Приборы с использованием сверхпроводимости, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей: .конструктивные элементы – H01L 39/02

Изобретение относится к способам уменьшения интенсивности фонового излучения инфракрасного диапазона. Способ фильтрации фонового излучения инфракрасного диапазона, падающего на сверхпроводниковый однофотонный детектор, включает передачу излучения инфракрасного диапазона с длиной волны 0,4-1,8 микрометров на сверхпроводниковый однофотонный детектор при помощи одномодового волокна, частично находящегося при температуре 4,0-4,4 К. При этом длина охлаждаемого участка одномодового волокна составляет 0,2-3,5 м. Технический результат заключается в повышении надежности работы фотонных детекторов. 2 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к способам, позволяющим производить совмещение фотонных детекторов относительно оптического излучения. Способ прецизионного позиционирования чувствительного элемента фотонного детектора относительно амплитудно-модулированного оптического излучения включает смещение чувствительного элемента фотонного детектора постоянным током с последующей регистрацией электрического сигнала, возникающего на контактах детектора на частоте модуляции излучения. Полученный при этом сигнал используют как параметр, определяющий качество позиционирования. Обеспечивается повышение технико-эксплуатационных характеристик детектора.

Изобретение относится к области высокотемпературных сверхпроводников. Сущность изобретения: пластинчатый сверхпроводящий провод содержит сверхпроводниковый узел провода, причем указанный узел содержит первую сверхпроводниковую вставку, содержащую первый слой высокотемпературного сверхпроводника, покрывающий первую биаксиально текстурированную подложку, и первый электропроводящий верхний слой, покрывающий упомянутый первый слой сверхпроводника и находящийся в электрическом контакте с ним, и вторую сверхпроводниковую вставку, содержащую второй слой высокотемпературного сверхпроводника, покрывающий вторую биаксиально текстурированную подложку, и второй электропроводящий верхний слой, покрывающий упомянутый второй слой сверхпроводника и находящийся в электрическом контакте с ним, причем эти первая и вторая сверхпроводниковые вставки соединены друг с другом своими соответствующими биаксиально текстурированными подложками. Также сверхпроводящий провод содержит электропроводящую структуру, окружающую сверхпроводниковый узел и находящуюся в электрическом контакте с каждым из упомянутых электропроводящих верхних слоев. Изобретение обеспечивает получение высокотемпературных сверхпроводниковых проводов с улучшенным перераспределением тока, хорошими механическими свойствами и изоляцией узла от окружающей среды, более эффективный электрический контакт с внешними электрическими соединениями и/или улучшенную электрическую стабилизацию. 3 н. и 34 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано в высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) схемах. Техническим результатом изобретения является повышение качества управляемого резистора, уменьшение его габаритов и сложности, возможность автоматического управления и применения при азотных температурах. Сущность изобретения: в управляемом сверхпроводниковом резисторе резистивный магниточувствительный элемент выполнен в форме меандра из толстопленочного высокотемпературного сверхпроводника, магнитный управляющий элемент выполнен в виде толстопленочной высокотемпературной сверхпроводящей дорожки, расположенной параллельно плоскости меандра, симметрично его оси и изолированно от него. При этом параметры устройства связаны между собой определенным соотношением. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к устройствам для регистрации излучения видимого и инфракрасного диапазонов излучения в режиме счета отдельных фотонов. Сущность изобретения: сверхпроводниковый фотонный детектор видимого и инфракрасного диапазонов излучения, различающий число фотонов, содержит быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор, в котором на подложке размещены контактные площадки, а между контактными площадками, по крайней мере, две одинаковые полоски, выполненные из пленки сверхпроводника определенной толщины и ширины. Концы полосок подсоединены к контактным площадкам так, что полоски соединены параллельно, при этом каждая полоска соединена с одной из контактных площадок через соответствующий полосковый резистор. Резисторы для всех полосок выполнены одинаковыми, а сопротивление резисторов составляет 0,5÷500 Ом, в зависимости от кинетической индуктивности сверхпроводящих полосок оно подобрано так, чтобы переключение в резистивное состояние одной из полосок не приводило к переключению в резистивное состояние остальных полосок, т.е. чтобы величина тока в этих полосках не превышала величину критического тока. Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор подключен к источнику постоянного тока и высокочастотному тракту съема сигнала через адаптер смещения, высокочастотный выход адаптера смещения подключен через первый коаксиальный кабель к СВЧ-усилителям и далее через второй коаксиальный кабель ко входу амплитудного анализатора, регистрирующего число фотонов, падающих на быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор. Изобретение обеспечивает возможность регистрации числа фотонов, одновременно упавших на детектор, при одновременном повышении быстродействия детектора. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к устройствам для регистрации отдельных фотонов и может быть использовано в системах оптической волоконной связи, для телекоммуникационных технологий в системах защиты передаваемой информации, диагностике и тестировании больших интегральных схем, в спектроскопии одиночных молекул, астрономии, медицине. Технический результат изобретения: повышение быстродействия, чувствительности и широкополосности детектора. Сущность: устройство содержит подложку и размещенные на ней контактные площадки. Одна полоска выполнена в форме меандра из сверхпроводника и ее концы подсоединены к контактным площадкам. Другая дополнительная полоска из сверхпроводника подключена параллельно к упомянутой полоске, выполненной в форме меандра. Дополнительная полоска выполнена из сверхпроводника с кинетической индуктивностью меньшей, чем кинетическая индуктивность полоски, выполненной в форме меандра. 8 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.