способ получения элементного теллура

Классы МПК:C01B19/02 элементарный селен или теллур
Автор(ы):, , , , , ,
Патентообладатель(и):Федеральное государственное унитарное предприятие "Сибирский химический комбинат" Министерства Российской Федерации по атомной энергии (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2002-08-19
публикация патента:

Изобретение относится к способу получения элементного теллура и может быть использовано для получения изотопов теллура, применяемых в медико-биологических исследованиях и в приборах технологического контроля. Способ включает обработку гексафторида теллура спиртовым раствором щелочи и взаимодействие полученного спиртового раствора соединений теллура сначала с соляной кислотой, а затем - со смесью сернистого ангидрида в пиридине и гидразинсодержащего раствора, при котором происходит восстановление элементного теллура, и он выпадает в осадок. Осадок выделяют из слабокислой реакционной смеси фильтрацией. При этом восстановление соляной кислотой и смесью сернистого ангидрида в пиридине и гидразинсодержащего раствора проводят в две стадии: сначала из реакционной смеси осаждают основное количество теллура, а затем из фильтрата - остальное. Выход элементного теллура, не содержащего примеси окислов теллура, составляет не менее 96 %.

Формула изобретения

Способ получения элементного теллура, отличающийся тем, что гексафторид теллура обрабатывают спиртовым раствором щелочи и проводят восстановление теллура сначала соляной кислотой, а затем смесью сернистого ангидрида в пиридине и гидразинсодержащего раствора.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к способу получения элементного теллура и может быть использовано для получения изотопов теллура, применяемых в медико-биологических исследованиях и в приборах технологического контроля.

Известен способ получения элементного теллура высокой чистоты (RU 95106246, С 01 В 19/02, опубл. 20.08.1996, Бюл. №23), согласно которому получение элементного теллура ведут в двух сообщающихся сосудах. В один из сосудов помещают теллуросодержащий сплав Te1-xClx, где x=0,40 - 0,66. Сосуды герметизируют, и сплав нагревают до 425-450способ получения элементного теллура, патент № 2230025С. После выделения твердого теллура в первом сосуде примеси в жидкой фазе конденсируют во втором, который затем герметизируют (прототип).

Задачей изобретения является расширение арсенала средств получения элементного теллура.

Поставленную задачу решают тем, что в способе получения элементного теллура гексафторид теллура обрабатывают спиртовым раствором щелочи и проводят восстановление теллура сначала соляной кислотой, а затем смесью сернистого ангидрида в пиридине и гидразинсодержащего раствора.

Способ осуществляют следующим образом.

Гексафторид теллура направляют на взаимодействие с заданным количеством гидроокиси натрия в этиловом спирте, взаимодействие осуществляют при комнатной температуре. Происходит быстрое и полное поглощение гексафторида теллура раствором. К полученному раствору, содержащему продукты взаимодействия гексафторида теллура с гидроокисью натрия в этиловом спирте - комплексные соли теллура - приливают заданное количество 2-4 N соляной кислоты при 90-100способ получения элементного теллура, патент № 2230025С, а затем - заданные количества 3-4 М сернистого ангидрида в пиридине и солянокислого гидразина с концентрацией 15-20%. Восстановление элементного теллура и формирование осадка, удобного для фильтрования, происходит в присутствии пиридина, в течение 15-20 минут. В осадок выпадает большая часть теллура. Полученный осадок выделяют из слабокислой среды фильтрацией. К фильтрату снова добавляют 2-4 N соляную кислоту и смесь 3-4 М сернистого ангидрида в пиридине и 15-20%-ного солянокислого гидразина, при этом из фильтрата выпадает в осадок остальное количество теллура. Осадок теллура промывают дистиллированной водой, спиртом и сушат. Полученный теллур представляет собой хрупкие комки темно-серого цвета, не содержит примеси окислов теллура, общий выход теллура составляет не менее 96%.

Пример.

Во фторопластовый реактор, отвакуумированный до остаточного давления 1способ получения элементного теллура, патент № 223002510-2 мм рт.ст. (1,33 Па), подают заданное количество газообразного гексафторида теллура, затем вливают заданное количество раствора гидроокиси натрия в этиловом спирте. Гексафторид теллура полностью переходит в раствор в течение нескольких минут. Полученный спиртовый раствор соединений теллура обрабатывают заданным количеством 2-4 N соляной кислоты при 90-100способ получения элементного теллура, патент № 2230025С в течение 10-15 минут, после чего в реактор приливают заданные количества 3-4 М сернистого ангидрида в пиридине и солянокислого гидразина с концентрацией 15-20%, рН реакционной смеси 6,5. Через 15-20 минут большая часть теллура выпадает в осадок (около 90%), который отфильтровывают. К фильтрату добавляют заданные количества соляной кислоты, затем 3-4 М сернистого ангидрида в пиридине и 20%-ного солянокислого гидразина, при этом выпадает в осадок остальной теллур (около 8%). Осадок теллура промывают теплой дистиллированной водой, этиловым спиртом и сушат. Получают порошкообразный теллур с выходом около 98%.

Предлагаемый способ может быть применен для восстановления изотопов элементного теллура из изотопнообогащенных фракций гексафторида теллура.

Класс C01B19/02 элементарный селен или теллур

способ обогащения изотопов селена -  патент 2307701 (10.10.2007)
способ осаждения элементарного селена из кислых растворов, содержащих se(vi) -  патент 2285662 (20.10.2006)
способ осаждения элементарного селена из кислых сульфатных растворов, содержащих se (vi) -  патент 2275327 (27.04.2006)
способ получения селена -  патент 2224711 (27.02.2004)
способ получения теллура высокой чистоты -  патент 2085482 (27.07.1997)
способ получения селена -  патент 2078029 (27.04.1997)
Наверх