Полупроводниковые лазеры: ..с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры – H01S 5/32

Предложенная группа изобретений относится к полупроводниковым лазерам. Полупроводниковый лазер включает гетероструктуру, выращенную на подложке, содержащей буферный слой, покровный слой, контактный слой, активную область с активной квантовой ямой либо с активными квантовыми ямами, выполненную в p-n- и/или в p-i-n- переходе, сформированном в окружающих ее слоях полупроводника, с показателем преломления активной квантовой ямы либо с показателями преломления активных квантовых ям, превышающих показатели преломления окружающих слоев полупроводника. Волновод сформирован всеми слоями гетероструктуры за счет разности показателей преломления активной квантовой ямы либо активных квантовых ям и окружающих слоев полупроводника, при этом подложка легирована сильнее, чем область с квантовой ямой или чем область с квантовыми ямами, степень легирования подложки составляет 10¹⁸-3*10¹⁸ см ^-3, буферный слой выполнен с той же степенью легирования, что и подложка, покровный слой легирован слабо, слабее, чем подложка, степень легирования покровного слоя составляет 10¹⁷ -5*10¹⁷ см^-3, контактный слой легирован сильно, степень легирования контактного слоя составляет 10 ¹⁹-5*10¹⁹ см^-3. Технический результат заключается в снижении поперечной расходимости излучения, уменьшении внутренних оптических потерь, удешевлении и упрощении производства. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Лазер на основе гетероструктуры включает волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами р- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую из квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор и полосковый омический контакт, под которым расположена область инжекции. В волноводном слое вне области инжекции выполнена легированная область, при этом фактор оптического ограничения замкнутой моды (ЗМ) в легированной области и концентрация свободных носителей заряда в легированной области удовлетворяют соотношению:

Лазер на основе гетероструктуры содержит волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами p- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую из квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор и полосковый омический контакт, под которым расположена область инжекции. В волноводный слой вне области инжекции введена область полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области. При этом фактор оптического ограничения замкнутой моды области упомянутого полупроводникового материала удовлетворяет соотношению:

Резонатор имеет круговое сечение и изготовлен в виде тела вращения. Тело вращения включает в себя активную область, обкладочные слои и часть подложки. Образующая боковой поверхности тела вращения имеет наклон по отношению к нормали гетероструктуры. Технический результат заключается в обеспечении возможности вывода широкополосного по длине волны излучения в вертикальном направлении. 2 ил.

Диодный многолучевой источник лазерного когерентного излучения содержит задающий лазер, интегрально и оптически связанный с ним линейный усилитель, два перпендикулярных усилителя, интегрально и оптически связанные с линейным усилителем. Задающий лазер и указанные усилители сформированы в единой гетероструктуре. Гетероструктура содержит активный слой и два ограничительных слоя, область втекания излучения, содержащую слой втекания. Гетероструктура охарактеризована отношением показателя преломления n_эф гетероструктуры к показателю преломления n_вт слоя втекания. Отношение n_эф к n_вт определено из диапазона от единицы до единицы минус гамма, где гамма определяются числом много меньшим единицы. Линейный усилитель расположен так, что оптическая ось распространения излучения задающего лазера совпадает с его осью. Каждый перпендикулярный усилитель, включающий выводную грань, расположен так, что его оптическая ось расположена под прямым углом по отношению к оси линейного усилителя. В окрестности пересечения осей усилителей имеется элемент перетекания доли излучения из линейного в перпендикулярный. Элемент включает отражающую плоскость, пересекающую активный слой и часть области втекания гетероструктуры в пределах толщины слоя втекания от 20% до 80% и образующую с осями усилителей углы наклона 45°. Технический результат заключается в увеличении мощности лазерного излучения, улучшении эффективности, надежности, увеличении ресурса работы и скорости модуляции при упрощении технологии производства. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 8 ил.

