Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов, способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки этих приборов или их частей: .резисторы, управляемые магнитным полем – H01L 43/08

Изобретение относится к измерительным устройствам и может быть использовано в интегральных линейных и угловых акселерометрах и гироскопах в качестве датчика перемещений. Технический результат: повышение точности нулевого сигнала преобразователя перемещений. Сущность: магниторезистивный датчик содержит пластину проводящего монокремния, в которой с помощью анизотропного травления выполнен подвижный объект. На разных сторонах конца подвижного объекта размещены дискретные источники магнитного поля, которые расположены напротив четырехслойных магниторезистивных структур, размещенных на разных сторонах пластины проводящего монокремния. Четырехслойные магниторезистивные структуры состоят из первого свободного ферромагнитного слоя, второго проводящего немагнитного слоя, третьего зафиксированного ферромагнитного слоя и четвертого антиферромагнитного слоя. Два свободных и два зафиксированных ферромагнитых слоя соединены в четырехплечий мост. 4 ил.

Изобретение может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, головках считывания с магнитных дисков и лент, устройствах диагностики печатных плат и микросхем, биообъектов (бактерий и вирусов), идентификации информации, записанной на магнитные ленты, считывания информации, записанной магнитными чернилами. Магниторезистивная головка-градиометр содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре ряда последовательно соединенных такими же перемычками в каждом плече мостовой схемы тонкопленочных магниторезистивных полосок, содержащих каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка, причем во всех тонкопленочных магниторезистивных полосках ось легкого намагничивания ферромагнитной пленки направлена под углом 45° относительно продольной оси тонкопленочной магниторезистивной полоски, первый изолирующий слой поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок, на котором сформирован проводник с двумя контактами с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками с рабочими частями проводника, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками, второй изолирующий слой и защитный слой, при этом все тонкопленочные магниторезистивные полоски расположены в один ряд, а ближайший к краю подложки ряд тонкопленочных магниторезистивных полосок удален от трех остальных рядов тонкопленочных магниторезистивных полосок на расстояние не менее десяти периодов повторения этих рядов, второй изолирующий слой снабжен калибровочным проводником, размещенным над рабочими тонкопленочными магниторезистивными полосками мостовой схемы. Техническим результатом изобретения является создание магниторезистивной головки-градиометра с планарным калибровочным проводником, позволяющим определять работоспособность головки без применения внешнего источника локального магнитного поля. 3 ил.

Изобретение относится к области магнитных датчиков на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. Способ согласно изобретению включает окисление кремниевой подложки 1, формирование диэлектрического слоя 2, формирование магниторезистивной структуры, содержащей верхний 3 и нижний 4 защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка 5, формирование из трех рядов параллельных магниторезистивных полосок балластных плеч мостовой схемы и полоски рабочего плеча мостовой схемы путем жидкостного травления, причем ширина магниторезистивных полосок балластных плеч мостовой схемы в N раз меньше ширины полоски рабочего плеча, а длины магниторезистивных полосок балластных и рабочего плеча мостовой схемы равны, нанесение первого изолирующего слоя 6, вскрытие в нем контактных окон к полоскам, формирование перемычек между рядами магниторезистивных полосок балластных плеч мостовой схемы путем напыления слоя алюминия 7 и последующего плазмохимического травления, формирование второго изолирующего слоя 8, вскрытие в нем переходных окон к перемычкам, формирование планарного проводника, проходящего над рабочем плечом мостовой схемы, путем напыления слоя алюминия 9 последующего плазмохимического травления и пассивацию с образованием верхнего защитного слоя 10. Изобретение обеспечивает возможность уменьшения размеров датчика, увеличения чувствительности датчика, увеличения процента выхода годных изделий. 