Полупроводниковые лазеры: ..охлаждающие устройства – H01S 5/024
Патенты в данной категории
| МОЩНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР С НЕЛИНЕЙНОЙ МИКРОКАНАЛЬНОЙ СИСТЕМОЙ ОХЛАЖДЕНИЯ
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к производству СВЧ мощных арсенид-галлиевых дискретных приборов и интегральных микросхем, силовых гибридных модулей, компьютерных микросхем и плат, а также может быть использовано в оптоэлектронике для исследования, разработки и производства мощных полупроводниковых лазеров, лазерных полупроводниковых матриц и лазерных систем на их основе. Техническим результатом изобретения является улучшение качества лазерного излучения за счет достижения одинаковой температуры на плоскости кристалл-корпус по всей длине кристаллов (линеек лазерных диодов), работающих в непрерывном режиме. Мощная полупроводниковая лазерная матрица состоит из полупроводниковых кристаллов (линеек лазерных диодов), из микролинз, изолирующих прокладок, электродов и кулера или системы кулеров, в верхней контактной плоскости которых имеется система микроканалов для прохождения охлаждающей жидкости. Микроканалы в верхней контактной плоскости кулеров по всей длине кристаллов Lx выполнены с переменным сечением, изменяющимся в соответствии с нелинейным температурным профилем |
2399130 патент выдан: опубликован: 10.09.2010 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к конструкции полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком. Предложена конструкция лазера, в которой теплоотводы присоединены к кристаллу с двух сторон, причем теплоотвод со стороны подложки локально либо полностью примыкает непосредственно к эпитаксиальным слоям гетероструктуры, кроме того, теплоотводы могут выступать относительно выходного зеркала лазерного резонатора вдоль оси резонатора по направлению выхода излучения, грани теплоотводов между выступающими краями теплоотводов и выходным зеркалом лазера могут быть выполнены наклонными относительно оси резонатора, они могут быть выполнены в виде плоских, сферических или асферических зеркал. Технический результат: повышение мощности излучения лазера в непрерывном режиме или средней мощности в импульсном режиме генерации, а также повышение срока службы за счет повышения эффективности отвода тепла от активной области лазера и выходного зеркала лазерного резонатора. Предложенный полупроводниковый лазер может найти применение в качестве источника излучения высокой мощности в технологии, медицине, системах накачки твердотельных лазеров, системах связи, навигации, датчиках. 3 з.п. ф-лы, 4 ил. | 2153745 патент выдан: опубликован: 27.07.2000 |
|
| ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ НА ОСНОВЕ ЛИНЕЙКИ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ (ВАРИАНТЫ) Изобретение относится к области конструирования и применения полупроводниковых лазеров, в частности разработки излучателей на основе лазерных диодов, для сборки матриц лазерных диодов, используемых в качестве источника накачки мощных твердотельных лазеров. Модуль состоит из линейки лазерных диодов (ЛЛД) и прикрепленной к ней со стороны активного слоя теплоотводящей пластинки, содержащий встроенный микроканальный теплообменник, образованный профилированной выемкой (представляющей собой ряд эквидистантно расположенных прямых параллельных каналов одинакового прямоугольного сечения, ориентированных перпендикулярно продольной оси ЛЛД и разделенных ребрами одинаковой толщины), вырезанной в поверхности пластинки в пределах области ее контакта с активным слоем и герметично закрытой линейкой. При прокачке охлаждающей жидкости через этот микротеплообменник осуществляется ее прямой контакт с активным слоем линейки, который служит одной из стенок полости, тем самым производится непосредственный отвод тепла, выделяемого в активном слое в процессе излучения модуля. Возможна модификация конструкции, предусматривающая или заполнение каналов микротеплообменника вставками из микропористого проницаемого материала с каркасом из высокотеплопроводного материала, или замену решетки каналов слоем микрокапилляров. Технический результат: используемая схема охлаждения позволяет добиться интенсивного регулируемого теплоотвода при поддержании однородного распределения температуры в плоскости активного слоя и тем самым обеспечить высокие значения полной мощности, плотности и пространственной однородности потока излучения модуля. Размеры устройства позволяют использовать большую плотность упаковки при сборке матриц лазерных диодов. Изготовление устройства отличается высокой степенью технологичности и допускает автоматизацию его производства. 2 с. и 1 з.п. ф-лы, 4 ил. | 2150164 патент выдан: опубликован: 27.05.2000 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к конструкции полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом и электронным пучком. Для расширения спектральных диапазонов излучения мощных лазеров, изготовленных на основе напряженных гетероструктур, снижения поперечной расходимости их излучения и увеличения ресурса их работы предложена конструкция лазера на основе РО-ДГС с широким волноводом, в которой эмиттерные слои имеют переменный состав по толщине, причем ширина запрещенной зоны эмиттерных слоев плавно или ступенчато убывает по направлению к периферии слоев. Полупроводниковый лазер может найти применение в качестве источника излучения высокой мощности в технологии, медицине, системах накачки твердотельных лазеров, системах связи, навигации, датчиках. 2 ил. | 2147152 патент выдан: опубликован: 27.03.2000 |
|
T(Lx)IA кристаллов, при работе лазера в непрерывном режиме, с переменным шагом и в форме треугольников, вершина которых обращена в сторону лазерных диодов. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.