Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов, способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки этих приборов или их частей: .приборы с использованием эффекта Холла – H01L 43/06

Изобретение может быть использовано для создания миниатюрных датчиков для трехосевой магнитометрии. Датчик магнитного поля содержит сенсорные узлы, реализованные на использовании эффекта Холла, которые выполнены в составе криволинейной оболочки с системой слоев. В системе слоев присутствуют восприимчивые к магнитному полю - функциональные и формообразующие. Последними обеспечена кривизна оболочки и возможность ориентации крестообразных холловских элементов сенсорных узлов в пространстве с выполнением соответствия измеряемых холловских напряжений ортогональным компонентам вектора внешнего магнитного поля. Способ изготовления датчика магнитного поля заключается в следующем. На подложке формируют многослойный пленочный элемент/элементы. При этом используют материалы, геометрию и внутренние механические напряжения, обеспечивающие ориентацию крестообразных холловских элементов сенсорных узлов в пространстве, при которой реализовано соответствие измеряемых холловских напряжений ортогональным компонентам вектора внешнего магнитного поля. На стадии формирования пленочного элемента изготавливают слои, формообразующие, механически напряженные, и функциональные, восприимчивые к магнитному полю, с холловскими контактами. Пленочный элемент отделяют от подложки, трансформируя его под действием внутренних механических напряжений в оболочку с достижением ориентации крестообразных холловских элементов в пространстве, при которой реализовано соответствие измеряемых холловских напряжений ортогональным компонентам вектора внешнего магнитного поля. Решения обеспечивают достижение точности и надежности одновременных измерений ортогональных компонент магнитного поля, а также компоненты вектора магнитного поля, отличной от перпендикулярной к плоскости датчика; повышение надежности датчика и воспроизводимости параметров датчиков. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 6 ил., 5 пр.

Изобретение относится к полупроводниковым магниточувствительным датчикам, использующим технологию микроэлектромеханических систем. Микроэлектромеханический датчик магнитного поля включает корпусную кремниевую пластину, в которой методом микротехнологии выполнен симметричный маятник, маятник подвешен на упругом подвесе, на свободном конце которого нанесен магниточувствительный слой. Согласно изобретению упругий подвес маятника выполнен в виде двух крестообразных торсионов, жестко соединенных по оси симметрии с маятником и с корпусной кремниевой пластиной, маятник выполнен из проводящего кремния, на втором конце маятника введен немагнитный слой, масса которого и плечо до оси качания равны соответственно массе и плечу магниточувствительного слоя, введена первая непроводящая обкладка с первым и вторым проводящими планарными электродами силовой отработки, выполненными на одной из сторон обкладки, обкладка жестко соединена с корпусной кремниевой пластиной и проводящими электродами направлена в сторону маятника без магниточувствительного и немагнитного слоев, первый и второй проводящие планарные электроды расположены по разные стороны оси симметрии маятника, введена вторая непроводящая обкладка с проводящими планарными электродами емкостного датчика угловых перемещений, направленная проводящими электродами в сторону магнитного и немагнитного слоев, суммарная высота проводящих электродов второй обкладки меньше, чем суммарная высота электродов первой обкладки, на суммарную высоту магнитного и немагнитного слоев, введен микроконтроллер, ко входам емкостного ШИМ которого подключены первый и второй проводящие электроды второй обкладки, а к первому и второму проводящим электродам магниточувствительного слоя первой обкладки подключены регистры прямого и инверсного выходов микроконтроллера. Изобретение обеспечивает повышение точности работы микроэлектромеханического датчика магнитного поля за счет исключения влияний сил инерции. 3 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым магниточувствительным устройствам и может быть использовано как датчик магнитной индукции в составе измерительной аппаратуры и в различных системах ориентации и навигации летательных аппаратов. Датчик магнитной индукции включает изолирующую подложку, выполненную в виде прямоугольной пластины, кремниевый эпитаксиальный слой на поверхности изолирующей подложки, первый и второй токовые планарные электроды и первый и второй потенциальные (холловские) планарные электроды, токовые и потенциальные электроды попарно размещены на противоположных сторонах эпитаксиального слоя. Согласно изобретению в датчик введен контур обратной связи в виде прямоугольного витка, нанесенного на изолирующий слой, охватывающий токовые и потенциальные электроды, токовые и потенциальные электроды выполнены с барьерами Шоттки, введен дифференциальный операционный усилитель, ко входам которого подключены первый и второй потенциальные электроды, а выход операционного усилителя подключен к одному из концов витка обратной связи, таким образом, что обратная связь является отрицательной, второй конец витка обратной связи через нагрузочный резистор соединен с «землей». Изобретение обеспечивает увеличение стабильности работы и снижение уровня шумов устройства. 3 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым магниточувствительным датчикам, использующим эффект Холла. Сущность: датчик магнитного поля содержит арсенидогаллиевый кристалл, состоящий из полуизолирующей подложки, магниточувствительного эпитаксиального слоя электронного типа проводимости, токовых и потенциальных контактов, в котором толщина магниточувствительного слоя (d) задана в пределах: d=(0,2-1,5) мкм, а средняя концентрация электронов (n) в указанном слое выбирается из соотношения: n·d=(3,3-20)·10¹¹ см ^-2. Технический результат изобретения: увеличение в несколько раз удельной магнитной чувствительности без заметного увеличения остаточного напряжения, уровня шумов без снижения стабильности работы. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.