Полупроводниковые лазеры: ..с чередующимися гребнями и бороздками – H01S 5/22

Изобретение предлагает лазерное устройство, способное выполнять колебания в устойчивой поперечной моде и выдавать лазерный луч с превосходной диаграммой направленности в дальней зоне. Первое полупроводниковое лазерное устройство содержит многослойную структуру, в которой полупроводниковый слой проводимости первого типа, активный слой и полупроводниковый слой проводимости второго типа, которая отличается от проводимости первого типа, расположены последовательно, и волноводную зону для направления луча света в направлении, перпендикулярном направлению ширины, посредством ограничения расхождения луча в направлении ширины. Волноводная зона включает зону первого волновода и зону второго волновода. В зоне первого волновода луч локализован внутри активного слоя вследствие разницы в показателе преломления между активным слоем и зонами на обеих сторонах посредством ограничения ширины активного слоя, и в зоне второго волновода луч локализован посредством обеспечения эффективной разницы в показателе преломления в активном слое. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 18 ил.