Генерирование электрических колебаний с помощью активных элементов с отрицательным сопротивлением между двумя электродами этих элементов: ..с полупроводниковым прибором в качестве активного элемента – H03B 7/14

Изобретение относится к области твердотельной сверхвысокочастотной микроэлектроники, в частности к методам получения электромагнитных колебаний в СВЧ и КВЧ диапазоне, и может использоваться в устройствах для передачи информации. Достигаемый технический результат - расширение диапазона генерируемых частот. Способ получения электромагнитных колебаний в СВЧ и КВЧ диапазоне со сверхширокополосной перестройкой частоты включает гетеродинирование излучения полупроводникового инжекционного лазера с длиной волны, вызывающей фотоэффект в полупроводниковом фотодетекторе, перестройку частоты электромагнитных колебаний. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в сверхкороткоимпульсных радиолокационных системах для формирования сложно-модулированных сигналов, применяемых в радиолокации. Достигаемый технический результат - расширение функциональных возможностей устройства при формировании сверхкороткоимпульсных сигналов за счет формирования многоимпульсного сигнала с заполнением каждого импульса несущей частотой с заданной фазой. Формирователь сверхкороткоимпульсных сигналов содержит управляемый фазовращатель СВЧ-сигналов, соединенный выходом через усилитель СВЧ-сигналов со входом управляемого переключателя СВЧ-сигналов, выход которого является выходом формирователя сверхкороткоимпульсных сигналов, входом которого является вход управляемого фазовращателя СВЧ-сигналов, узел интерфейса и преобразования уровней управляющих сигналов и узел питания, который подключен выходом к соответствующим входам питания управляемого фазовращателя СВЧ-сигналов, усилителя СВЧ-сигналов, управляемого переключателя СВЧ-сигналов и узла интерфейса и преобразования уровней управляющих сигналов формирования сверхкороткоимпульсных сигналов, соединенного первыми выходами с управляющими входами управляемого фазовращателя СВЧ-сигналов, а вторыми выходами с управляющими входами управляемого переключателя СВЧ-сигналов. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технике СВЧ, а именно к стабилизированным полупроводниковым СВЧ генераторам с частотной модуляцией (ЧМ) выходного сигнала для приемных и передающих устройств. Техническим результатом является снижение уровня паразитной амплитудной модуляции (ПАМ) выходного сигнала полупроводникового СВЧ-генератора до минус 55-60 дБ на частоте модулирующего сигнала. Полупроводниковый СВЧ генератор с ЧМ содержит последовательно соединенные варакторное устройство на лавинно-пролетном диоде (ЛПД), высокодобротный резонатор, генератор на ЛПД и ферритовый вентиль, к выходу которого подключена система компенсации ПАМ, состоящая из последовательно соединенных быстродействующего амплитудного СВЧ модулятора, направленного ответвителя, диодного детектора и усилителя низкой частоты (УНЧ), выход которого соединен с низкочастотным управляющим входом быстродействующего амплитудного СВЧ модулятора. 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к генераторам на полупроводниковых приборах СВЧ со стабилизацией частоты. Сущность изобретения: генератор СВЧ выполнен на полевом транзисторе с затвором в виде барьера Шотки и диэлектрическом резонаторе с и/или электрической перестройкой частоты посредством второго полевого транзистора с затвором в виде барьера Шотки, управляемого напряжением. Генератор СВЧ выполнен в виде монолитной интегральной схемы на лицевой поверхности кристалла полупроводникового материала, при этом кристалл полупроводникового материала с монолитной интегральной схемой расположен обратной стороной на торцевой поверхности диэлектрического резонатора. Техническим результатом изобретения является расширение диапазона перестройки частоты, повышение выходной мощности СВЧ, снижение массогабаритных характеристик. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области твердотельной сверхвысокочастотной электроники и микроэлектроники. Техническим результатом является расширение рабочего частотного диапазона в сторону терагерцовых волн. Это обеспечивается тем, что микрополосковый стабилизированный резонансно-туннельный генератор электромагнитных волн миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн содержит полупроводниковый резонансно-туннельный диод и микрополосковый резонатор, которые выполнены в монолитно-интегрированном виде на общей подложке, которая представляет собой полупроводниковый кристалл, на одной стороне которого сформированы проводящие микрополосковые линии, а на другой - заземленный экран, а сам кристалл выполняет роль диэлектрической пластины микрополоскового резонатора. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом является увеличение диапазона перестройки частоты и возможность создания генератора СВЧ на транзисторе в монолитном исполнении. Генератор СВЧ на транзисторе с электрической перестройкой частоты содержит активный прибор - полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки, соединенный по схеме с общим истоком, два пленочных резистора с сопротивлением R₁ и R ₂ соответственно. В качестве полупроводникового прибора, управляемого напряжением, используют второй полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки, соединенный также по схеме с общим истоком. Конец колебательной системы соединен со стоком второго полевого транзистора, одни из концов обоих пленочных резисторов соединены с затвором первого полевого транзистора, а другие концы этих пленочных резисторов соединены с общим истоком и с затвором второго полевого транзистора соответственно, при этом на затвор второго полевого транзистора подают управляющее напряжение отрицательной полярности, изменяющееся в пределах от 0 до U_o, где U_o - отрицательное напряжение отсечки второго полевого транзистора. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в малогабаритной приемопередающей аппаратуре широкополосных систем связи в качестве частотно-задающего генератора, управляемого напряжением, синтезатора частот. Техническим результатом является повышение линейности характеристики перестройки (модуляционной характеристики) генератора в широком диапазоне частот. Последовательно с варикапом, входящим в колебательный контур генератора включается разомкнутый отрезок микрополосковой линии (МПЛ) длиной четверть волны с включенным в него параллельно конденсатором. Причем указанная комбинация отрезка МПЛ и конденсатора образуют частотно-зависимое (индуктивное) сопротивление, величина которого и характер изменения в диапазоне частот зависят от величины емкости конденсатора и места включения его в линию. 17 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к генераторам СВЧ на транзисторе с электрической перестройкой частоты. Технический результат изобретения - достижение линейного закона перестройки частоты от управляющего напряжения и увеличение верхнего предела диапазона перестройки частоты генератора СВЧ. Генератор содержит полевой транзистор с барьером Шотки, выполненный из полупроводникового материала группы А^IIIВ^V, соединенную с ним колебательную систему и второй полевой транзистор с барьером Шотки, выполненный также из полупроводникового материала группы А^IIIВ^V, и соединенный по схеме с общим истоком, при этом другой конец колебательной системы соединен со стоком второго полевого транзистора. На сток второго полевого транзистора подают постоянное напряжение положительной полярности, а на затвор подают управляющее напряжение и постоянное напряжение отрицательной полярности величиной, равной (0,6-0,8)Uo, где Uo - напряжение отсечки второго полевого транзистора с баръером Шотки. Генератор СВЧ может быть выполнен как в гибридном интегральном, так и в монолитном интегральном исполнении. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.