Лазер содержит полуизолирующую подложку, квантово-размерную активную область собственной проводимости, образующую гетеропереходы второго типа с верхним и нижним волноводными слоями, а также имеющие горизонтальное взаимное расположение области эмиттеров первого и второго типов проводимости. Верхний волноводный слой образует гетеропереход первого типа с верхней областью оптического ограничения второго типа проводимости, а нижний волноводный слой образует гетеропереход первого типа с нижней областью оптического ограничения второго типа проводимости. В лазер введены управляющая область первого типа проводимости, примыкающая сверху к подложке, а снизу - к нижней области оптического ограничения второго типа проводимости и образующая с ней p-n-переход, омический контакт к управляющей области первого типа проводимости, управляющий металлический контакт, примыкающий сверху к верхней области оптического ограничения второго типа проводимости и образующий с ней переход Шоттки. Омические контакты к областям эмиттеров первого и второго типов проводимости расположены на верхней грани полупроводникового кристалла. Нижняя граница зоны проводимости активной области совпадает с нижней границей зоны проводимости верхнего волноводного слоя, верхняя граница валентной зоны активной области совпадает с верхней границей валентной зоны нижнего волноводного слоя. Технический результат заключается в увеличении быстродействия устройства. 3 ил.

Диодный многолучевой источник лазерного когерентного излучения содержит по крайней мере один диодный лазер и по крайней мере, два диодных оптических усилителя, интегрально связанных с упомянутым лазером и сформированных в той же гетероструктуре. Гетероструктура содержит по крайней мере один активный слой и два ограничительных слоя, прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую слой втекания. Гетероструктура охарактеризована отношением показателя преломления n_эф гетероструктуры к показателю преломления n_вт слоя втекания, отношение n_эф к n_вт определено из диапазона от единицы плюс дельта до единицы минус гамма, где дельта и гамма определяются числом, много меньшим единицы, и гамма больше дельты. В районе присоединения каждой активной области усиления усилителей к активной области генерации лазера имеется интегральный элемент перетекания заданной части лазерного излучения из лазера в усилитель. Указанный элемент включает по крайней мере две оптические отражающие плоскости лазерного излучения, размещенные перпендикулярно к плоскости слоев гетероструктуры и проникающие с пересечением активного слоя внутрь слоя втекания на глубину, выбираемую из диапазона от 20 до 80% от толщины слоя втекания. Отражающая плоскость развернута под углом примерно 45° (по модулю) по отношению к оптическим осям лазера и усилителя. Технический результат заключается в увеличении выходной мощности усиленного лазерного излучения, улучшении эффективности, надежности, увеличении ресурса работы и скорости модуляции при упрощении технологии производства источника. 13 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым лазерам и может быть использовано для систем оптической (диодной) накачки твердотельных и газовых лазеров, инфракрасной подсветки целей, контроля и управления летательными аппаратами, беспроводной оптической связи в свободном пространстве, обработки материалов, в медицине и т.