Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов, способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки этих приборов или их частей: .выбор материалов – H01L 43/10

Изобретение относится к разработке новых материалов с магнитным состоянием спинового стекла - системы с вырожденным основным магнитным состоянием, которые могут быть полезны для химической, атомной промышленностей и развития магнитных информационных технологий. Способ получения самарийсодержащего спин-стекольного магнитного материала включает приготовление шихты из выдержанных при температуре 105°С оксидов Fe₂O₃ , Sm₂O₃ и ТiO₂, формирование таблеток под давлением около 10 кбар и их спекание методом твердотельной реакции. Спекание осуществляют в три этапа: на первом при температуре 1200°С в течение 24 час, на втором и третьем при температуре 1250°С в течение 24 часов, с нагревом печи со скоростью 150 град/час. После завершения каждого этапа синтеза таблетки вновь перетирают, прессуют и помещают в печь. Техническим результатом изобретения является получение материала, обладающего магнитным состоянием спинового стекла. 2 табл., 1 ил.

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным (МР) эффектом. В многослойной тонкопленочной магниторезистивной наноструктуре, содержащей первый защитный слой, на котором расположена первая и вторая магнитомягкие пленки, поверх которой размещен второй защитный слой, между первой и второй магнитомягкими пленками расположен полупроводниковый разделительный слой, компонентом которого является кремний. Толщина этого разделительного слоя достаточна для устранения обменного взаимодействия между первой и второй магнитомягкими пленками. Полупроводниковый слой может быть выполнен, в частности, из карбида кремния. Изобретение обеспечивает получение многослойной МР наноструктуры, имеющей зависящее от внешнего магнитного поля поле перемагничивания входящих в нее магнитомягких пленок, что расширяет функциональные возможности наноструктуры. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Использование: в полупроводниковых датчиках магнитного поля. Сущность изобретения: датчик магнитного поля включает в себя полупроводниковый элемент датчика с активной областью, в которой в ходе работы формируется сигнал в ответ на магнитное поле. Полупроводниковый элемент находится, по крайней мере частично, в режиме беспримесной проводимости при отсутствии смещения и при нормальной рабочей температуре. Элемент содержит переход, который является смещаемым для уменьшения беспримесной проводимости в активной области и ограничения носителей заряда преимущественно только одним типом в соответствии с насыщенным примесным режимом и включает в себя средство для детектирования сигнала, сформированного в активной области в ответ на приложенное магнитное поле. Техническим результатом изобретения является повышение точности измерения за счет того, что чувствительность к измерению магнитного поля по существу не зависит от температуры датчика. 2 н. и 25 з.п. ф-лы, 16 ил., 3 табл.