Полупроводниковые лазеры: ..резонаторы, с периодической структурой, например в лазерах с распределенной обратной связью (DFB-лазеры) – H01S 5/12
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ДИОДА С ПОВЫШЕННОЙ ЯРКОСТЬЮ ИЗЛУЧЕНИЯ
Способ изготовления лазерного диода с повышенной яркостью излучения состоит в том, что формируют широко-эмиттерную лазерную среду, способную генерировать многомодовое оптическое излучение, которая имеет активный волноводный излучающий слой, первый конец и второй конец. Формируют частично прозрачное зеркало на втором конце широко-эмиттерной лазерной среды, размещают широко-эмиттерную лазерную среду с частично прозрачным зеркалом на подложке с высокой теплопроводностью. При этом формируют устройство перестройки модовой структуры, основанное на цифровой планарной голограмме, имеющее входной торец, причем указанное устройство образуют путем формирования цифровой планарной голограммы у первого конца широко-эмиттерной лазерной среды в оптическом взаимодействии с ней, используют цифровую планарную голограмму в качестве непрозрачного зеркала, размещая ее на той же подложке, на которой размещена лазерная среда, в результате чего формируется оптический резонатор, и осуществляют селекцию, перестройку и усиление мод оптического излучения лазерного диода по заданной функции. Технический результат заключается в обеспечении улучшения оптических характеристик лазерного диода без уменьшения оптической мощности. 6 з.п. ф-лы, 7 ил. |
2477915 патент выдан: опубликован: 20.03.2013 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВОЛНОВОД СО СЖАТИЕМ ОПТИЧЕСКИХ ИМПУЛЬСОВ Полупроводниковый волновод со сжатием оптических импульсов и полупроводниковый лазер имеют новую структуру, отличающуюся возможностью значительного уменьшения размеров элементов и простотой процесса изготовления. Полупроводниковый волновод со сжатием оптических импульсов образован полупроводниковым оптическим волноводом, направляющим оптический сигнал и включающим в свой состав область сжатия оптического импульса. Область сжатия оптического импульса содержит по меньшей мере одну область насыщающегося усилителя, утрачивающего характеристику усиления после усиления фиксированного количества оптической энергии, и по меньшей мере одну область насыщающегося поглотителя, утрачивающего характеристику поглощения после поглощения фиксированного количества оптической энергии, причем область насыщающего усилителя и область насыщающегося поглотителя размещены со взаимным чередованием в ряде в области сжатия оптического импульса. Полупроводниковый лазер содержит область волновода со сжатием оптического импульса, включенную в состав резонатора полупроводникового лазера. 2 с. и 3 з.п. ф-лы, 9 ил. | 2182393 патент выдан: опубликован: 10.05.2002 |
|