д. Техническим результатом изобретения является повышение надежности функционирования решетки лазерных диодов. Решетка лазерных диодов содержит основание из теплопроводящего материала с расположенными на основании теплопроводящим диэлектриком и линейками лазерных диодов, состоящих из лазерных диодов, токоподводящими контактными площадками и крышку пылезащитную. Решетка выполнена из отдельных линеек лазерных диодов. Каждая линейка лазерных диодов содержит отрицательный вывод и положительный вывод, свой индивидуальный теплоотвод. Отрицательный вывод каждой предыдущей линейки лазерных диодов соединен с положительным выводом последующей линейки лазерных диодов. Выводы крайних линеек лазерных диодов соединены с токоподводящими контактными площадками. Способ установки линеек лазерных диодов осуществляется приклеиванием теплоотвода линеек лазерных диодов на теплопроводящий диэлектрик, после чего осуществляют распайкой электрическое соединение отрицательного вывода каждой предыдущей линейки лазерных диодов с положительным выводом последующей линейки лазерных диодов, затем осуществляют распайкой электрическое соединение выводов крайних линеек лазерных диодов с токоподводящими контактными площадками. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Диодный лазер включает гетероструктуру, которая содержит по крайней мере один активный слой, по крайней мере два ограничительных слоя, прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую по крайней мере слой втекания. Гетероструктура характеризована отношением показателя преломления n_эф гетероструктуры к показателю преломления n_вт слоя втекания, отношение n_эф к n_вт определено из диапазона от единицы плюс дельта до единицы минус гамма, где дельта и гамма определяются числом, много меньшим единицы, и гамма больше дельты. На определенном расстоянии от обеих боковых сторон активной области с протекающим током размещены ограничительные области излучения, проникающие от наружного слоя внутрь гетероструктуры, по крайней мере до активного слоя. Толщина слоев гетероструктуры находится в интервале от ( /4n_эф) мкм до (4 /n_эф) мкм, где - длина волны лазерного излучения. Интегральный диодный лазер представляет собой комбинацию интегрально соединенных диодных лазеров, размещенных вдоль оптической оси распространения лазерного излучения. Интегральный полупроводниковый оптический усилитель включает интегрально соединенные задающий диодный лазер и полупроводниковый усилительный элемент. Интегральная связь в устройствах осуществляется через область втекания излучения. Технический результат заключается в снижении плотности пороговых токов генерации, улучшении стабильности модовой генерации, увеличении мощности лазерного излучения и прочности глухих отражателей резонатора. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой, оптоэлектронной технологии, квантовой электронике. Способ сборки лазерных диодных структур (активных элементов) на теплоотводящем основании из керамики нитрида бора включает нанесение на поверхность теплоотводящего основания последовательности металлических слоев, по крайне мере, металлизирующего слоя и слоя припоя, установку активного элемента на металлический слой, ориентирование его относительно основания, припаивание его при нагреве в восстановительной среде при механической нагрузке на элемент или без нее с последующим охлаждением. Согласно изобретению нанесение на поверхность теплоотводящего основания первого металлизирующего слоя осуществляют химическим способом толщиной 0,1-0,2 мкм путем осаждения металлического никеля из выдержанного электролита при следующем соотношении компонентов, мас.%: NiCl₂·6H₂O - 45÷55; NaH ₂PO₂·H₂O - 9÷13; (NH ₄)·HC₆H₅O₇ - 60÷70; NH₄Cl - 45÷55, нанесение слоя припоя SnPb (или In) осуществляют путем вакуумного напыления, а толщину слоя припоя выбирают в зависимости от размера лазерных структур. Изобретение обеспечивает упрощение процесса сборки и повышение воспроизводимости сборки, повышение надежности и качества контактного соединения, улучшение термокомпенсирующих параметров, а также возможность замены драгоценных материалов, используемых при сборке лазерных структур на теплоотводах.

Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к полупроводниковым лазерам. Лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую многомодовый волновод, ограничительные слои которого одновременно являются эмиттерами p- и n-типа проводимости с одинаковыми показателями преломления, активную область, отражатели, оптические грани, омические контакты и оптический резонатор. Активную область образует объемный слой полупроводникового материала, ширина запрещенной зоны которого меньше ширины запрещенной зоны волновода, толщина объемной активной области d_ar удовлетворяет неравенству где - постоянная планка, m_h,e - масса дырки или электрона, - длина волны генерации в вакууме, Е - кинетическая энергия носителей заряда, при расчете между m_h и m_е выбирается наименьшая. Технический результат - увеличение максимальной пиковой мощности лазерного излучения при одновременном снижении ширины спектра лазерного диода в импульсном режиме генерации. 1 ил.

Изобретение относится к устройству полупроводниковых инжекционных лазеров и технологии их изготовления и может быть использовано для создания лазерных матриц многоканальных оптоволоконных интерфейсов. Технический результат - возможность массового изготовления линеек и матриц лазеров без ручной сборки. Инжекционный лазер содержит контактные слои и слои полупроводниковых материалов, образующих активную излучающую структуру, расположеные коаксиально в канале кругового, n-угольного или фигурного сечения, выполненном в теле подложки, при этом внешний контактный слой соединен со стенками канала непосредственно или через буферные слои, на нем расположены слои полупроводниковых материалов, образующих активную излучающую структуру, а на них центральный контактный слой, причем на торцевой поверхности слоев полупроводниковых материалов, образующих активную излучающую структуру, расположены с одной стороны непрозрачный, а с другой стороны полупрозрачный зеркальные слои; также центральный контактный слой и внешний контактный слой соединены с токопроводящими дорожками, расположенными на подложке. Способ изготовления инжекционного лазера включает последовательное нанесение методом химического осаждения из газовой фазы на подложку слоя материалов, образующих структуру инжекционного лазера, при этом в теле подложки изготавливают сквозные каналы, а затем последовательно пропускают через них газовую фазу металлоорганических соединений, осуществляя осаждение слоев материалов на внутренней поверхности каналов; также формируют внешний контактный слой, слои полупроводниковых материалов, образующих активную излучающую структуру, и центральный контактный слой, затем наносят токопроводящие дорожки и зеркальные слои на подложку. Устройство для газофазной эпитаксии содержит реактор, держатель подложек, входные и выходные патрубки, нагреватели, загрузочные и смотровые люки, при этом реактор разделен на зону высокого давления и зону низкого давления держателем подложек с расположенными в них подложками со сквозными каналами и имеет систему управления, обеспечивающую поддержание заданных величин давления в зонах высокого и низкого давления, а также разницы давлений газа в них, соединенную с датчиками давления, расположенными в каждой зоне реактора, и с редукционными узлами, а держатель подложек представляет собой пластину с гнездами под подложки и со сквозными отверстиями в тех местах, где у подложек имеются сквозные каналы, причем размер отверстий в держателе больше размера области с каналами в подложке. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике. Сущность изобретения: тонкую монокристаллическую пленку -Ga₂O₃ формируют путем выращивания из газовой фазы на подложке, изготовленной из монокристалла -Ga₂O₃. Лазерный луч направляют на мишень для возбуждения атомов, составляющих мишень. Атомы Ga высвобождаются из мишени в результате термического и фотохимического воздействия. Свободные атомы Ga связываются с радикалами одного или более газов в атмосфере камеры с образованием тонкой пленки -Ga₂O₃ на подложке. Описано также светоизлучающее устройство, включающее подложку n-типа, изготовленную легированием монокристалла -Ga₂O₃ донорами, слой p-типа, изготовленный легированием монокристалла -Ga₂O₃ акцептором, и представленное в виде перехода на верхней поверхности подложки n-типа. Изобретение позволяет получать тонкие монокристаллические пленки -Ga₂O₃ и GaN, а также монокристаллы ZnO высокого качества, светоизлучающее устройство способно излучать свет в ультрафиолетовой области. 7 н. и 17 з.п. ф-лы, 27 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"reactive atmosphere. Applied Surface Science, 106, 1996, p.149-153. JP 2001286814 A, 16.10.2001. WO 02089223 A1, 07.11.2002.

