лента для выводных рамок полупроводниковых приборов и интегральных схем
Классы МПК: | H01L23/48 приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода, вводы |
Автор(ы): | Кравченко Л.Л., Кузьминов В.Н., Думбров В.И., Гиоев Э.В., Катаев Р.С., Зубарев Ю.Б., Колычев В.П., Бублик А.А., Кокоев А.Н., Родин И.В. |
Патентообладатель(и): | Кокоев Анатолий Николаевич |
Приоритеты: |
подача заявки:
1993-06-22 публикация патента:
19.06.1995 |
Сущность изобретения: лента для выводной рамки полупроводниковых приборов содержит основу, выполненную из железа, никеля или сплавов на их основе, и медьсодержащий поверхностный слой, в который методом термодиффузии введен цинк в количестве 1 - 4% и/или на который плакированием нанесена полоса алюминия толщиной 1 - 9 мкм. 2 з.п. ф-лы.
Формула изобретения
1. ЛЕНТА ДЛЯ ВЫВОДНЫХ РАМОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, содержащая металлическую основу и медьсодержащий поверхностный слой, отличающаяся тем, что медьсодержащий слой, полученный плакированием, содержит 1 4% цинка и/или на него нанесена полоса алюминия, при этом толщина полосы алюминия равна 1 9 мкм, а в качестве металла основы выбраны железо, или никель, или сплавы на их основе. 2. Лента по п.1, отличающаяся тем, что цинк в медьсодержащий слой введен путем термической диффузии, при этом толщина латунного диффузионного слоя составляет 1 5 мкм. 3. Лента по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что алюминиевая полоса сформирована плакированием.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС). Известна выводная рамка, основа которой выполнена из металла. Рамка имеет основные части, предназначенные для присоединения кристалла и проволочных выводов, на поверхности которых непосредственно или с использованием никелевого покрытия сформирована зеркальная гальваническая пленка серебра. Над этой пленкой серебра сформирована матовая пленка гальваническая пленка серебра [1]Недостатками этого способа являются наличие слоя никеля, ухудшающего теплоэлектропроводность полупроводниковых приборов и ИС, а также необходимость дополнительного нанесения слоя серебра для качественного присоединения внутренних выводов. Этот процесс трудоемок и требует больших энергетических затрат. Известна также выводная рамка для полупроводниковых приборов и ИС, состоящая из медного сплава и медного поверхностного слоя [2] При этом в приповерхностный слой ленточной заготовки из медного сплава, содержащего не менее 0,05% одного или более элементов из ряда Fe, Si, P, Ni, проводят диффузию цинка. Концентрация цинка в приповерхностном слое должна составлять 5-30% При пайке выводов рамки при диффузии цинка в припой не образуется

Класс H01L23/48 приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода, вводы