2 з. п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области магнитных наноэлементов. В магниторезистивной головке-градиометре, содержащей подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре ряда последовательно соединенных такими же перемычками в каждом плече мостовой схемы тонкопленочных магниторезистивных полосок, содержащих каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка, первый изолирующий слой поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок, на котором сформирован первый планарный проводник с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками, и второй изолирующий слой, второй планарный проводник, проходящий над и вдоль рабочей тонкопленочной магниторезистивной полоски, и защитный слой, при этом все тонкопленочные магниторезистивные полоски расположены в один ряд, во всех тонкопленочных магниторезистивных полосках ОЛН ферромагнитной пленки направлена под углом 45° относительно продольной оси тонкопленочной магниторезистивной полоски, а рабочее плечо мостовой схемы, ближайшее к краю головки-градиометра, удалено от трех балластных плеч мостовой схемы, ширина балластной тонкопленочной магниторезистивной полоски в N раз меньше ширины рабочей тонкопленочной магниторезистивной полоски, а балластный ряд мостовой схемы состоит из набора N параллельно соединенных тонкопленочных магниторезистивных полосок. Изобретение обеспечивает ослабление действующего на магниторезистивную головку-градиометр локального магнитного поля и увеличение чувствительности. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в устройствах контроля и измерения перемещений, магнитного поля и электрического тока. Магниторезистивный датчик содержит замкнутую мостовую измерительную схему из четырех магниторезисторов, сформированных из пленки ферромагнитного металла, проводник перемагничивания, сформированный в виде меандра из пленки немагнитного металла, и двухслойный проводник управления, сформированный в виде плоской катушки и состоящий из слоя немагнитного металла и слоя ферромагнитного металла. Изобретение обеспечивает уменьшение энергопотребления магниторезистивного датчика. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике. Технический результат - уменьшение потребляемой мощности и нагрева. Сущность: преобразователь содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему четыре параллельно расположенные тонкопленочные магниторезистивные полоски, содержащие каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположены две ферромагнитные пленки с разделительным слоем между ними. Поверх магниторезистивных полосок расположен первый изолирующий слой. На поверхности первого изолирующего слоя расположены четыре наномагнита в виде прямоугольных полосок, расположенных вдоль тонкопленочных магниторезистивных полосок. Каждый наномагнит содержит вспомогательный слой хрома с нанесенной поверх него магнитожесткой пленкой и защитный слой. Коэрцитивная сила магнитожесткой пленкой не менее, чем втрое превышает поле магнитной анизотропии ферромагнитной пленки. Наномагниты расположены с расстоянием, равным ширине полоски наномагнита. Период повторения наномагнитов равен удвоенному периоду повторения тонкопленочных магниторезистивных полосок. Магнитное поле, создаваемое наномагнитами в соседних плечах мостовой схемы, направлено антипараллельно. Соседние магниторезистивные полоски находятся в минимумах положительного и отрицательного постоянного поля наномагнитов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение может быть использовано в автономных оперативно запоминающех устройствах (RAM) либо может быть интегрировано или встроено в устройства, которые используют RAM, такие как микропроцессоры, микроконтроллеры, специализированные интегральные схемы (ASIC), системы на одном кристалле (SoC) и другие аналогичные устройства. В изобретении раскрыто запоминающее устройство, включающее в себя ячейку запоминающего устройства, и способ для создания ячейки запоминающего устройства. Запоминающее устройство включает в себя подложку в первой плоскости. Предусмотрено первое металлическое соединение, тянущееся во второй плоскости. Вторая плоскость является по существу перпендикулярной первой плоскости. Предусмотрен магнитный туннельный переход (MTJ), имеющий первый слой, соединенный с металлическим соединением таким образом, что первый слой MTJ ориентирован вдоль второй плоскости. Также в изобретении раскрыт еще один вариант запоминающего устройства. Изобретение обеспечивает возможность низкого потребления мощности и хорошую масштабируемость. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 11 ил.