Изобретение относится к квантовой электронной технике и может быть использовано для накачки твердотельных лазеров. Согласно изобретению полупроводниковый инжекционный лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую квантово-размерную активную область, верхний и нижний волноводные слои, эмиттеры р- и n-проводимости. Эмиттер р-проводимости выполнен из твердого раствора Al _XpGa_1-XpAs. Эмиттер n-проводимости выполнен из твердого раствора Al_XnGa _1-XnAs. Верхний волноводный слой выполнен из твердого раствора Al_YвGa_1-YвAs. Нижний волноводный слой выполнен из твердого раствора Al _YнGa_1-YнAs. В твердом растворе Al _XpGa_1-XpAs значение мольной доли Хр находится в пределах от 0,5 до 0,7. В твердом растворе Al _XnGa_1-XnAs значение мольной доли Xn находится в пределах от 0,3 до 0,4. В твердом растворе Al _YвGa_1-YвAs значение мольной доли Yв на границе с эмиттером р-проводимости равно значению Хр и монотонно уменьшается до 0,25 Yв 0,30. В твердом растворе Al_YнGa _1-YнAs значение мольной доли Yн на границе с эмиттером n-проводимости равно значению Xn и монотонно убывает до 0,25 Yн 0,30. Толщина верхнего волноводного слоя находится в пределах 320-380 нм. Толщина нижнего волноводного слоя находится в пределах 470-530 нм. Технический результат - снижение оптических потерь и повышение КПД устройства, снижение плотности мощности излучения на оптических гранях лазера, повышение срока службы прибора. 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к квантовой электронной технике и может быть использовано для накачки твердотельных лазеров. Инжекционный полупроводниковый лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую квантово-размерную активную область с примыкающими к ней верхним и нижним дополнительными слоями, верхний и нижний волноводные слои, эмиттеры р- и n-проводимости. Верхний и нижний волноводные слои примыкают к верхнему и нижнему дополнительным слоям. Эмиттеры р- и n-проводимости примыкают к волноводным слоям. Эмиттеры выполнены из твердого раствора Al_X Ga_1-XAs. Волноводные слои выполнены из твердого раствора Al_YGa _1-YAs. Дополнительные слои выполнены из твердого раствора Al_ZGa_1-ZAs. В твердом растворе, из которого выполнен эмиттер, значение Х находится в пределах от 0,5 до 0,7, в твердом растворе, из которого выполнены волноводные слои, значение Y находится в пределах от 0,39 до 0,41, толщина волноводных слоев находится в пределах от 1500 до 1800 нм. В твердом растворе, из которого выполнены дополнительные слои, значение Z на границах с волноводными слоями равно значению Y этих слоев и монотонно уменьшается до 0,34 Z 0,36 на границах с активной областью. Технический результат - предотвращается концентрация электромагнитного поля основной поперечной моды в дополнительном слое, снижается плотность мощности излучения на оптических гранях лазера, повышается срок службы прибора, снижаются оптические потери и повышается КПД устройства. 1 табл., 1 ил.

Изобретение предусматривает устройство и способ генерации оптических импульсов с использованием импульсов тока. Устройство представляет собой полупроводниковую структуру, в которой инжектор носителей отделен от оптически активной области потенциальным барьером для инжектированных носителей и для носителей с малой подвижностью в полупроводниковом элементе. Они способствуют образованию сильного электрического поля при протекании тока в оптически активной области при умеренной плотности тока до момента достижения положительного усиления. Электрическое поле расширяет спектр усиления в активном слое, тем самым подавляя положительное усиление и способствуя накоплению носителей в активном слое. Когда импульс тока прекращается, достигается положительное усиление, что создает оптическое излучение из активного слоя. Технический результат - структура, использованная в изобретении, может быть реализована на основе различных полупроводниковых материалов, что дает возможность управления длиной волны. 2 н. и 24 з.п. ф-лы, 8 ил.

Инжекционные излучатели используются в качестве высокоэффективных твердотельных источников излучения в широком диапазоне длин волн, в том числе и светодиодов. Технический результат изобретения: создание высокоэффективных и надежных инжекционных излучателей с поверхностным выводом излучения в виде множества выходных лучей. Сущность: излучатель включает полупроводниковую гетероструктуру, содержащую активный слой, волноводные и ограничительные слои, полупроводниковый слой втекания излучения и слои металлизации. В гетероструктуре вдоль продольной оптической оси сформирована последовательность из чередующихся областей генерации излучения и вывода излучения. В каждой области генерации две продольные наружные поверхности гетероструктуры и две ее продольные боковые стороны окружены веществами с минимально возможными значениями показателей преломления по отношению к эффективному показателю преломления гетероструктуры в области генерации и с максимально возможными значениями коэффициентов отражения излучения. В области вывода дополнительно к слоям гетероструктуры выполнен полупроводниковый слой втекания, возвышающийся над наружной поверхностью области генерации. В области вывода состав и толщина ограничительного слоя гетероструктуры, пограничного со слоем втекания, выбраны такими, при которых реализовано частичное ограничение излучения в гетероструктуре. Каждая из областей вывода с противоположных сторон ограничена выводными гранями, сформированными по отношению к наружной поверхности области генерации под определенными линейными углами наклона, отношение показателя преломления n _вт слоя втекания к эффективному показателю преломления n_эф гетероструктуры с включенным в нее слоем втекания больше единицы. 17 з.п. ф-лы, 14 ил.

