фтором. Потом следует стадия (2-3) реакции газообразного тетрафторсилана, полученного на стадии (2-1) с фтористым соединением многовалентного металла. По вышеуказанному способу получают высокочистый тетрафторсилан, содержащий гексафтордисилоксан в количестве 0,1 об.ч/млн или менее. Газообразный тетрафторсилан, полученный вышеуказанным способом, используют при производстве оптического волокна, полупроводников, элементов солнечной батареи. Технический результат состоит в получении тетрафторсилана с пониженным содержанием примесей. 5 н. и 19 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.