Полупроводниковые лазеры: ..электрическое возбуждение – H01S 5/042

Изобретение относится к квантовой электронике и электронной технике и может быть использовано в приборах со сканирующим световым лучом. Лазерная электронно-лучевая трубка выполнена в виде вакуумируемой колбы с выходным оптическим окном и имеет электронно-оптическую ось, вдоль которой последовательно расположены источник электронов, система электродов для формирования электронного пучка и активная пластина с высокоотражающим покрытием на первой своей поверхности, закрепленная на хладопроводящей подложке. Вне трубки размещены системы фокусировки и отклонения электронного пучка. В колбе размещены отражающие элементы в виде вогнутого отражателя с оптической осью и плоского отражателя, которые вместе с высокоотражающим покрытием формируют оптический резонатор лазерной электронно-лучевой трубки с активной пластиной внутри этого резонатора. Оптическое окно колбы является плоским отражателем с отражающим покрытием на внутренней поверхности, которое является высокоотражающим на части этой поверхности и частично пропускающим на остальной части поверхности для излучения активной пластины. Технический результат заключается в улучшении направленности и увеличении мощности сканирующего лазерного луча. 11 з.п. ф-лы, 3 ил.

Лазер на основе гетероструктуры включает волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами р- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую из квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор и полосковый омический контакт, под которым расположена область инжекции. В волноводном слое вне области инжекции выполнена легированная область, при этом фактор оптического ограничения замкнутой моды (ЗМ) в легированной области и концентрация свободных носителей заряда в легированной области удовлетворяют соотношению:

Лазер на основе гетероструктуры содержит волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами p- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую из квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор и полосковый омический контакт, под которым расположена область инжекции. В волноводный слой вне области инжекции введена область полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области. При этом фактор оптического ограничения замкнутой моды области упомянутого полупроводникового материала удовлетворяет соотношению:

Лазерный электронно-лучевой прибор включает электронную пушку, системы фокусировки и отклонения электронного пучка и лазерный экран. Экран включает плоскопараллельную полупроводниковую пластину с нанесенными на ее поверхности отражающими покрытиями. В состав прибора введены СВЧ отклоняющая система, расположенная между электронной пушкой и системой отклонения, и щелевая маска, выполненная из поглощающего электроны материала, расположенная на лазерном экране со стороны электронного пучка. Полупроводниковая пластина выполнена из полупроводниковых материалов с различной длиной волны генерируемого излучения в областях, расположенных по разные стороны произвольно взятой перемычки щелевой маски. Технический результат заключается в обеспечении возможности генерации синхронизированных пикосекундных импульсов лазерного излучения, по крайней мере, двух длин волн с возможностью сканирования лазерного излучения в пределах, определяемых размером лазерного экрана. 1 ил.

Полупроводниковый лазерный излучатель включает в себя лазерный кристалл с положительным и отрицательными электрическими выводами и узел электрического ввода со сформированной на диэлектрической подложке копланарной полосковой СВЧ-линии передачи. Лазерный кристалл подсоединяется к заземляющим проводникам копланарной полосковой СВЧ-линии отрицательными выводами, а другим выводом - к сигнальному проводнику той же копланарной полосковой СВЧ-линии передач. В лазерном кристалле положительный и отрицательные выводы выполнены на одной стороне с расположением вывода одной полярности между выводами другой полярности, лазерный кристалл установлен методом «перевернутого монтажа» и при помощи пайки закреплен на конце сформированной на диэлектрической подложке копланарной полосковой СВЧ-линии передачи. Копланарная полосковая СВЧ-линия передачи расположена под лазерным кристаллом так, чтобы совместить соответствующие выводы лазерного кристалла и сигнальную и заземляющие полоски копланарной полосковой СВЧ-линии передачи. Технический результат заключается в расширении полосы модуляции. 7 ил.

Лазер содержит генератор высоковольтных импульсов, передающую линию, камеру с электродами, полупроводниковую лазерную мишень. Мишень состоит из плоскопараллельной полупроводниковой пластины и диэлектрической подложки, имеющей одно или несколько отверстий. Диэлектрическая подложка и полупроводниковая пластина соединены между собой через диэлектрическую прослойку, которая применяется для исключения возможности пробоя в воздушном зазоре между поверхностями полупроводниковой пластины и диэлектрической подложки. Диэлектрическая постоянная подложки меньше диэлектрической постоянной полупроводниковой пластины. В лазере один электрод расположен со стороны полупроводниковой пластины, а второй выполнен подвижным, расположен со стороны диэлектрической подложки и имеет одно или несколько отверстий, соосных отверстиям в подложке. Технический результат заключается в обеспечении стабилизации положения генерирующей области, устранении возможности распространения разряда вдоль поверхности полупроводника и обеспечении возможности генерации одновременно в нескольких активных областях полупроводниковой пластины. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к лазерному устройству с нитридным полупроводником. Предлагаемое устройство содержит подложку, нитридный полупроводниковый слой с электронной проводимостью, активный слой и нитридный полупроводниковый слой с дырочной проводимостью. Все эти слои сформированы в указанной последовательности на подложке. На нитридном полупроводниковом слое с дырочной проводимостью сформирована гребневая часть, включающая в себя самый верхний слой указанного нитридного полупроводникового слоя, имеющего дырочную проводимость. Наверху этой гребневой части, где находится контактный слой, обладающий дырочной проводимостью, сформирован соответствующий омический электрод, имеющий дырочную проводимость. Предусмотрено наличие первой изоляционной пленки, имеющей отверстие над верхом гребневой части и закрывающей собой боковину указанной гребневой части, а также ближайшую к этой боковине область, прилегающую к гребневой части. Омический электрод, имеющий дырочную проводимость, соприкасается с указанным контактным слоем, обладающим дырочной проводимостью, через это отверстие. Поверх первой изоляционной пленки сформирована вторая изоляционная пленка. В результате повышается надежность. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 3 ил.