Электронная коммутация или стробирование, т.е. без размыкания или замыкания контактов: ...схемы, отличающиеся использованием нескольких полупроводниковых приборов, например линейных ИС на биполярных и МОП-транзисторах, составных приборов, таких как биполярные транзисторы с изолированным затвором – H03K 17/567

Изобретение относится к импульсной технике. Техническим результатом является повышение быстродействия гальванически изолированного транзисторного ключа за счет суммирования входного импульсного сигнала с прямоугольным напряжением опорной частоты. Силовой гальванически изолированный ключ, состоящий из управляющего транзистора, выпрямительных диодов, токового трансформатора, ограничительного резистора и двух силовых транзисторов, источник входного сигнала подключен к базе управляющего транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине входного сигнала и источника опорной частоты, а коллектор к катодам выпрямительных диодов, включенных в первичную обмотку токового трансформатора, средний вывод первичной обмотки подключен к общей шине входного сигнала и источника опорной частоты, а один из выводов первичной обмотки подключен к ограничительному резистору, второй вывод которого подключен к источнику опорной частоты, вторичная обмотка токового трансформатора подключена к базам силовых транзисторов, коллекторы которых объединены, при этом средний вывод вторичной обмотки токового трансформатора подключен к объединенным эмиттерам силовых транзисторов. 2 ил.

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в высоковольтных устройствах, вращающейся машине или в двигателе транспортного средства для преобразования переменного тока в постоянный или наоборот или для изменения формы, амплитуды и частоты тока. Техническим результатом является обеспечение управления силовым электронным компонентом таким образом, чтобы его можно было бы адаптировать для каждого нового варианта применения без изменения компонентов схемы. Схема (26) управления открыванием и закрыванием силового электронного компонента (12) содержит Н-образный мост, включающий первую вертикальную ветвь (33А) с первым генератором тока (40), управляемым в цифровом режиме, и первый выключатель (34). Первый генератор тока (40) выполнен с возможностью генерирования тока питания, имеющего первое направление. Схема управления содержит вторую вертикальную ветвь (33В) с вторым генератором тока (44), управляемым в цифровом режиме, и второй выключатель (36), последовательно соединенный с вторым генератором тока (44). Второй генератор тока (44) выполнен с возможностью генерирования тока питания, имеющего противоположное направление. Объектами изобретения являются также устройство управления, способ управления и пусковое устройство. 5 н. и 13 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Техническим результатом является повышение надежности при работе на емкостную нагрузку. В силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор, транзисторы одинаковой проводимости, коллекторно-эмиттерные переходы которых зашунтированы диодами в запирающем направлении, а переходы база-эмиттер резисторами, коллектор одного из транзисторов подключен к затвору МДП-транзистора, эмиттеры транзисторов соединены непосредственно, а коллектор другого транзистора подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора, дополнительная вторичная обмотка трансформатора подключена к базам транзисторов, начало дополнительной обмотки подключено к базе того транзистора, коллектор которого подключен к началу вторичной обмотки трансформатора. В устройство введены дополнительный резистор, диод и биполярный транзистор аналогичной проводимости МДП-транзистора, причем первый вывод дополнительного резистора подключен к истоку МДП-транзистора и к базе дополнительного транзистора, коллектор которого через дополнительный диод в проводящем направлении соединен с затвором МДП-транзистора, второй вывод дополнительного резистора соединен с эмиттером дополнительного транзистора и выходом ключа. 1 ил.

Предлагаемое изобретение относится к импульсной технике. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение надежности. Технический результат достигается тем, что в силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор с вторичной обмоткой и дополнительной вторичной обмоткой, конец вторичной обмотки соединен непосредственно с истоком МДП-транзистора, транзистор, переход база-эмиттер которого зашунтирован резистором, ограничивающий резистор, введены первый и второй диодные мосты, вход первого диодного моста включен между началом вторичной обмотки и затвором МДП-транзистора, а выход в отпирающей полярности подключен к переходу коллектор-эмиттер транзистора, вход второго диодного моста подключен к дополнительной вторичной обмотке, а выход в отпирающей полярности через ограничивающий резистор подключен к переходу база-эмиттер транзистора. 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении надежности. В устройство введены два тиристора, которые включены встречно-параллельно между началом вторичной обмотки и затвором МДП-транзистора. Управляющий электрод тиристора, катод которого соединен с началом вторичной обмотки, через резистор соединен с ее концом, а управляющий электрод другого тиристора, катод которого соединен с затвором МДП-транзистора, через резистор соединен с началом дополнительной вторичной обмотки, конец которой подключен к затвору МДП-транзистора. 1 ил.