Настоящее изобретение относится к созданию магнитной оперативной памяти. Согласно изобретению предложен способ для выравнивания магнитной пленки во время ее осаждения. Способ включает в себя прикладывание первого магнитного поля вдоль первого направления в области, в которой находится подложка во время осаждения первого магнитного материала на подложку, причем магнитная пленка содержит первый магнитный материал; и прикладывание второго магнитного поля вдоль второго направления в области во время осаждения первого магнитного материала на подложку. Также предложены три варианта устройств для осаждения магнитной пленки. Изобретение обеспечивает возможность повышения эффективности устройств магнитной оперативной памяти посредством сокращения потребления энергии или повышения надежности, с уменьшенным размером элементов. 4 н. и 21 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока, биодатчиках. Магниторезистивный преобразователь-градиометр содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками тонкопленочные магниторезистивные полоски, содержащие каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка. Поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок расположен изолирующий слой, тонкопленочные магниторезистивные полоски в первом и четвертом плечах мостовой схемы расположены перпендикулярно тонкопленочным магниторезистивным полоскам второго и третьего плеч мостовой схемы, причем первое и второе плечи мостовой схемы расположены от третьего и четвертого плечей мостовой схемы на расстоянии не менее удвоенной длины тонкопленочной магниторезистивной полоски. Изобретение обеспечивает возможность создания магниторезистивного преобразователя-градиометра с четной ВЭХ, выходящей в насыщение с ростом магнитного поля. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области магнитных датчиков и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока. Магниторезистивный датчик содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре ряда линейно расположенных и последовательно соединенных этими перемычками тонкопленочных магниторезистивных полосок, каждая из которых содержит нижний и верхний защитные слои, между которыми расположена магнитомягкая пленка, первый изолирующий слой поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок, на котором сформирован проводник управления с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками вдоль каждого их ряда и соединенными в виде меандра, второй изолирующий слой, планарная катушка, рабочие части которой расположены вдоль оси легкого намагничивания и защитный слой, причем тонкопленочные магниторезистивные полоски в двух соседних рядах ориентированы под углом 45° относительно оси легкого намагничивания, а в двух других соседних рядах - под углом -45° относительно оси легкого намагничивания, при этом противоположными плечами мостовой схемы являются соответственно два внешних и два внутренних ряда магниторезистивных полосок на поверхности проводника управления расположена магнитожесткая пленка. Техническим результатом изобретения является получение магниторезистивного датчика с оптимальным направлением вектора намагниченности ферромагнитной пленки в тонкопленочной магниторезистивной полоске, что увеличит чувствительность датчика и линейность его ВЭХ. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение может быть использовано для измерения магнитного поля в измерительных комплексах, научном и медицинском приборостроении, устройствах диагностики печатных плат и микросхем, биообъектов (бактерий, вирусов, токсинов и ДНК). Магниторезистивный датчик содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре тонкопленочные магниторезистивные полоски, содержащие каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположены две ферромагнитные пленки с осью легкого намагничивания вдоль длины тонкопленочной магниторезистивной полоски, между которыми расположен разделительный слой, поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок расположен первый изолирующий слой, на котором сформирован проводник управления с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками вдоль каждой полоски, второй изолирующий слой, и защитный слой, на всей поверхности проводника управления расположена магнитожесткая пленка, причем ее коэрцитивная сила не менее чем втрое превышает поле магнитной анизотропии ферромагнитной пленки, а векторы намагниченности магнитожесткой пленки в соседних плечах мостовой схемы направлены перпендикулярно оси легкого намагничивания антипараллельно друг другу. В предлагаемом магниторезистивном датчике многократно уменьшен ток в проводнике управления, что существенно улучшает его технические характеристики за счет уменьшения потребляемой мощности и нагрева, а также возможности использования такого магниторезистивного датчика в линейке или матрице датчиков. