Микроструктурные системы – B81B 7/00

Группа изобретений относится к области медицины и может быть использована для мультиплексного анализа. Анализирующее устройство содержит реакционное пространство, два набора индивидуально закодированных микроносителей (2), причем каждый микроноситель является функционализирующим, а каждый микроноситель одного из по меньшей мере двух наборов имеет одинаковую функционализацию, в котором реакционное пространство является микроканалом. При этом микроносители (2) имеют форму относительно сечения микроканала (1), которая позволяет иметь по всей длине микроканала (1) два каких-либо микроносителя (2), расположенных бок о бок без соприкосновения друг с другом и без соприкосновения с периметром микроканала (1). При этом устройство содержит средство (4) для ограничения перемещения микроносителей (2) в продольном направлении микроканала (1), наряду с тем, что жидкости все еще могут протекать, а код микроносителей является указывающим на его функционализацию. Группа изобретений относится также к способу приведения мультиплексного анализа и микросхеме для мультиплексных анализов. Группа изобретений обеспечивает ускорение массопереноса, уменьшение количества образцов, упрощает подготовку и выполнение анализа и облегчает снятие показаний биологических реакций. 3 н. и 14 з.п. ф-лы,18 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области микроэлектроники - устройствам микросистемной техники, выполненным по технологиям микрообработки кремния, и может быть использовано при создании систем терморегуляции нагреваемой поверхности космических аппаратов, либо иных систем, обеспечивающих микроперемещения в горизонтальной плоскости плоской функциональной несущей поверхности относительно неподвижного основания с расположенными на нем термомеханическими микроактюаторами, состоящими как минимум из двух слоев термодеформируемого материала. Заявленное микросистемное устройство терморегуляции поверхности космического аппарата включает: основание из диэлектрического материала с низким коэффициентом теплопроводности с отверстием прямоугольной формы; как минимум два ряда независимых параллельных канала управления из микроактюаторов, расположенные параллельно друг другу вдоль основания (как это показано на фиг.1а, б); отражающий экран, расположенный над микроактюаторами; металлизированные дорожки с электрическими контактами на основании и/или внутри него для электрического контакта с микроактюаторами; направляющие отражающего экрана, закрепленные на основании; полиимидные прижимы, расположенные между направляющими отражающего экрана и отражающим экраном; при этом соседние микроактюаторы в ряду повернуты друг к другу под углом 180 градусов, количество микроактюаторов в каждом ряду равно, количество рядов - четное количество, а количество микроактюаторов в каждом ряду не менее 6, микроактюаторы выполнены с возможностью углового перемещения подвижных элементов на угол не менее 30 градусов; отражающий экран расположен над микроактюаторами так, что ось симметрии отражающего экрана равноудалена от каждой пары рядов микроактюаторов (как это показано на фиг.1а, б); свободная поверхность основания покрыта с обеих сторон материалом с высоким коэффициентом отражения; усилие на подвижных элементах микроактюаторов такое, что суммарно для всех микроактюаторов оно оказывается достаточным для преодоления силы трения между отражающим экраном и микроактюаторами. Техническим результатом заявленного изобретения является:

- уменьшение массогабаритных параметров за счет линейного перемещения подвижного элемента в одной плоскости;

- работоспособность системы в условиях открытого космоса, а также устойчивость к жестким температурным условиям эксплуатации;

- уменьшение потерь на трение между элементами конструкции;

- увеличение эффективности работы системы за счет активного управления и за счет полного закрытия защищаемой поверхности отражающим экраном;

- уменьшение напряжения питания до бортового;

- увеличение надежности за счет применения микроприводов, устойчивых к многократным изгибам;

- уменьшение энергопотребления за счет режима работы, подразумевающего активность системы, и, как следствие, энергопотребление, только в момент осуществления передвижения экрана, то есть в момент изменения температурного режима защищаемого объекта и/или окружающей среды;

- возможность изготовления систем терморегуляции групповыми методами по стандартным технологиям микрообработки кремния и механообработки элементов конструкции. 14 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектрических систем (НиМЭМС), предназначенных для использования в системах управления, контроля и диагностики объектов длительного функционирования. Способ изготовления заключается в полировании поверхности мембраны, формировании на ней диэлектрической пленки и тензоэлементов с низкоомными перемычками и контактными площадками между ними с использованием шаблона тензочувствительного слоя, имеющего конфигурацию тензоэлементов в зонах, совмещаемых с низкоомными перемычками и контактными площадками. При этом формирование тензоэлементов с низкоомными перемычками и контактными площадками между ними проводят в областях, в которых воздействующие на них при эксплуатации деформации и температуры удовлетворяют соответствующему соотношению. После формирования измеряют размеры и площадь элементов и переходов НиМЭМС с учетом количества, размеров и распределения дефектов, затем вычисляют по ним критерий временной стабильности по соответствующему соотношению. Если критерий временной стабильности меньше, чем предельно допустимое значение критерия временной стабильности, которое определяется экспериментальным путем по статистическим данным для конкретного типоразмера датчика, то данную сборку передают на последующие операции. Технический результат заключается в повышении временной стабильности, ресурса и срока службы. 2 ил.

