Электронная коммутация или стробирование, т.е. без размыкания или замыкания контактов: .....с использованием трансформаторной связи – H03K 17/691

Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Технический результат: повышение надежности и помехоустойчивости. Достигается тем, что силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор, два резистора и транзистор, база-эмиттерный переход которого зашунтирован одним резистором, а эмиттер соединен с началом вторичной обмотки трансформатора, конец которой соединен с истоком МДП-транзистора и через другой резистор с базой транзистора, введен стабилитрон, который включен в стабилизирующем направлении относительно перехода база-коллектор транзистора. 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в электронных ключах, преимущественно на основе полевых транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором. Технический результат: расширение функциональных возможностей и повышение надежности устройства. Достигается тем, что в схему управления силовым ключом на МДП-транзисторе, содержащую силовой транзистор и изолирующий трансформатор, введены управляемый генератор, первый конденсатор, второй конденсатор, источник питания, первый резистор, второй резистор, третий резистор, датчик тока, выпрямитель, первый ключ, второй ключ, третий ключ, схема ИЛИ, схема НЕ, схема защиты и изолированный от схемы управления источник питания, при этом ключ схемы управления первым выводом соединен с эмиттером транзистора управляемого генератора, анодом диода и общим выводом первой и второй обмоток изолирующего трансформатора, второй вывод первой обмотки соединен с первым выводом первого конденсатора, второй вывод которого соединен с коллектором транзистора управляемого генератора и первым выводом первого резистора, второй вывод которого соединен с первым выводом второго резистора и с плюсом источника питания, второй вывод второго резистора соединен с базой транзистора управляемого генератора, катодом диода и первым выводом третьего резистора, второй вывод которого соединен с первым выводом второго конденсатора, второй вывод которого соединен со вторым выводом второй обмотки изолирующего трансформатора, третья обмотка изолирующего трансформатора соединена с выпрямителем, выход которого соединен с управляющим входом первого ключа, первый выход которого соединен с плюсом изолированного источника, второй выход первого ключа соединен с первым выводом первого резистора затвора, второй вывод которого соединен с затвором силового транзистора и с первым выводом второго резистора затвора, второй вывод которого соединен с первым выходом второго ключа, второй выход которого соединен с минусом изолированного источника, управляющий вход второго ключа соединен с выходом схемы ИЛИ, первый вход которой соединен с выходом схемы НЕ, вход которой соединен с выходом выпрямителя и управляющим входом первого ключа, второй вход схемы ИЛИ соединен с выходом схемы защиты и управляющим входом третьего ключа, который первым и вторым выходами соединен с четвертой обмоткой изолирующего трансформатора, вход схемы защиты соединен с выходом датчика тока, первый вход которого соединен с истоком силового транзистора, а второй вход - с клеммой ВЫХ 2, сток силового транзистора соединен с клеммой ВЫХ 1 силового ключа. 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении надежности. В устройство введены два тиристора, которые включены встречно-параллельно между началом вторичной обмотки и затвором МДП-транзистора. Управляющий электрод тиристора, катод которого соединен с началом вторичной обмотки, через резистор соединен с ее концом, а управляющий электрод другого тиристора, катод которого соединен с затвором МДП-транзистора, через резистор соединен с началом дополнительной вторичной обмотки, конец которой подключен к затвору МДП-транзистора. 1 ил.

Предлагаемое изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение надежности. Поставленная цель достигается тем, что в силовой ключ введен симистор (предназначенный для работы в I и III квадрантах), первый силовой электрод которого (со стороны управляющего электрода) подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, управляющий электрод симистора подключен через резистор к концу вторичной обмотки трансформатора, а второй силовой электрод симистора подключен к затвору МДП-транзистора. 1 ил.

Предлагаемое изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Целью настоящего изобретения является повышение надежности и уменьшение габаритов. Технический результат достигается тем, что силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий резистор, транзисторы одинаковой проводимости, базоэмиттерные переходы которых зашунтированы диодами в запирающем направлении, коллектор одного из транзисторов подключен к затвору МДП-транзистора, а коллектор другого транзистора подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора, трансформатор имеет дополнительную вторичную обмотку, базы транзисторов соединены через резистор, а дополнительная вторичная обмотка включена между эмиттерами транзисторов, причем начало дополнительной вторичной обмотки подключено к эмиттеру того транзистора, коллектор которого подключен к затвору МДП-транзистора. 1 ил.

