Устройства связи типа волноводов: ...волноводно-полосковые переходы – H01P 5/107

МПКРаздел HH01H01PH01P 5/00H01P 5/107
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01P Волноводы; резонаторы, линии или другие устройства типа волноводов
H01P 5/00 Устройства связи типа волноводов
H01P 5/107 ...волноводно-полосковые переходы

Патенты в данной категории

УСТРОЙСТВО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЕРЕДАЧИ МИЛЛИМЕТРОВЫХ ВОЛН И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СПОСОБ И УСТРОЙСТВО БЕСПРОВОДНОЙ ПЕРЕДАЧИ

Изобретение относится к электронным устройствам с множеством печатных плат, использующим опорный элемент, поддерживающий печатные платы, как канал передачи беспроводного сигнала.

Технический результат - упрощение устройства и уменьшение его размеров. Электронное устройство содержит первую печатную плату для обработки сигнала волны миллиметрового диапазона, вторую печатную плату, сигнально соединенную с первой печатной платой для приема сигнала волны миллиметрового диапазона и обработки полученного сигнала, и волновод, имеющий заданную диэлектрическую проницаемость, расположенный между печатными платами, в котором волновод образует диэлектрический канал передачи и поддерживает печатные платы. При использовании такой конфигурации возможно принять электромагнитную волну, основанную на сигнале волны миллиметрового диапазона и излученную на одном конце волновода, образующего диэлектрический канал передачи на другом его конце. 4 н. и 16 з.п. ф-лы, 20 ил., 2 табл.

2471270
патент выдан:
опубликован: 27.12.2012
СПОСОБ АМПЛИТУДНОЙ И ФАЗОВОЙ МОДУЛЯЦИИ СВЧ-СИГНАЛА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ ЭТОГО СПОСОБА

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к способам амплитудной и фазовой модуляции СВЧ-диапазона, и может быть использовано для формирования сигналов сложной формы (например, возбуждения ТЕМ волны) и модуляции в различных трактах СВЧ - измерительных, передающих, приемных и для реализации новых видов РЛС. Технический результат предлагаемого решения заключается в осуществлении одновременной фазовой и амплитудной модуляции на одном элементе управления, исключении фазовых ошибок и уменьшении вносимых потерь. В способе амплитудной и фазовой модуляции СВЧ-сигнала, основанном на дискретном переключении напряжения смещения на двух группах управляющих полупроводниковых приборов при прохождении через них из прямоугольного волновода СВЧ-волны Н10, в котором возбуждают ТЕМ-волну над или под центральным проводником симметричной полосковой линии выходного волновода, используя естественное различие структуры электромагнитных полей прямоугольного волновода и симметричной полосковой линии, для изменения сдвига фазы на 180° путем переключения напряжения смещения разных знаков на двух группах управляющих полупроводниковых приборов дискретно на противоположные. Для амплитудной модуляции плавно или дискретно изменяют величину напряжения смещения на одной из групп управляющих полупроводниковых приборов. Устройство амплитудной и фазовой модуляции СВЧ-сигнала содержит входной прямоугольный волновод, щелевую диафрагму с резонансными узлами связи и управляющими полупроводниковыми приборами, размещенными симметрично по обеим сторонам резонансных узлов связи. Щелевая диафрагма установлена на стыке соосно расположенных прямоугольного волновода и симметричной полосковой линии, размещенной в согласующем волноводе длиной l~(0,25-0,5)g и выходном прямоугольном волноводе. Центральный проводник симметричной полосковой линии подключен к центру щелевой диафрагмы, разделяющему резонансные узлы связи симметрично по разные стороны от него, причем широкая стенка выходного волновода скачкообразно уменьшена от согласующего волновода до величины где a, b -широкая и узкая стенки выходного волновода соответственно, о, g - длина волны в свободном пространстве и в согласующем волноводе соответственно, - толщина подложки, - диэлектрическая проницаемость подложки. В резонансных узлах связи щелевой диафрагмы выполнены углубления, в которых закреплены диэлектрические пластины с контактными площадками, при этом боковые контактные площадки связаны с однополярными электродами управляющих полупроводниковых приборов и подключены к корпусу щелевой диафрагмы, а центральная соединена со вторыми входами управляющих полупроводниковых приборов и связана с устройством управления. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 5 ил.

