Станки или устройства, в том числе вспомогательные, для притирки порошкообразными абразивными веществами: .для обработки плоских поверхностей – B24B 37/04

Изобретение относится к обработке поликристаллических алмазных пластин и изделий из них и может быть использовано для производства элементов микроэлектроники, оптики инфракрасного, видимого и рентгеновского диапазонов. Осуществляют безабразивную полировку поверхности алмазных поликристаллических пластин трением путем взаимодействия поверхности пластин с вращающимся контртелом. Последнее изготавливают из керамики или кварца, которые не вступают в реакцию с поверхностью алмазной пластины при температуре полировки. Дополнительно используют ультрадисперсный порошок меди или оксида меди в качестве вещества, инициирующего термохимическую обработку алмаза. Обработку ведут на воздухе или в атмосфере, содержащей не менее 10% кислорода при температуре, превышающей 400°С. В результате повышается качество обработки алмазных поликристаллических пластин при удешевлении процесса. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретения относятся к области алмазно-абразивной обработки и могут быть использованы при механической обработке алмаза. Обработку поверхности алмаза осуществляют механической деталью, которая движется относительно алмаза. Между поверхностями механической детали и алмаза располагают несвязанные мелкие кристаллические алмазы с возможностью их качения по обрабатываемой поверхности. Создают контакт механической детали с поверхностью алмаза через мелкие кристаллические алмазы на контактной длине, на которой они катятся по поверхности алмаза в соответствии с направлением относительного движения механической детали. Несвязанные кристаллические алмазы, вдавливаясь в обрабатываемую поверхность, образуют на ней микроскопические трещины и обеспечивают ее постепенное истирание. В результате повышается производительность съема материала вне зависимости от ориентации кристаллической структуры обрабатываемого алмаза. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано при производстве изделий микро- и оптоэлектроники для односторонней обработки, преимущественно шлифованием и полированием, пластин стекла, керамики, сапфира, кварца, кремния, арсенида и других материалов. Устройство содержит шлифовально-полировальный стол с приводом вращения и самоустанавливающийся шпиндель 3 с шарнирно закрепленным устройством перемещения шпинделя. Шпиндель выполнен в виде планшайбы с зонами фиксации пластин рабочей стороной к поверхности планшайбы через упруго-эластичную прокладку. Шлифовально-полировальный стол выполнен в виде планшайбы с кольцевой зоной алмазно-абразивных элементов, закрепленных на ее поверхности. Зоны фиксации пластин выполнены из материала с микроотверстиями или порами для подачи вакуума через устройство перемещения шпинделя. Последнее имеет с одного конца вакуумно-плотные втулки, а с другого - вращающийся вакуумно-плотный цанговый соединитель с вакуумным шлангом. В результате повышается производительность процесса при увеличении выхода годных изделий и улучшаются геометрические параметры пластин за счет уменьшения удельных нагрузок и исключения деформации пластин. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области обработки поверхностей сапфировых подложек шлифованием. Способ включает шлифование поверхности каждой сапфировой подложки с использованием абразива, так что первая поверхность имеет ориентацию в с-плоскости. Партия сапфировых подложек содержит по меньшей мере 20 подложек, причем каждая сапфировая подложка имеет первую поверхность, которая имеет (i) ориентацию в с-плоскости, (ii) угол ( _m) дезориентации кристаллографической m-плоскости и (iii) угол ( _а) дезориентации кристаллографической а-плоскости, причем по меньшей мере (а) стандартное отклонение _m угла _m дезориентации ориентировочно не превышает 0.0130 градусов или (b) стандартное отклонение _а угла _а дезориентации ориентировочно не превышает 0.0325 градусов. Технический результат - повышение качества сапфировых подложек, имеющих большие площади поверхности. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 5 ил., 6 табл.

Изобретение относится к области шлифования и полирования, а именно к обработке монокристаллов. Способ включает ориентацию поверхности подложки и химико-механическое полирование с применением абразивной суспензии и полирующей плиты. Ориентированную подложку закрепляют на пластине из тугоплавкого металла. Затем проводят химико-механическое полирование закрепленной на пластине подложки при давлении полирующей плиты на подложку 1÷2 кг/см ² и скорости вращения полирующей плиты 40÷60 м/с. В результате повышается качество выращиваемых монокристаллов 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области полупроводниковых технологий и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых пластин, включающем механическую обработку и химическое травление. Полупроводниковую пластину размещают на поверхности полирующего круга. На его поверхность подают жидкий полировальный состав с воздействием ультразвуковыми колебаниями. Упомянутое воздействие осуществляют на рабочей поверхности рабочих окончаний пьезоэлектрических колебательных систем. Обеспечивают амплитуду колебаний рабочих окончаний, достаточную для мелкодисперсного распыления жидкого полировального состава. Производят формирование множества капель аэрозоля жидкого полировального состава. Средний размер и количество капель определяют из условия получения необходимого количества полировального состава на поверхности полирующего круга и обеспечивают выбором резонансного размера колебательной системы. Форму и размер рабочего окончания колебательной системы и количество выходных отверстий на его рабочей поверхности устанавливают из условия формирования факела распыления с продольным размером на поверхности полирующего круга не менее половины диаметра полирующего круга. В результате обеспечивают получение однородной и ровноплоскостной поверхности полупроводниковой пластины за счет нанесения гарантированного количества полировального состава в каждую точку поверхности полировального круга. 5 ил.

Изобретение относится к области алмазно-абразивной обработки и может быть использовано при изготовлении притиров, применяемых для производства высокоточных деталей. Рабочую поверхность притира получают шлифованием и доводкой с последующим нанесением микроуглублений. Последние наносят сканированием воздушно-абразивной струи по рабочей поверхности притира через сопло на расстоянии от поверхности притира Х=(1...3)d_c с поперечной подачей S=0,7d _о, где d_c - диаметр сопла; d_o - диаметр отпечатка воздушно-абразивной струи на плоскости обработки. Количество n абразивных зерен в штуках, необходимых для формообразования микроуглублений с 50%-ным покрытием рабочей поверхности притира, и время обработки определены соответственно по формулам: n=F_n /F_m и =n/n , где F_n - площадь рабочей поверхности притира; F_m - площадь микроуглубления; n - штучный секундный расход абразивных зерен. В результате повышается производительность создания микроуглублений и равномерность их распределения по поверхности. 3 ил., 2 табл.