способ изготовления микросхем

Формула изобретения

Способ изготовления k штук микросхем, отличающийся тем, что n штук элементов устанавливают на общее диэлектрическое основание с внешними выводами, на поверхность которого затем наносят герметизирующий компаунд так, чтобы он, обволакивая установленные элементы, растёкся по поверхности общего диэлектрического основания с внешними выводами, удерживаясь на нём за счёт сил поверхностного натяжения, сформированную таким образом единую заготовку разделяют на части.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве микросхем.

В качестве прототипа выбран способ изготовления микросхем, заключающийся в том, что n штук элементов устанавливают на кристаллодержателях выводов, объединенных внешней рамкой. Кристаллодержатели выводов с элементами размещают в оснастке, имеющей k формообразующих индивидуальный корпус микросхемы полостей, которые затем заполняют герметизирующим компаундом. После этого вывода отделяют от внешней рамки, получая k штук микросхем [1].

Целью изобретения является создание группового способа изготовления микросхем без использования формообразующей оснастки.

Поставленная цель достигается тем, что n штук элементов устанавливают на общее диэлектрическое основание с внешними выводами. Под установкой элементов подразумевается их механическое закрепление на общем диэлектрическом основании и электрическое соединение с внешними выводами и между собой в соответствии с функциональным назначением микросхемы. В качестве элементов могут служить полупроводниковые кристаллы, пленочные и/или чип - электронные компоненты. Описываемый способ позволяет изготавливать одновременно, в одной группе, микросхемы с разным количеством элементов и/или различного функционального назначения. В общем случае количество элементов nk. Затем методом, например, окунания наносят герметизирующий компаунд так, чтобы он, обволакивая установленные элементы, растекся по поверхности общего диэлектрического основания с внешними выводами, удерживаясь на нем за счет сил поверхностного натяжения. Нанесенный подобными методами герметизирующий компаунд покрывает всю поверхность общего диэлектрического основания с внешними выводами сплошным слоем. Сформированную таким образом единую заготовку разделяют, например, резкой абразивом с помощью проволоки на части, получая k штук микросхем.

На фигуре 1 представлена последовательность технологических операций изготовления микросхем, n штук элементов 1 устанавливают на общее диэлектрическое основание 2 с внешними выводами 3. Герметизирующий компаунд 4, обволакивая установленные элементы 1, наносят на общее диэлектрическое основание 2. Сформированную таким образом единую заготовку 5, разделяют на части 6, получая k штук микросхем 7. За счет сил поверхностного натяжения верхняя часть индивидуального корпуса микросхем может быть сформирована плоской или куполообразной в зависимости от ширины общего диэлектрического основания с внешними выводами, количества нанесенного герметизирующего компаунда и его вязкости (фигура 2).

Источники информации

1. Патент США № 5317189, кл. H 01 L 23/48, 31.05.94.