2236724
патент выдан:
опубликован: 20.09.2004
ВОЛНОВОДНО-ПОЛОСКОВОЕ ТУРНИКЕТНОЕ СОЕДИНЕНИЕ

Волноводно-полосковое турникетное соединение состоит из круглого волновода (KB), первого и второго экранов (Э), первой и второй диэлектрической пластин, четырех полосковых проводников (ПП), полоскового резонатора (ПР), согласующих устройств (СУ), четырех сегментов (С). ПП и ПР образуют крестообразное соединение с ПР в центре креста (ЦК). KB расположен перпендикулярно к Э. Ось KB проходит через ЦК креста и центр отверстия на первом Э. (С) расположены между Э с образованием отрезка KB с пазами. ПП проложены в пазах. Может применяться как согласованный четырехплечий разветвитель мощности в системах, использующих полосковые линии передачи, но питаемые круглым волноводом. Техническим результатом является обеспечение непосредственного соединения выпускаемых промышленностью конверторов с плоскими антеннами, применяемыми в системах для приема телевизионных сигналов со спутников. 4 з.п.ф-лы, 23 ил.

2234170
патент выдан:
опубликован: 10.08.2004
ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА КВЧ ДИАПАЗОНА

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в приемных и передающих устройствах КВЧ диапазона, в частности в малошумных усилителях. Техническим результатом является снижение входных и выходных потерь КВЧ сигнала и расширение рабочего диапазона частот. Микрополосковая линия с односторонней металлизацией изготовлена на подложке толщиной o/100<h<o/30, а лицевая металлизация в области волноводного окна имеет специальную конфигурацию в виде трех последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии. Приведены математические зависимости для расчета их длины и ширины. 1 табл., 1 ил.
2206940
патент выдан:
опубликован: 20.06.2003
ПЕРЕХОДНОЕ УСТРОЙСТВО ОТ ВОЛНОВОДА К ЭЛЕКТРОННОЙ СХЕМЕ, СПОСОБ МИНИМИЗАЦИИ УТЕЧКИ СИГНАЛОВ ИЗ ПЕРЕХОДА, ВОЛНОВОД- СИГНАЛЬНЫЙ ПРОВОДНИК И ПЕРЕХОДНОЕ УСТРОЙСТВО ПЕЧАТНОЙ ПЛАТЫ ДЛЯ МИНИМИЗАЦИИ УТЕЧКИ СИГНАЛОВ

Переходное устройство для РЧ волноводного сигнала, минимизирующее утечку на радиочастотах благодаря выполнению множества сквозных или глухих отверстий с электролитическим покрытием в печатной плате. Отверстия с покрытием расположены по окружности, центром которой является волноводный штырь перехода волновод - микропленочная линия. Каждое из отверстий соединено с заземляющей пластиной. Размер и взаимное расположение отверстий с покрытием создают барьер для утечки сигнала на радиочастотах в диапазоне 10,95 - 11,7 ГГц, а также обеспечивает величину импеданса перехода, близкую к характеристическому импедансу линии 50 Ом, что обеспечивает удовлетворительное согласование и минимальную утечку в материал платы. Это устройство может быть также использовано для минимизации утечки в переходах микропленка - микропленка с прохождением сквозь плату. Техническим результатом является уменьшение потерь сигнала. 3 с. и 7 з.п. ф-лы, 5 ил.
2141152
патент выдан:
опубликован: 10.11.1999
ВОЛНОВОДНО-КОПЛАНАРНЫЙ ПЕРЕХОД

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано при построении сложных миниатюрных трактов и устройств. Целью изобретения является уменьшение носимых потерь и повышение прочности конструкции. В волноводно-копланарном переходе, содержащем отрезки прямоугольного и П-образного волноводов и плавный переход от одного к другому в виде клинообразного гребня, электрически соединенного с токонесущим проводником копланарной линии, отрезок копланарной линии, размещенной на диэлектрической подложке, заземляющий проводник которой электрически соединен с металлическим корпусом волновода, между копланарной линией и П-образным волноводом с фланцем введены отрезок микрополосковой линии и его плавный переход к копланарной линии, а диэлектрическая подложка выполнена многослойной, с числом слоев не меньше двух, верхним и нижними, причем эффективная диэлектрическая проницаемость нижних слоев меньше эффективной диэлектрической проницаемости верхнего слоя в 3- 5 раз. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
2081482
патент выдан:
опубликован: 10.06.1997
Наверх