Полупроводниковые лазеры: ..содержащие структуры с потенциальной квантовой ямой или сверхрешетчатые структуры, например лазеры с одной потенциальной ямой (SQW-лазеры), лазеры с несколькими потенциальными ямами (MQW-лазеры), ступенчатые гетероструктурные лазеры с раздельным плавным изменением показателя преломления (GRINSCH-лазеры) – H01S 5/34

Предложенная группа изобретений относится к полупроводниковым лазерам. Полупроводниковый лазер включает гетероструктуру, выращенную на подложке, содержащей буферный слой, покровный слой, контактный слой, активную область с активной квантовой ямой либо с активными квантовыми ямами, выполненную в p-n- и/или в p-i-n- переходе, сформированном в окружающих ее слоях полупроводника, с показателем преломления активной квантовой ямы либо с показателями преломления активных квантовых ям, превышающих показатели преломления окружающих слоев полупроводника. Волновод сформирован всеми слоями гетероструктуры за счет разности показателей преломления активной квантовой ямы либо активных квантовых ям и окружающих слоев полупроводника, при этом подложка легирована сильнее, чем область с квантовой ямой или чем область с квантовыми ямами, степень легирования подложки составляет 10¹⁸-3*10¹⁸ см ^-3, буферный слой выполнен с той же степенью легирования, что и подложка, покровный слой легирован слабо, слабее, чем подложка, степень легирования покровного слоя составляет 10¹⁷ -5*10¹⁷ см^-3, контактный слой легирован сильно, степень легирования контактного слоя составляет 10 ¹⁹-5*10¹⁹ см^-3. Технический результат заключается в снижении поперечной расходимости излучения, уменьшении внутренних оптических потерь, удешевлении и упрощении производства. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к генераторам квантового излучения. Частотно-перестраиваемый источник когерентного терагерцового и дальнего инфракрасного излучения выполнен на основе полупроводниковой наногетероструктуры и возбуждается импульсами среднего инфракрасного диапазона. Между источником возбуждающих импульсов и полупроводниковой наногетороструктурой расположен фильтр в виде пластинки, с периодически чередующимися прозрачными и непрозрачными полосками для достижения пространственной периодичности поляризации, возбуждаемой в активной области полупроводниковой наногетероструктуры. Технический результат заключается в увеличении мощности излучения. 3 ил.

Способ изготовления полупроводникового устройства в полупроводниковой структуре обеспечивает улучшенное перемешивание квантовой ямы в требуемых областях устройства путем формирования вначале высококачественного эпитаксиального слоя на подложке, причем высококачественный слой включает квантовую яму; формирование второго, низкокачественного эпитаксиального слоя с дефектами поверх высококачественного слоя; и тепловую обработку структуры для получения, по меньшей мере, частичной диффузии дефектов из слоя с дефектами в высококачественный слой для получения перемешивания квантовой ямы в структуре. При этом эпитаксиальный слой с дефектами формируют путем изменения соотношения исходных элементов во время выращивания за пределы идеальных или стехиометрических условий для получения дефектов кристаллической решетки. Также предложено устройство, изготовленное данным способом. Изобретение позволяет выполнять технологию перемешивания квантовой ямы при более низких температурах и, таким образом, улучшает характеристики устройства. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковых излучающих приборов, конкретнее к светодиодам на основе широкозонных нитридных соединений типа А^IIIB^V. Сущность: структура элемента последовательно включает подложку, буферный слой, выполненный из нитридного материала, n-контактный слой, выполненный из GaN, легированного Si, активный слой, с двумя или более квантовыми ямами, выполненными из In_XGa_1-XN и разделяющими эти ямы барьерами, выполненными из нитридного материала, легированного Si, эмиттерный слой, выполненный из Al_YGa_1-y N, легированного Mg, и р-контактный слой, выполненный из нитридного материала, легированного Mg. В In_XGa_1-X N мольная доля индия Х линейно уменьшается по толщине квантовых ям от 0,35 до 0,1 в направлении от п-контактного слоя. В составе эмиттерного слоя мольная доля алюминия Y линейно уменьшается от максимального значения 0,3+Z на поверхности эмиттерного слоя, граничащей с активным слоем, до значения Z, на поверхности эмиттерного слоя, граничащей с р-контактным слоем, где Z - мольная доля алюминия в составе р-контактного слоя, в качестве нитридного материала которого использован Al_ZGa_1-ZN, где 0 Z 0,1. Активный слой легирован Si, с концентрацией Si не менее 5·10¹⁸ см^-3, толщина «h ₁» квантовых ям активного слоя составляет 1,5 h₁ 3 нм, толщина «h₂» барьеров, разделяющих квантовые ямы, составляет 5 h₂ 15 нм, а толщина «h_e» эмиттерного слоя находится в пределах 10 h_e 30 нм. Технический результат изобретения: повышение эффективности светодиодов, излучающих свет в синей области видимого спектра с длиной волны 450-500 нм. 1 табл., 1 ил.