Лазеры, т.е. устройства для генерирования, усиления, модуляции, демодуляции или преобразования частоты, использующие стимулированное излучение электромагнитных волн с длиной волны большей, чем длина волны в ультрафиолетовом диапазоне: ....полупроводникового лазера, например инжекционного лазера – H01S 3/0941

Изобретение относится к лазерной технике. Твердотельный лазер дисковидной формы включает в себя матрицу (1) полупроводниковых лазеров накачки, резонатор с кристаллом (6) дисковидной формы и выходной линзой (8), ударно-струйную систему (10) охлаждения лазерного кристалла (6) и коллиматор (2) пучка накачки. Коллимированный свет накачки входит в фокусирующий резонатор, который содержит два параболических зеркала (4,5) и корректирующее зеркало (7), и многократно фокусируется на лазерный кристалл (6). В первом параболическом отражателе имеется одно или два входных отверстия (9) прямоугольной формы для света накачки. В случае наличия одного отверстия, его геометрический центр смещен вдоль быстрой оси матрицы полупроводниковых лазеров. В случае наличия двух отверстий, они распределены равномерно и симметрично вдоль медленной оси матрицы полупроводниковых лазеров. Технический результат заключается в упрощении конструкции и повышении мощности лазера. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано при создании коротковолновых источников когерентного излучения Твердотельный ап-конверсионный лазер включает ап-конверсионную лазерную среду, помещенную в оптический резонатор, и устройство накачки, включающее два полупроводниковых источника излучения на длинах волн 1 и 2 и волоконный модуль, расположенный таким образом, что оптические выходы обоих источников излучения накачки сопряжены с волоконным модулем, а фокусирующая система выполнена ахроматической на длинах волн 1 и 2 и расположена таким образом, что выход волоконного модуля сопряжен через нее с ап-конверсионной лазерной средой. Технический результат заключается в обеспечении возможности гомогенизации и высокой пространственной концентрации излучения накачки. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к лазерной технике, а именно к конструкциям твердотельных лазеров с накачкой лазерными диодами. Лазер состоит из резонатора, твердотельных активных элементов, поперечно накачиваемых излучением линеек лазерных диодов, и радиатора. Длина каждого активного элемента соразмерна длине излучающей области линейки лазерных диодов. Линейки лазерных диодов размещены параллельно оптической оси резонатора лазера, равномерно по окружности в плоскости поперечного сечения каждого активного элемента. Число линеек нечетно. Каждая из них независимо термостабилизирована с помощью термоэлемента Пельтье этой линейки, связанного с системой терморегулирования. Термоэлементы Пельтье имеют тепловой контакт с радиатором. Технический результат - увеличение средней мощности выходного излучения твердотельного лазера и обеспечение стабильности параметров этого излучения, улучшение пространственной однородности поперечного распределения выходного излучения и стабильности его параметров. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при работе с твердотельными, жидкостными и газовыми лазерами, применяемыми в лазерной технологии, системах передачи информации, медицине, в научных исследованиях. Формируют распределение инверсии в активном элементе лазера длиной 1 по направлению z, 0<1<z, с характерным размером входной апертуры а₀ по поперечной координате r, осуществляя селективную накачку активного элемента излучением в узкой спектральной области _р около длины волны , _р<<, в полосу поглощения среды в ИК, видимом или УФ диапазонах спектра. Пучок накачки с характерным поперечным размером r₀ и с радиусом кривизны волнового фронта проходит через апертуру системы концентрации энергии накачки и распространяется затем в активном элементе вдоль направления z, поглощаясь в активной среде и формируя распределение инверсии n(r,z). В качестве системы концентрации предлагается диафрагма с поперечным размером а, а<r₀<а₀, активный элемент размещают в зоне дифракции Френеля пучка на диафрагме так, что расстоянию z от диафрагмы до входной апертуры активного элемента соответствует целое число Френеля N=a ²/Z1, где Z=z/(z+), а длину активного элемента выбирают из соотношения 1a ²/N(N+l). Обеспечено увеличение плотности мощности накачки в активной среде в несколько раз. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.