Приборы на твердом теле, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, не имеющие потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера, например диэлектрические триоды; приборы с эффектом Овшинского; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки вышеуказанных приборов или их частей – H01L 45/00

Изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники. Мемристорные устройства являются устройствами энергонезависимой памяти и могут быть использованы для создания компьютерных систем на основе архитектуры искусственных нейронных сетей. Данное устройство состоит из активного слоя, расположенного между двумя токопроводящими слоями, находящегося с ними в электрическом контакте. Активный слой обладает свойством резистивного переключения и представляет собой двухслойную оксидную структуру HfAl_xO_y /HfO₂. Слой HfAl_xO_y имеет высокую растворимость и высокую равновесную концентрацию кислородных вакансий, а HfO₂ является слоем с низкой растворимостью вакансий. Токопроводящие слои выполнены их нитрида титана или нитрида вольфрама. На границе раздела HfO₂/TiN наносится сверхтонкий слой оксида рутения толщиной не менее 0.5 нм. Изобретение обеспечивает повышение стабильности режимов переключения сопротивления в низко- и высокоомное состояние, снижение напряжения переключения, высокую технологическую совместимость с существующими процессами производства кремниевых микросхем. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к способам формирования квантовых коллективных возбуждений спиновой плотности и плотности намагниченности в графеновых пленках и может быть использовано в квантовой наноэлектронике, спинтронике, системах обработки и хранения информации терагерцового диапазона. Согласно изобретению, на предварительно выделенную рабочую область графеновой пленки линейным размером 2000 нм, разделенную на участки размером 50-100 нм, воздействуют импульсным переменным магнитным полем, частотой 3 терагерца, что соответствует переходу с основного энергетического уровня, соответствующего невозбужденному состоянию спиновой плотности, на четвертый рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности. По краям рабочей области формируют пространственно локализованное внешнее магнитное поле, резонансно отражающее спиноны рабочей частоты 0.5-1 терагерц, соответствующей переходу с третьего рабочего на второй рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности, при прохождении рабочей области вызывающие стимулированное вынужденное когерентное излучение спиновых волн рабочей частоты. Изобретение позволяет достичь увеличения времени жизни и длины распространения спиновых импульсов в графеновой пленке.

Настоящее изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов. Такие мемристорные устройства со стабильными и повторяемыми характеристиками могут быть использованы для создания компьютерных систем на основе аналоговой архитектуры искусственных нейронных сетей. Данное устройство состоит из активного слоя, расположенного между двумя токопроводящими слоями, находящегося с ними в электрическом контакте и представляющего собой оксид типа АВО_х, где элемент В является титаном, или цирконием, или гафнием, а элемент А - трехвалентным металлом с ионным радиусом, равным 0,7-1,2 ионного радиуса титана, или циркония, или гафния. Если элемент В является титаном, то в качестве А выбирают алюминий или скандий, если элемент В является цирконием или гафнием, то в качестве А выбирают скандий, или иттрий, или лютеций. Повышение стабильности и повторяемости напряжения переключения, сопротивления в низко- и высокоомном состояниях является техническим результатом предложенного изобретения. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области электроники. Усилитель СВЧ магнитоэлектрический согласно изобретению содержит микрополосковую диэлектрическую подложку с установленным на ней элементом преобразования энергии, в котором для усиления СВЧ сигнала в конструкции микрополоскового резонатора расположен магнитоэлектрический планарный элемент, работающий в области магнитоакустического резонанса, установленный в микрополосковую подложку и расположенный под микрополосковым резонатором с размером 1/2 длины волны усиливаемого сигнала и с двумя шлейфами 1/8 и 3/8 длины волны усиливаемого сигнала, соединенный с одной стороны через полосно-пропускающий фильтр частоты накачки с входом генератора накачки, а с другой стороны через полосно-пропускающий фильтр частоты усиливаемого сигнала и циркулятор - со входом и выходом СВЧ сигнала, постоянный магнит расположен около магнитоэлектрического элемента. Изобретение обеспечивает возможность усиления СВЧ сигналов наиболее простым и дешевым способом, а также уменьшить габариты изделия, улучшить технологичность. 4 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть использовано в качестве переключающего элемента (ключа) или управляемого конденсатора в интегральных микросхемах, работающих, в том числе, на частотах выше 10 ГГц. Трехэлектродный высокочастотный полупроводниковый прибор включает полупроводниковый эпитаксиальный слой на подложке и размещенные на нем два контакта высокочастотного тракта и один управляющий контакт. Контакты в высокочастотном тракте выполнены в виде контактов Шоттки, а управляющий контакт выполнен омическим и расположен вне пространства между контактами в высокочастотном тракте. Изобретение значительно упрощает конструкцию и технологию изготовления прибора при одновременном обеспечении возможности работы в качестве управляемого конденсатора. 2 ил.