Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов, способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки этих приборов или их частей: .способы или устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов или их частей – H01L 43/12

Изобретение относится к области магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков перемещений, устройств измерения электрического тока и магнитных полей, при изготовлении датчиков угла поворота, устройств с гальванической развязкой, магнитометров, электронных компасов и т.п. Технический результат: повышение эксплуатационной надежности датчика, повышение выхода годных, возможность получения датчиков с высокими характеристиками на подложках из кремния, керамики, стекла. Сущность: магниторезистивные полоски моста Уинстона формируют путем вакуумного напыления магниторезистивной структуры «Cr-FeNi (FeNiCo)-Ta-FeNi (FeNiCo)» с последующим формированием рисунка методом фотолитографического травления. В качестве изоляционных слоев, нанесенных на сформированный мост Унистона и проводящий слой, из которого формируют катушку индуктивности, используют полиимидный лак, имидизацию которого проводят путем нагрева в вакууме при приложении магнитного поля, направленного в плоскости подложки вдоль оси легкого намагничивания магниторезистивных полосок. 3 ил.

Изобретение может быть использовано при изготовлении постоянных запоминающих энергонезависимых устройств с высокой плотностью и малой мощностью. Способ изготовления устройства с магнитным туннельным переходом включает формирование канавки в подложке; нанесение структуры с магнитным туннельным переходом (MTJ) внутри канавки, причем MTJ структура включает в себя нижний электрод, фиксированный слой, туннельный барьерный слой, свободный слой и верхний электрод; и применение процесса оборотного фототравления для удаления материала, который непосредственно не выступает из канавки, выравнивание MTJ структуры без выполнения процесса фототравления на MTJ структуре. Также предложены еще два варианта данного способа. Изобретение обеспечивает упрощение процесса изготовления, а также исключение эрозии подложки, скругления углов и нежелательного смыва пленки. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 25 ил.

Изобретение может быть использовано в магниторезистивном оперативном запоминающем устройстве (MRAM) в качестве интегрированной магнитной памяти или в тонкопленочной магнитной головке, а также в многокамерном устройстве для изготовления элемента с магниторезистивным эффектом. Способ изготовления элемента с магниторезистивным эффектом включает первый этап: получение элемента с магниторезистивным эффектом, содержащего магнитную пленку и подложку; второй этап: травление заданной области магнитной пленки методом реактивного ионного травления в присутствии атома водорода и атома кислорода, активированных плазмой; третий этап: воздействие на магнитную пленку, прошедшую второй этап, плазмы с плотностью ионного тока не более 4×10^-7 А/см², при этом третий этап включает в себя этап создания плазмы, на котором создают плазму при подаче восстановительного газа, этап удаления, на котором удаляют ионы и электроны из плазмы, созданной на этапе создания плазмы, посредством пропускания этой плазмы через первый элемент, имеющий множество сквозных отверстий, и этап воздействия, на котором подвергают магнитную пленку воздействию плазмы, которая отрегулирована до упомянутой плотности ионного тока благодаря этапу удаления и преимущественно содержит радикал, тем самым восстанавливая атом кислорода, связанный с магнитной пленкой. Изобретение позволяет предотвратить ухудшение магнитных характеристик многослойной магнитной пленки, имеющей поврежденный слой, и изготовить высококачественные элементы с магниторезистивным эффектом. 6 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение может быть использовано для измерения постоянного и переменного магнитного поля. В способе согласно изобретению после нанесения защитного слоя на первую магниторезистивную наноструктуру производится травление защитного слоя и первой магниторезистивной наноструктуры на той части подложки, на которой напыляется вторая магниторезистивная наноструктура с перпендикулярным, относительно первой магниторезистивной наноструктуры, направлением оси легкого намагничивания. Затем напыляется в перпендикулярном, относительно направления при напылении первой магниторезистивной наноструктуры, постоянном магнитном поле вторая магниторезистивная наноструктура. После чего производится травление второй магниторезистивной наноструктуры на поверхности защитного слоя с последующим селективным травлением защитного слоя. Техническим результатом изобретения является создание способа изготовления магниторезистивных датчиков магнитного поля с перпендикулярно направленными осями легкого намагничивания на одной подложке, что позволит расширить область их применения. 5 ил.