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области магнитных наноэлементов на основе многослойных металлических наноструктур с магниторезистивным эффектом и может быть использовано для преобразования высокочастотного магнитного поля в электрический сигнал. Технический результат: плавное изменение амплитудно-частотной характеристики. Сущность: наноэлемент содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположен тонкопленочный магниторезистивный элемент. Магниторезистивный элемент содержит верхний и нижний защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка с осью легкого намагничивания, направленной под углом к параллельным сторонам тонкопленочного магниторезистивного элемента. Над тонкопленочным магниторезистивным элементом сформирован изолирующий слой с расположенным на нем планарным проводником, поверх которого расположен поверхностный защитный слой. Тонкопленочный магниторезистивный элемент выполнен в форме тонкопленочной магниторезистивной призмы, наклонные стороны которой расположены вдоль оси проводника, при этом между планарным проводником и поверхностным защитным слоем расположены дополнительные изолирующий слой и планарный проводник. Наноэлемент может содержать несколько последовательно изготовленных тонкопленочных магниторезистивных призм различной длины и размеров параллельных сторон. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области магнитных наноэлементов на основе многослойных металлических наноструктур с магниторезистивным эффектом. Техническим результатом является создание магниторезистивной головки-градиометра на основе металлической ферромагнитной наноструктуры с планарным протеканием сенсорного тока, имеющей линейную вольт-эрстедную характеристику и позволяющей измерять локальные магнитные поля на больших площадях, не реагируя на действующее на нее однородное магнитное поле. Магниторезистивная головка-градиометр содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре ряда последовательно соединенных такими же перемычками в каждом плече мостовой схемы тонкопленочных магниторезистивных полосок (полосок), содержащих каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка, первый изолирующий слой поверх полосок, на котором сформирован проводник с рабочими частями, перпендикулярными полоскам, второй изолирующий слой, планарную катушку и защитный слой. Все полоски расположены в один ряд, а ближайший к краю подложки ряд полосок удален от трех остальных рядов на расстояние не менее десяти периодов повторения этих рядов. Во всех полосках ось легкого намагничивания ферромагнитной пленки направлена под углом 45° относительно продольной оси полоски. 3 ил.

Туннельный магниторезистивный элемент относится к микроэлектронике, а именно к элементной базе спинтроники - новой области развития современной электроники, поскольку в его работе используются механизмы спин-зависимого электронного транспорта, и может быть использован при создании принципиально новых элементов, предназначенных для хранения, обработки и передачи информации. В туннельном магниторезистивном элементе, содержащем подложку с двумя ферромагнитными проводящими слоями, разделенными тонким слоем диэлектрика, токовые контакты крепятся к верхнему ферромагнитному слою структуры, который имеет проводимость, меньшую, чем проводимости нижнего слоя, а магниторезистивный эффект реализуется за счет переключения токового канала между слоями с различной проводимостью, управляемого воздействием магнитного поля на магнитные туннельные переходы под токовыми контактами. Изобретение обеспечивает реализацию большой величины магниторезистивного (МР) эффекта в туннельной структуре при использовании СЕР (current in plane) геометрии, когда ток параллелен плоскости интерфейсов слоистой структуры и в возможность эффективного управления величиной МР эффекта током смещения, протекающим через структуру. 5 ил.

Изобретение может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. В магниторезистивном пороговом наноэлементе, содержащем подложку с расположенным на ней первым изолирующим слоем, на котором расположена остроконечная многослойная магниторезистивная полоска, содержащая первый защитный слой, первую магнитомягкую пленку с осью легкого намагничивания, направленной вдоль длинной стороны остроконечной многослойной магниторезистивной полоски, разделительный немагнитный слой поверх первой магнитомягкой пленки, на котором расположены вторая магнитомягкая пленка с осью легкого намагничивания, направленной вдоль длинной стороны остроконечной многослойной магниторезистивной полоски, и второй защитный слой, поверх которого находится второй изолирующий слой с нанесенным на него проводником управления, рабочая часть которого расположена поперек длинной стороны остроконечной многослойной магниторезистивной полоски, и третий изолирующий слой между второй магнитомягкой пленкой и вторым защитным слоем расположен полупроводниковый слой. Разделительный немагнитный слой имеет толщину, достаточную для устранения обменного взаимодействия между первой и второй магнитомягкими пленками. Изобретение обеспечивает создание магниторезистивного порогового наноэлемента на основе магнитополупроводниковой наноструктуры с планарным протеканием сенсорного тока, работающего на новом принципе действия при небольших магнитных полях, и обладающей малыми токами управления. