Полупроводниковые лазеры: ..с чередующимися гребнями и бороздками – H01S 5/22

МПКРаздел HH01H01SH01S 5/00H01S 5/22
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01S Устройства со стимулированным излучением
H01S 5/00 Полупроводниковые лазеры
H01S 5/22 ..с чередующимися гребнями и бороздками

Патенты в данной категории

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЛАЗЕРНОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение предлагает лазерное устройство, способное выполнять колебания в устойчивой поперечной моде и выдавать лазерный луч с превосходной диаграммой направленности в дальней зоне. Первое полупроводниковое лазерное устройство содержит многослойную структуру, в которой полупроводниковый слой проводимости первого типа, активный слой и полупроводниковый слой проводимости второго типа, которая отличается от проводимости первого типа, расположены последовательно, и волноводную зону для направления луча света в направлении, перпендикулярном направлению ширины, посредством ограничения расхождения луча в направлении ширины. Волноводная зона включает зону первого волновода и зону второго волновода. В зоне первого волновода луч локализован внутри активного слоя вследствие разницы в показателе преломления между активным слоем и зонами на обеих сторонах посредством ограничения ширины активного слоя, и в зоне второго волновода луч локализован посредством обеспечения эффективной разницы в показателе преломления в активном слое. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 18 ил.

2262171
патент выдан:
опубликован: 10.10.2005
Наверх