Приборы на твердом теле, не предусмотренные в группах ,27/00: .тонкопленочные или толстопленочные приборы – H01L 49/02
Патенты в данной категории
| СТРУКТУРА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ, ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, ИСПОЛЬЗУЮЩИЙ СТРУКТУРУ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА ПЛЕНКИ, И ПЕЧАТАЮЩАЯ ГОЛОВКА ДЛЯ СТРУЙНОЙ ПЕЧАТИ
Изобретение относится к пленочным элементам и устройствам на их основе. Сущность: структура содержит подложку и диэлектрическую пленку, размещенную на подложке. Пленка имеет ориентацию в плоскости (001) по отношению к подложке. Диэлектрическая пленка характеризуется уравнением u=(Cc/Ca )×(Wa/Wc), где u - действительное число больше 2; Сс - интенсивность пика от плоскости (001') диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; 1' - целое число, выбранное таким образом, чтобы значение Сс достигало максимума; С а - интенсивность пика от плоскости (h'00) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения; h' - целое число, выбранное таким образом, чтобы значение Сс достигало максимума; W c - ширина пика на половине высоты от плоскости (001') диэлектрической пленки при измерении кривой качания дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; Wa - ширина пика на половине высоты от плоскости (h'00) диэлектрической пленки при измерении кривой качания дифракции рентгеновских лучей. Технический результат: улучшение диэлектрических, пьезоэлектрических и других свойств. 9 н. и 6 з.п. ф-лы, 18 табл., 6 ил. |
2335826 патент выдан: опубликован: 10.10.2008 |
|
| ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОЕ УСТРОЙСТВО
Изобретение относится к электролюминесцентным устройствам. Сущность изобретения: электролюминесцентное устройство содержит подложку, по меньшей мере два электрода, расположенных на указанной подложке, по меньшей мере трехмерный перколяционный слой, расположенный на указанной подложке между указанными электродами и имеющий металлическую мезопористую структуру, определяющую множество полостей микрометрических или нанометрических размеров. Полости трехмерного перколяционного слоя содержат множество люминесцентных включений, которые испускают световое излучение при возбуждении их электронами, которые в результате эффекта туннелирования электронов проходят через указанный трехмерный перколяционный слой. Техническим результатом изобретения является создание электролюминесцентного устройства, способного конкурировать с такими традиционными электролюминесцентными устройствами, как светодиод и оптрон как с точки зрения себестоимости, так и с точки зрения рабочих показателей. 16 з.п. ф-лы, 4 ил. |
2295175 патент выдан: опубликован: 10.03.2007 |
|
| ПОРИСТАЯ ПЛЕНКА ИЗ ПОЛИПАРАКСИЛИЛЕНА И ЕГО ЗАМЕЩЕННЫХ, СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С ЕЁ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ Изобретение относится к получению пористых пленок из полипараксилилена и его замещенных, имеющим низкую диэлектрическую константу и высокую термостойкость, и полупроводниковому прибору, в котором эта пленка используется в качестве изолирующего слоя. Пористые пленки получают сублимацией циклического димера параксилилена или его замещенных при 30-160oС до образования газообразного димера с последующим пиролизом полученного сублимата от более 800oС до 950oС при скорости потока циклического димера из зоны сублимации в зону пиролиза до 0,009 г/мин и конденсацией с одновременной полимеризацией на подложке полученного параксилилена или его замещенных при (-40oС)-(+25oС) в зоне полимеризации. Процесс проводят при давлении 0,001-0,1 мм рт.ст. с последующей термообработкой полученного полипараксилилена или его замещенных путем ступенчатого нагрева при температуре 200 - 400oС с чередованием нагрева и выдержки при постоянной температуре в шесть стадий при давлении 0,001-0,1 мм рт. ст. или в инертной атмосфере. Полученная пористая пленка содержит 10-50 об.% пор и используется в полупроводниковом приборе. Прибор выполняют из полупроводникового элемента, на поверхности которого формируют слоями тонкую металлическую пленку разводки первого слоя, изолирующую пористую пленку из полипараксилилена или его замещенных, пленку окиси кремния и металлическую пленку разводки второго слоя, электрически соединенную с пленкой разводки первого слоя через сквозные отверстия. Вариант выполнения полупроводникового прибора предусматривает формирование слоев, образующих многослойную разводку на подложке. Изобретение позволяет получить пористые пленки с низкой диэлектрической константой и высокой термостойкостью. 4 с. и 5 з.п.ф-лы, 3 ил. | 2218365 патент выдан: опубликован: 10.12.2003 |
|
ПЛЕНКА ИЗ ПОЛИ (  ,, ,- ТЕТРАФТОРПАРАКСИЛИЛЕНА), СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ
