способ получения селена
Классы МПК: | C01B19/02 элементарный селен или теллур |
Автор(ы): | Долгов С.Г., Комов И.А., Санжанов А.И. |
Патентообладатель(и): | Федеральное государственное унитарное предприятие "ПО Электрохимический завод" |
Приоритеты: |
подача заявки:
2002-04-10 публикация патента:
27.02.2004 |
Изобретение относится к способам получения элементарного селена высокой чистоты из гексафторида селена. Для осуществления способа исходный гексафторид селена восстанавливают водородом в тлеющем электрическом разряде при давлении (4-6)102 Па и мольном соотношении гексафторида селена и водорода, равном 1: (5-6,5). Способ обеспечивает получение селена с высоким выходом. После промывки водой и сушки полученный селен соответствует марке СТО по ГОСТ 10298-79 "Селен. Технические условия". 2 з.п.ф-лы.
Формула изобретения
1. Способ получения селена, заключающийся в восстановлении гексафторида селена реагентом-восстановителем, отличающийся тем, что в качестве реагента-восстановителя используют водород, а процесс восстановления проводят в тлеющем электрическом разряде.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при давлении (4-6)
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к способу получения селена из гексафторида селена и может быть использовано для получения элементарного селена высокой чистоты. Известны способы получения элементарного селена из газообразного гексафторида селена путем его восстановления щелочными металлами (калием при 60oС, натрием и литием при 500oС), сурьмой при 100oС, мышьяком при 180oС, кремнием при 250oС [1]. Недостатком известных способов является необходимость ведения процесса при повышенных температурах, что усложняет аппаратурное оформление процесса, приводит к загрязнению селена элементами-восстановителями и продуктами коррозии материала реактора, от которых требуется дополнительная очистка, что снижает выход целевого продукта - селена высокой чистоты. Известен также способ получения элементарного селена из гексафторида селена путем его восстановления водным раствором гидразин-гидрата с последующей обработкой соляной кислотой [2]. Недостатком способа является его низкая производительность. Наиболее близким к заявленному является способ получения элементарного селена [3] путем восстановления газообразного гексафторида селена газообразным аммиаком при 200-300oС. При этих температурах образующийся селен конденсируется на поверхности реактора в виде жидкости (т. пл. селена 217oС), реагируя при этом с конструкционными материалами, от которых требуется очистка, обуславливая тем самым снижение выхода целевого продукта. Задачей изобретения является получение селена высокой чистоты с высоким выходом. Для этого предлагается способ взаимодействия гексафторида селена с реагентом-восстановителем, а именно с водородом, в тлеющем электрическом разряде. Согласно изобретению процесс ведут при давлении (4





1. Бэгналл К. Химия селена, теллура и полония, - М.: Атомиздат, 1971 г., с.99. 2. Патент RU 2078029, Способ получения селена. 3. Кудрявцев А.А. Химия и технология селена и теллура, - М.: Металлургия, 1968 г., с.76.
Класс C01B19/02 элементарный селен или теллур