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, головках считывания с магнитных дисков и лент, устройствах диагностики печатных плат и микросхем, биообъектов (бактерий и вирусов), идентификации информации, записанной на магнитные ленты, считывания информации, записанной магнитными чернилами. В магниторезистивной головке-градиометре, содержащей подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре ряда последовательно соединенных такими же перемычками в каждом плече мостовой схемы тонкопленочных магниторезистивных полосок, содержащих каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка, первый изолирующий слой поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок, на котором сформирован проводник управления с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками вдоль каждого их ряда и соединенных в виде меандра, второй изолирующий слой, планарная катушка, рабочие части которой расположены вдоль оси легкого намагничивания, и защитный слой, при этом все четыре ряда тонкопленочных магниторезистивных полосок расположены в один ряд, а ближайший к краю наноэлемента ряд тонкопленочных магниторезистивных полосок удален от трех остальных рядов тонкопленочных магниторезистивных полосок на расстояние не менее десяти периодов повторения этих рядов, проводник управления расположен одинаковым образом во всех четырех рядах тонкопленочных магниторезистивных полосок. В тонкопленочных магниторезистивных полосках между ферромагнитной пленкой и верхним защитным слоем могут быть расположены разделительный высокорезистивный слой и дополнительная ферромагнитная пленка. Изобретение обеспечивает создание магниторезистивной головки-градиометра на основе многослойной металлической наноструктуры с планарным протеканием сенсорного тока, имеющей линейную вольт-эрстедную характеристику и позволяющей измерять локальные магнитные поля на больших площадях, не реагируя на действующее на нее однородное магнитное поле. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии и может быть использовано в датчиках перемещений, устройствах измерения электрического тока и магнитных полей. Магниторезистивный датчик содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными проводящими перемычками тонкопленочные магниторезистивные полоски с полюсами Барбера. Два плеча моста Уинстона содержат подгоночные сопротивления в виде параллельных магниторезистивных полосок, соединенных в параллель. Подгоночное сопротивление содержит проводник, параллельный его магниторезистивным полоскам и соединенный с ними проводящими перемычками, расположенными на одинаковом расстоянии друг от друга, определяемом минимальным шагом подгонки. Направление перемычек совпадает с направлением полюсов Барбера. Изобретение обеспечивает упрощение процесса компенсации технологического разбаланса мостовой схемы и получение датчика с уменьшенными размерами. 1 ил.

Линейный магниторезистивный датчик относится к средствам регистрации магнитных полей и может быть использован в контрольно-измерительной аппаратуре: тахометрах, датчиках перемещений, устройствах измерения постоянного и переменного магнитных полей. Линейный магниторезистивный датчик содержит 2(N+1) (N=0, 2, 3...) пары многослойных тонкопленочных магниторезистивных полосок, изготовленных из ферромагнитных материалов с анизотропным магнито-резистивным эффектом, при этом пары магниторезистивных полосок соединены в две ветви, по (N+1) последовательно включенных пар полосок. Ветви имеют одну общую точку заземления. В каждой паре полосок одна полоска имеет продольную ось легкой намагниченности (ОЛН), ориентированную вдоль длины полоски, а вторая полоска имеет поперечную ОЛН, ориентированную вдоль ширины полоски. Магниторезистивные полоски с поперечной ОЛН в парах первой ветви и магниторезистивные полоски с продольной ОЛН в парах второй ветви имеют магнитное смещение одной полярности, а полоски с продольной ОЛН в первой ветви и полоски с поперечной ОЛН во второй ветви имеют магнитное смещение противоположной полярности. Изобретение обеспечивает получение датчика магнитного поля, имеющего нечетную, S-образную (линейную) статическую вольт-эрстедную характеристику и повышенную чувствительность к магнитному полю. 5 ил.