Изобретение относится к изолирующим пленкам, которые применяются в области электроники и электронных приборов, к процессу получения этих пленок и к полупроводниковому прибору, в котором эта пленка применяется. Пленку из поли( ,, ,-тетрафторпараксилилена) получают сублимацией октафторпарациклофана при 30-70oС и давлении 0,001-0,1 мм рт.ст. до образования газообразного продукта с последующим пиролизом при 680-770oС и скорости потока из зоны сублимации в зону пиролиза до 0,0060 г/мин, конденсацией с одновременной полимеризацией на подложке полученного в зоне пиролиза ,,,-тетрафторпараксилилена при (-40)-(+20)(С и скорости формирования полимерного слоя 0,26-0,29 мкм/мин. Далее осуществляют термообработку полученной пленки путем ступенчатого нагрева при температуре 200-400oС с чередованием нагрева и выдержки при постоянной температуре в шесть стадий при давлении 0,001-0,1 мм рт.ст. в инертной атмосфере или на воздухе. Пленка имеет значения диэлектрической константы не более 2,5 и потери массы менее чем 0,05% после, по крайней мере, около 1 часа нагрева при температуре около 400oС. Пленка по изобретению используется в полупроводниковом приборе. Прибор выполняют из полупроводниковой подложки, на поверхности которой формируют первый слой межсоединений, изолирующую пленку из поли(,,,-тетрафторпараксилилена), пленку из окиси кремния и второго слоя межсоединений, электрически соединенного с первым слоем межсоединений через сквозные отверстия в пленке из окиси кремния и изолирующей пленке. Изобретение позволяет получить полимерную пленку, имеющую низкую диэлектрическую константу и высокую термостойкость. 3 с. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
2218364 патент выдан: опубликован: 10.12.2003 |
|
| СПОСОБ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ГАЗОВЫХ СМЕСЕЙ Изобретение относится к способам анализа смесей газов с целью установления их количественного и качественного состава и может быть использовано в газовых сенсорах. Способ реализуется путем генерирования и измерения термоЭДС в электрической цепи с адсорбционным газочувствительным элементом и заключается в том, что температуру "горячего" контакта поддерживают на уровне чувствительности газочувствительного элемента к детектируемому газу и контролируют градиент температуры между "горячим" и "холодным" контактами, при этом существенно, что в качестве адсорбционного газочувствительного элемента используется слой тонкопленочного полупроводникового материала с планарными пленочными контактами. Способ позволяет уменьшить толщину и объем газочувствительного элемента при существенном увеличении градиента температуры, что обеспечивает повышение чувствительности, быстродействие сенсора, а также снижает дрейф показаний и релаксационные явления. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. | 2146816 патент выдан: опубликован: 20.03.2000 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕРМОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ Использование: измерительная техника в датчиках температуры с электрическими выходными сигналами постоянного тока или напряжения. Сущность изобретения: полупроводниковый термопреобразователь сопротивления содержит монокристаллическую сапфировую подложку, на поверхности которой сформирован терморезистор из монокристаллического слоя кремния. Сапфировая подложка другой поверхностью соединена с основанием из титанового сплава. Термонезависимый резистор подключен параллельно к терморезистору и расположен на общей с ним поверхности сапфировой подложки. При выбранной концентрации носителей тока в монокристаллическом кремниевом терморезисторе и величине сопротивления термонезависимого резистора обеспечивается лианеризация с высокой точностью рабочей характеристики термопреобразователя в широком интервале температур. Техническим результатом изобретения является создание высокоточного полупроводникового термопреобразователя сопротивления для работы в широком интервале изменения температуры от -200 до +500°С, обладающего практически линейной градуировочной характеристикой. 2 з.п. ф-лы, 4 ил. | 2145135 патент выдан: опубликован: 27.01.2000 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО ДАТЧИКА Использование: технология изготовления интегральных датчиков. Сущность: способ изготовления интегрального датчика, использующего в качестве чувствительного элемента поликремниевую поверхностную микромеханическую структуру, включает в себя формирование на монокристаллической кремниевой подложке соединений между поликремниевой структурой и схемой путем осаждения слоя высоколегированного поликремния, фотолитографии и травления, формирование поликремниевой структуры на опорном слое, ее термообработку при температуру 1100 - 1200oC, формирование активных элементов схемы, металлизации, пассивации и удаление опорного слоя. Технический результат изобретения состоит в увеличении чувствительности к механическому воздействию. 3 ил. | 2123220 патент выдан: опубликован: 10.12.1998 |
|
| СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике. Сущность: на поверхность образца наносят монослой амфифильных молекул (пленка Лэнгмюра-Блоджетт), в состав полярных головок которых входят химические элементы или соединения, пленку из которых требуется получить, затем термическим, оптическим или химическим воздействием удаляют гидрофобный углеводородный хвост амфифильной молекулы. Число монослоев в точности равно числу повторения указанной операции. | 2102814 патент выдан: опубликован: 20.01.1998 |
|