Предлагаемое изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Целью настоящего изобретения является повышение надежности и уменьшение габаритов. Технический результат достигается тем, что силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий транзисторы одинаковой проводимости, коллекторно-эмиттерные переходы которых зашунтированы диодами в запирающем направлении, а переходы база-эмиттер резисторами, коллектор одного из транзисторов подключен к затвору МДП-транзистора, а коллектор другого транзистора подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора, трансформатор имеет дополнительную вторичную обмотку, базы транзисторов соединены непосредственно, а дополнительная вторичная обмотка включена между эмиттерами транзисторов, причем начало дополнительной вторичной обмотки подключено к эмиттеру того транзистора, коллектор которого подключен к затвору МДП-транзистора. 1 ил.

Предлагаемое изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Целью настоящего изобретения является повышение надежности и уменьшение габаритов. Технический результат достигается тем, что силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий транзисторы одинаковой проводимости, коллекторно-эмиттерные переходы которых зашунтированы диодами в запирающем направлении, резистор, коллектор одного из транзисторов подключен к затвору МДП-транзистора, а коллектор другого транзистора подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора, трансформатор имеет дополнительную вторичную обмотку со средней точкой, базы транзисторов соединены непосредственно, а дополнительная вторичная обмотка включена между эмиттерами транзисторов, причем начало дополнительной вторичной обмотки подключено к эмиттеру того транзистора, коллектор которого подключен к затвору МДП-транзистора, а средняя точка дополнительной вторичной обмотки трансформатора через резистор соединена с базами транзисторов. 1 ил.

Предлагаемое изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Целью настоящего изобретения является повышение надежности и помехоустойчивости. Технический результат достигается тем, что эмиттеры и базы двух взаимодополняющих транзисторов соединены непосредственно, эмиттеры транзисторов подключены к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой подключен к истоку МДП-транзистора и через резистор к базам транзисторов, коллекторы которых через диоды в отпирающем направлении подключены к затвору МДП-транзистора. 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике для использования в безконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении надежности, КПД и помехоустойчивости. Технический результат достигается тем, что в силовой ключ на МДП-транзисторе (11), содержащий транзисторы (Т) (1, 2), базо-эмиттерные переходы которых зашунтированы резисторами (5, 6), а коллектор-эмиттер - диодами (3, 4) в запирающем направлении, коллектор Т (2) подключен к затвору МДП-транзистора (11), эмиттеры Т (1, 2) соединены, а коллектор Т (1) подключен к началу вторичной обмотки (9) трансформатора (ТР) (7), конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора (11). Кроме того, в ТР (7) введена дополнительная вторичная обмотка (10) с понижающим коэффициентом трансформации относительно вторичной обмотки (9), подключенная к базам Т (1, 2). 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике для использования в безконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении надежности, КПД и помехоустойчивости. Технический результат достигается введением в трансформатор (5) дополнительной обмотки, крайние выводы которой подключены к базам транзисторов (1 и 2), эмиттеры которых соединены и через резистор (9) подключены к средней точке дополнительной обмотки, а коллекторно-эмиттерные переходы зашунтированы диодами (3 и 4) в запирающем направлении. Коллектор Т (1) подключен к началу вторичной обмотки ТР (5), конец которой подключен к истоку МДП-транзистора (10), затвор которого соединен с коллектором Т (2). 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике для использования в безконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении КПД и помехоустойчивости. Технический результат достигается тем, что в силовой ключ на МДП-транзисторе (10), содержащий транзисторы (Т) (1, 2), между базами которых включен резистор (Р) (9), а базо-эмиттерные переходы зашунтированы диодами (3, 4) в запирающем направлении, коллектор Т (2) подключен к затвору МДП-транзистора (10), эмиттеры Т (1, 2) соединены, а коллектор Т (1) подключен к началу вторичной обмотки (7) трансформатора (ТР) (5), конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора (10). Кроме того, в ТР (5) введена дополнительная вторичная обмотка (8) с понижающим коэффициентом трансформации относительно вторичной обмотки (7), подключенная последовательно с Р (9) к базам Т (1, 2). 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике для использования в безконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении надежности и КПД. Технический результат достигается выполнением трансформатора (ТР) (5) с дополнительными отводами (13), (14), образующими две дополнительные обмотки относительно крайних выводов, причем каждый отвод (13) и (14) через резистор (11) и (12) подключен к базе транзистора (1) и (2), эмиттер которого соединен с крайним выводом (8) и (9) той же дополнительной обмотки. Коллекторно-эмиттерные переходы Т (1) и (2) зашунтированы диодами (3) и (4) в запирающем направлении. Коллектор Т (1) подключен к затвору, а коллектор Т (2) - к истоку МДП-транзистора (10). 1 ил.