Изобретение относится к области магнитных наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. Техническим результатом является создание магниторезистивного порогового наноэлемента на основе тонкопленочной многослойной наноструктуры с планарным протеканием сенсорного тока, обладающего малыми токами управления. Сущность изобретения: в магниторезистивном пороговом наноэлементе, содержащем подложку с расположенным на ней первым изолирующим слоем, на котором размещена остроконечная многослойная магниторезистивная полоска, содержащая первый защитный слой, магнитомягкую пленку, второй защитный слой, поверх остроконечной многослойной магниторезистивной полоски расположен второй изолирующий слой с нанесенным на него проводником управления, а также третий изолирующий слой, рабочая часть проводника управления расположена поперек длинной стороны остроконечной многослойной магниторезистивной полоски, а ось легкого намагничивания магнитомягкой пленки направлена вдоль длинной стороны остроконечной многослойной магниторезистивной полоски. 3 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области магнитных измерений. Сущность: магниторезистивная слоистая система содержит магниторезистивную многослойную структуру, работа которой основана на гигантском магниторезистивном (ГМР) эффекте или на анизотропном магниторезистивном (АМР) эффекте. Рядом с магниторезистивной многослойной структурой предусмотрена слоистая структура, которая создает магнитное поле, действующее на магниторезистивную многослойную структуру. Слоистая структура имеет по меньшей мере один слой из магнитотвердого материала и один слой из магнитомягкого материала. Магниторезистивная слоистая система используется в слоистом чувствительном элементе, прежде всего для определения напряженности и/или направления магнитных полей. Технический результат: повышение напряженности магнитного поля рассеяния с одновременным увеличением коэрцитивной силы, возможность простого и экономичного получения, малая толщина, усиление ГМР- или АМР-эффекта, повышение чувствительности. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещений, устройствах измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока. Магниторезистивный датчик включает минимум один чувствительный элемент, расположенный на диэлектрической подложке, выполненный из многослойной магнитной пленки, состоящей из чередующихся слоев ферромагнитного и неферромагнитного металлов с толщиной нанометрового диапазона, при этом каждый слой ферромагнитного металла выполнен дискретным и состоит из ферромагнитных частиц - кластеров из Fe или Со или Ni или из магнитных сплавов на их основе, а толщина каждого слоя из неферромагнитного металла меньше длины свободного пробега электронов проводимости, но не менее 7Å. В качестве неферромагнитного металла применяют переходный металл, атомы которого находятся в обменной связи с атомами кластеров ферромагнитного металла, для обеспечения многослойной магнитной пленке суперпарамагнитных свойств и Кондо-подобного эффекта. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика в области низких температур, уменьшение зависимости выходного сигнала датчика от его ориентации относительно направления магнитного поля, расширение диапазона рабочих магнитных полей вплоть до сильных (100 кЭ). 4 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока. Датчик содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре ряда линейно расположенных последовательно соединенных этими перемычками тонкопленочных магниторезистивных полосок, с верхним и нижним защитными слоями. Первый изолирующий слой поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок, на котором сформирован проводник управления с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками вдоль каждого их ряда перпендикулярно оси легкого намагничивания, второй изолирующий слой, планарная катушка, рабочие части которой расположены вдоль оси легкого намагничивания, и защитный слой. В двух соседних рядах тонкопленочные магниторезистивные полоски ориентированы под углом 45° относительно оси легкого намагничивания, а в двух других соседних рядах тонкопленочные магниторезистивные полоски ориентированы под углом -45° относительно оси легкого намагничивания. Противоположными плечами мостовой схемы являются два внешних и два внутренних ряда магниторезистивных полосок. Датчик согласно изобретению имеет симметричную угловую вольт-эрстедную характеристику, что позволяет расширить область его применения. 3 ил.

Магниторезистивный датчик поля относится к средствам регистрации магнитных полей и может быть использован в контрольно-измерительной аппаратуре: тахометрах, датчиках перемещений, устройствах измерения постоянного и переменного магнитных полей. Техническим результатом изобретения является получение датчика магнитного поля, имеющего S-образную статическую вольт-эрстедную характеристику и пониженное энергопотребление. Сущность: датчик содержит тонкопленочные магниторезистивные полоски, соединенные в мостовую схему и имеющие оси легкого намагничивания. Вблизи полосок размещено четное число микромагнитов, оси намагниченности половины из которых направлены встречно осям намагниченности второй половины числа микромагнитов, и все они перпендикулярны осям легкого намагничивания полосок, которые направлены вдоль их длины. Микромагниты формируют магнитные поля в плоскости полосок. 3 ил.

