Полупроводниковые лазеры: .конструкция или форма оптического резонатора – H01S 5/10

Полупроводниковый источник инфракрасного излучения включает полупроводниковую подложку (1) с двумя оптически связанными и геометрически разнесенными дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10) в виде гетероструктур. На поверхность полупроводниковой подложки (1) противолежащую поверхности с дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10), нанесен первый омический контакт (3). По одному второму омическому контакту (8) нанесено на торец соответствующего дискового резонатора (2) или кольцевого резонатора (10), причем расстояние от внешнего края второго контакта до внешнего края резонатора не превышает 100 мкм, при этом дисковые резонаторы (2) или кольцевые резонаторы (10) отстоят друг от друга на расстояние L или взаимно перекрывают в области волноводов на глубину D, которые удовлетворяют определенным соотношениям. Технический результат заключается в упрощении конструкции и обеспечении снижения оптических потерь при одномодовой генерации в средней ИК-области спектра. 2 н.п. ф-лы, 14 ил.

Вертикально интегрированное оптоэлектронное устройство служит для высокоскоростной передачи данных путем прямой или непрямой модуляции интенсивности испускаемого света. Прибор включает в себя по меньшей мере один многослойный интерференционный отражатель и по меньшей мере один резонатор. В одном варианте осуществления изобретения отражатель работает в качестве модулирующего элемента под управлением приложенного напряжения. Край стоп-зоны подвергается настройке электрооптическими методами благодаря квантово-ограниченному эффекту Штарка вблизи резонансной моды, что создает модуляцию коэффициента пропускания отражателя и, таким образом, производит непрямую модуляцию интенсивности света. В другом варианте осуществления изобретения профиль оптического поля в резонаторе является функцией смещения длины волны стоп-зоны, и устройство работает в качестве излучателя света с настраиваемой длиной волны. В другом варианте осуществления изобретения в отражателе создаются две или более периодичности в распределении коэффициента преломления, что позволяет подавлять паразитные оптические моды и способствует высокоскоростной прямой модуляции интенсивности света, испускаемого устройством. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 34 ил.

Резонатор имеет круговое сечение и изготовлен в виде тела вращения. Тело вращения включает в себя активную область, обкладочные слои и часть подложки. Образующая боковой поверхности тела вращения имеет наклон по отношению к нормали гетероструктуры. Технический результат заключается в обеспечении возможности вывода широкополосного по длине волны излучения в вертикальном направлении. 2 ил.

Дипольный нанолазер для генерации когерентного электромагнитного излучения включает двухуровневую систему в форме квантовой точки и резонатор для когерентного электромагнитного излучения. Резонатор, включающий металлическую или полупроводниковую наночастицу и электроконтактные пластины, содержит дополнительно еще одну наночастицу, которая расположена от указанной наночастицы и от указанной квантовой точки на расстояниях, меньших длины волны когерентного электромагнитного излучения, для генерации которого предназначен указанный нанолазер. Обе указанные наночастицы способны к возбуждению дипольной моды колебаний в противофазе на частоте указанного когерентного электромагнитного излучения. Технический результат заключается в повышении добротности резонатора дипольного нанолазера. 1 ил.

Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно касается проблемы нанесения защитно-просветляющих и отражающих покрытий на торцевые грани светоизлучающих элементов, и может быть использовано при изготовлении лазеров и светодиодов на основе соединений A_IIIB_V. Кассета для нанесения оптических покрытий на наборы полосок светоизлучающих элементов содержит основание с окном для опорного элемента и с установленными на его направляющих зажимными элементами, выполненными в виде призматических стержней, рабочие плоскости которых расположены на торцах их поперечного сечения; опорный элемент и фиксатор. Опорный элемент выполнен под углом (0-45)°, а размеры профиля поперечного сечения зажимного элемента связаны с толщиной полоски светоизлучающего элемента, числом полосок в наборе и числом наборов в кассете соотношением. Изобретение обеспечивает расширение технологических возможностей кассеты для нанесения оптических покрытий, повышение качества изделий и экономичность производства. 1 табл., 5 ил.

Активный элемент полупроводникового лазера с поперечной накачкой электронным пучком включает гетероструктуру, выполненную на основе полупроводниковых соединений, выбранных из одной из полупроводниковых групп А₂В₆ или А ₃В₅. Активная полупроводниковая структура размещена между верхним и нижним ограничивающими полупроводниковыми слоями, образующими в совокупности с активной структурой оптический волновод. Активная структура содержит, по крайней мере, два периодически чередующихся сверхтонких полупроводниковых слоя с разными значениями коэффициента преломления и размещенный между чередующимися сверхтонкими полупроводниковыми слоями, по крайней мере, один активный слой, имеющий большее значение коэффициента преломления, чем окружающие его чередующиеся слои. При этом верхний и нижний ограничивающие слои, имеют меньшие значения коэффициента преломления, чем слои, входящие в состав активной структуры. Толщина h верхнего ограничивающего слоя удовлетворяет условию h<x, где х - глубина проникновения электронного пучка накачки в активную структуру. На внешней поверхности верхнего ограничивающего слоя выполнен гофрированный рельеф с направлением гофр, перпендикулярным оптической оси активного элемента, при этом период рельефа равен целому числу полуволн лазерного излучения в материале активного слоя, глубина гофр не превышает толщины h верхнего ограничивающего слоя. Технический результат заключается в увеличении излучаемой мощности лазера. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.