Изобретение относится к электротехнике для использования в импульсных вторичных источниках электропитания. Технический результат заключается в увеличении КПД и повышении быстродействия ключа на МДП-транзисторе. Схема управления содержит силовой МДП-транзистор (Т) (1), нагрузку (2), включенную между истоком Т (1) и отрицательной шиной (14) источника питания (ИП), управляющий Т (13), последовательно соединенные диод (Д) (10) и резистивный делитель (11, 12), конденсатор (5). Введены два Т (6, 7), два Д (8, 9) и два резистора (Р) (3, 4), причем переход коллектор-база Т (6) включен параллельно Р (11) делителя, переход база-эмиттер Т (6) шунтирован встречно включенным первым Д (8), эмиттер Т (6) соединен с коллектором Т (7) и с одним выводом конденсатора (5), другой вывод которого подключен к истоку Т (1), переход база-эмиттер Т (7) зашунтирован встречно включенным Д (9), при этом база Т (7) и катод Д (9) соединены с коллектором управляющего Т (13) и с выводом Р (12) делителя, а эмиттер Т (7) через Р (4) соединен с затвором Т (1), Р (3) установлен параллельно переходу затвор-исток Т (1). 1 ил.

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано в энергетике, электротехнической и электроэнергетической промышленности, на электротранспорте, в электроприводе, в том числе и высоковольтном. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение надежности, перегрузочной способности полупроводникового вентиля и уменьшение в нем статических и динамических потерь, которая достигается тем, что комбинированный полностью управляемый полупроводниковый вентиль содержит два включенных параллельно вентиля (ветви) различных типов и демпфирующую цепь, подключенную параллельно им, причем каждый из вентилей имеет собственный драйвер. Первый вентиль представляет собой один или несколько включенных последовательно биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ), а второй вентиль - один или несколько включенных последовательно запираемых тиристоров (ЗТ), а драйверы обоих вентилей соединены с блоком формирования первичных импульсов управления, причем данный блок формирует два импульса включения и два импульса запирания таким образом, что сначала подается первый импульс включения на первую ветвь комбинированного полностью управляемого полупроводникового вентиля, представляющую собой один или несколько включенных последовательно БТИЗ, а затем подается второй импульс включения на вторую ветвь комбинированного полностью управляемого полупроводникового вентиля, представляющую собой один или несколько включенных последовательно ЗТ; в свою очередь при запирании вентиля сначала подается первый импульс запирания на вторую ветвь полупроводникового запираемого вентиля, представляющую собой один или несколько включенных последовательно ЗТ, а затем подается второй импульс запирания на первую ветвь, представляющую собой один или несколько включенных последовательно БТИЗ. 2 с.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к импульсной технике для использования в безконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении надежности, КПД и помехоустойчивости. Технический результат достигается тем, что в силовой ключ на МДП-транзисторе (11), содержащий транзисторы (Т) (1, 2), базо-эмиттерные переходы которых зашунтированы резисторами (5, 6), а коллектор-эмиттер - диодами (3, 4) в запирающем направлении, коллектор Т (2) подключен к затвору МДП-транзистора (11), эмиттеры Т (1, 2) соединены, а коллектор Т (1) подключен к началу вторичной обмотки (9) трансформатора (ТР) (7), конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора (11). Кроме того, в ТР (7) введена дополнительная вторичная обмотка (10) с понижающим коэффициентом трансформации относительно вторичной обмотки (9), подключенная к базам Т (1, 2). 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике для использования в безконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении надежности, КПД и помехоустойчивости. Технический результат достигается введением в трансформатор (5) дополнительной обмотки, крайние выводы которой подключены к базам транзисторов (1 и 2), эмиттеры которых соединены и через резистор (9) подключены к средней точке дополнительной обмотки, а коллекторно-эмиттерные переходы зашунтированы диодами (3 и 4) в запирающем направлении. Коллектор Т (1) подключен к началу вторичной обмотки ТР (5), конец которой подключен к истоку МДП-транзистора (10), затвор которого соединен с коллектором Т (2). 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике для использования в безконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении КПД и помехоустойчивости. Технический результат достигается тем, что в силовой ключ на МДП-транзисторе (10), содержащий транзисторы (Т) (1, 2), между базами которых включен резистор (Р) (9), а базо-эмиттерные переходы зашунтированы диодами (3, 4) в запирающем направлении, коллектор Т (2) подключен к затвору МДП-транзистора (10), эмиттеры Т (1, 2) соединены, а коллектор Т (1) подключен к началу вторичной обмотки (7) трансформатора (ТР) (5), конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора (10). Кроме того, в ТР (5) введена дополнительная вторичная обмотка (8) с понижающим коэффициентом трансформации относительно вторичной обмотки (7), подключенная последовательно с Р (9) к базам Т (1, 2). 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике для использования в безконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении надежности и КПД. Технический результат достигается выполнением трансформатора (ТР) (5) с дополнительными отводами (13), (14), образующими две дополнительные обмотки относительно крайних выводов, причем каждый отвод (13) и (14) через резистор (11) и (12) подключен к базе транзистора (1) и (2), эмиттер которого соединен с крайним выводом (8) и (9) той же дополнительной обмотки. Коллекторно-эмиттерные переходы Т (1) и (2) зашунтированы диодами (3) и (4) в запирающем направлении. Коллектор Т (1) подключен к затвору, а коллектор Т (2) - к истоку МДП-транзистора (10). 1 ил.