Использование: в контрольно-измерительной аппаратуре - тахометрах, датчиках перемещений, устройствах измерения постоянного и переменного магнитных полей. Техническим результатом изобретения является получение датчика магнитного поля, имеющего S-образную статическую вольт-эрстедную характеристику и пониженное энергопотребление. Сущность: четыре идентичные магниторезистивные полоски, имеющие продольно ориентированные оси легкой намагниченности (ОЛН), соединены в мостовую схему. Мостовая схема охвачена двумя кольцеобразными пленочными магнитопроводами, формирующими с помощью микромагнитной системы две пары магниторезисторов с разной чувствительностью каждой из пар к величине и направлению регистрируемого магнитного поля. Две полоски одной ветви мостовой схемы и две полоски другой ветви размещены каждые в двух поперечных щелеобразных зазорах соответствующего кольцеобразного пленочного магнитопровода, лежащего в плоскости полосок. На поверхности кольцеобразных магнитопроводов расположена магнитная система, состоящая из одного общего и/или нескольких отдельных постоянных магнитов, имеющих оси намагниченности, параллельные ОЛН полосок. 2 ил.

Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока. Техническим результатом изобретения является получение магниторезистивного датчика с уменьшенными размерами, что позволит понизить стоимость датчика и расширит область его применения. Сущность изобретения: в магниторезистивном датчике все тонкопленочные магниторезистивные полоски ориентированны под углом 45° относительно оси легкого намагничивания, а рабочие части проводника управления соединены в виде меандра. 4 ил.

Изобретение относится к области элементов автоматики и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока. Техническим результатом изобретения является создание магниторезистивного датчика с синусоидальной зависимостью напряжения считывания от угла и тем самым расширение области применения датчиков. Сущность: в магниторезистивном датчике, содержащем подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками тонкопленочные магниторезистивные полоски с ориентированной вдоль них осью легкого намагничивания, изолирующий слой поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок, на котором над тонкопленочными магниторезистивными полосками вдоль них расположен проводник управления, и защитный слой. Каждое плечо мостовой схемы состоит из четного числа тонкопленочных магниторезистивных полосок. Все тонкопленочные магниторезистивные полоски, образующие мостовую схему, расположены в виде единого планарного столбца, и смежными концами последовательно соединены между собой. Концы крайних в планарном столбце тонкопленочных магниторезистивных полосок посредством немагнитной низкорезистивной перемычки соединены между собой. Проводник управления состоит из двух контактных площадок, вспомогательных участков, рабочих участков, расположенных над каждой тонкопленочной магниторезистивной полоской вдоль нее. При этом две контактные площадки соединены вспомогательными участками с верхними рабочими участками верхнего и нижнего плечей мостовой схемы, рабочих участков, соединенных между собой вспомогательными участками таким образом, что верхние рабочие участки верхнего плеча двух соседних пар плеч мостовой схемы соединены с нижним рабочим участком нижнего плеча, а нижние рабочие участки верхнего плеча соединены с верхними рабочими участками нижнего плеча. Нижний рабочий участок нижнего плеча верхней пары плеч соединен вспомогательным участком с верхним рабочим участком верхнего плеча нижней пары плеч. Второй конец верхнего рабочего участка нижнего плеча верхней пары плеч соединен со вторым концом нижнего рабочего участка верхнего плеча нижней пары плеч. Второй конец нижнего рабочего участка верхнего плеча верхней пары плеч мостовой схемы соединен с нижним рабочим участком нижнего плеча нижней пары плеч мостовой схемы. Возможен вариант, когда плечи мостовой схемы расположены планарно двумя столбцами по два плеча. 2 с.п. ф-лы, 7 ил.