Использование: гетероструктуры используются для создания полупроводниковых инжекционных источников излучения: инжекционных лазеров, полупроводниковых усилительных элементов, полупроводниковых оптических усилителей, которые применяются в волоконно-оптических системах связи, и передачи информации, в оптических сверхскоростных вычислительных и коммутационных системах, при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования, лазеров с удвоенной частотой генерируемого излучения, а также для накачки твердотельных и волоконных лазеров и усилителей. Предложены гетероструктура, инжекционный лазер, полупроводниковый усилительный элемент и полупроводниковый оптический усилитель, особенностью которых является выполнение активной области и области втекания гетероструктуры, комплексный подбор расположения, составов, показателей преломления и толщин ее слоев, обеспечивающих эффективное функционирование инжекционных лазеров, полупроводниковых усилительных элементов и полупроводниковых оптических усилителей в переходной области формирования контролируемого вытекания излучения из активного слоя. Техническим результатом заявленного изобретения является модернизация гетероструктуры, в частности области втекания излучения и активного слоя, для обеспечения улучшения энергетических и пространственных характеристик инжекционных источников излучения, изготовленных на ее основе. 4 н. и 14 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при производстве полупроводниковых лазеров. Технический результат изобретения: обеспечение генерации лазерного излучения в диапазоне длин волн 0,7-1,2 мкм и обеспечение надежной работы устройства в случае его работы на высокой выходной мощности. Сущность: На подложку n-GaAs послойно наносят нижний слой n-Al _z1Ga_1-z1As оболочки, нижний световодный слой n- или i-In_0,49Ga_0,51P, активный слой In_х3Ga_1-х3As_1-y3Р_y3 с квантовой ямой, верхний первый световодный слой i-In_0,49 Ga_0,51P, герметизирующий слой GaAs и пленку SiO₂. Затем ширина приблизительно 20 мкм пленки SiO ₂ удаляется. При использовании пленки SiO₂ в качестве маски удаляют герметизирующий слой, расположенный рядом с торцевой поверхностью, и верхний первый световодный слой. Затем удаляют пленку SiO₂, активный слой с квантовой ямой, расположенный рядом с торцевой поверхностью, и оставшийся герметизирующий слой. На верхний второй световодный слой р- или i-In_0,49Ga_0,51P осаждают верхний слой оболочки p-Al_z1Ga_1-z1As и контактный слой p-GaAs. 3 н. и 16 з.п., 10 ил.

Изобретение относится к квантовой электронной технике, а точнее - к полупроводниковым лазерам, которые могут быть использованы, например, в качестве источника оптического излучения для накачки волоконных усилителей, волоконных и твердотельных лазеров. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения расходимости излучения инжекционного лазера при сохранении высокого значения КПД и выходной мощности излучения и упрощения технологии его изготовления. Сущность: в инжекционном лазере, содержащем гетероструктуру раздельного ограничения, включающую многомодовый волновод, ограничительные слои которого одновременно являются эмиттерами p- и n-типа проводимости с одинаковыми показателями преломления, активную область, состоящую из, по меньшей мере, одного квантоворазмерного активного слоя, расположение активной области в волноводе и толщина волновода удовлетворяют соотношению Г⁰ _QW/Г^m _QW>1.7, где Г⁰ _QW и Г^m _QW - факторы оптического ограничения для активной области нулевой моды и моды m (m=1, 2, 3...) соответственно, отражатели, оптические грани, омические контакты и оптический резонатор. Активная область размещена в дополнительном слое, показатель преломления которого больше показателя преломления волноводного слоя, а толщина и расположение в волноводе определяются из условия выполнения упомянутого соотношения. Расстояния от активной области до р- и n-эмиттеров не превышают длин диффузии в волноводе дырок и электронов соответственно. 4 ил.