Микроэлектромеханический ракетный двигатель предназначен для использования в составе космических разгонных блоков, наноспутников. Микроэлетромеханический ракетный двигатель выполнен в виде структуры из полупроводниковых кристаллов кремния, расположенных один над другим, в одном из которых выполнена камера сгорания с топливным элементом, и содержит блок поджига топлива с металлическими проводниками. Камера сгорания с топливным элементом выполнена в виде нанокристаллического пористого кремния глубиной не более 60 мкм, поры которого насыщены водородом и допированным нитратом калия. Во второй пластине выполнено сопло, расположенное симметрично нанокристаллическому пористому кремнию и сочленное с ним через металлические проводники. Изобретение направлено на упрощение и удешевление процесса изготовления двигателя, обеспечение высокой надежности двигателя по сопутствующим работе двигателя температурам, механическим нагрузкам, режиму работы двигателя и обеспечение нормальной газодинамической функции за счет предлагаемой конструкции и топлива. 1 ил.

Способ изготовления по меньшей мере двух типов электромеханических устройств, имеющих различные раскрепленные состояния после удаления временного слоя, состоит в следующем. Берут подложку, по меньшей мере на части подложки формируют первый электропроводящий слой. По меньшей мере на части первого электропроводящего слоя формируют первый временный слой. Поверх первого временного слоя формируют электропроводящие подвижные элементы, каждый из которых имеет деформируемый слой, выполненный с возможностью перемещения в зазоре после удаления указанного временного слоя. Поверх подложки формируют регуляторы прогиба, выполненные с возможностью поддерживания электропроводящих подвижных элементов после удаления первого временного слоя, при этом по меньшей мере часть по меньшей мере одного регулятора прогиба соединена с частью деформируемого слоя подвижного элемента и расположена выше нее, так что указанная часть деформируемого слоя, соединенная по меньшей мере с одним регуляторов прогиба, расположена между указанным по меньшей мере одним регулятором прогиба и подложкой. Первый временный слой выполнен с возможностью удаления для раскрепления электромеханических устройств и формирования посредством регуляторов прогиба между первым электропроводящим слоем и подвижными элементами зазоров различной глубины. 9 н. и 22 з.п. ф-лы, 43 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектромеханических систем, в частности интегральных микромеханических реле и устройств на их основе: силовых переключателей, схем памяти, сенсорных датчиков, систем обработки информации и др. Способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, состоящее из подложки, покрытой диэлектрическим слоем с нижним (неподвижным) электродом, и подвижного электрода, состоящего последовательно из нижнего токопроводящего слоя, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, среднего токопроводящего слоя, пьезоэлектрического слоя, верхнего токопроводящего слоя, расположенного на поверхности вышеупомянутой подложки, осуществляется на поверхности кремниевых пластин. Создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем осуществляют в едином технологическом цикле при упрощенной технологии изготовления, совместимой с технологией производства интегральных схем, в которой формирование подвижного электрода возможно в виде консоли или в виде балки и включает операции: формирования на поверхности кремниевой подложки пленки Si₃N₄ методом пиролиза SiN₄; напыление слоя TiN и формирование структуры «нижний электрод» методом проекционной фотолитографии и плазмохимического травления слоя TiN; осаждение слоя ФСС (фосфатно-силикатного стекла) методом химического осаждения из газовой фазы и формирование на его основе жертвенного слоя методом жидкостного химического травления; напыление первого слоя TiN; осаждение диэлектрического слоя Si₃N₄; напыление второго слоя TiN; осаждение пьезоэлектрического слоя ЦТС; напыление третьего слоя TiN; плазмохимическое травление слоев: третьего слоя TiN, слоя ЦТС, второго слоя TiN, слоя Si₃N₄, первого слоя TiN с формированием подвижного многослойного электрода и вскрытием жертвенного слоя ФСС, жидкостное химическое травление жертвенного слоя ФСС с образованием воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами. Технический результат: использование в качестве подвижного электрода микромеханического реле многослойной структуры с пьезоэлектрическим слоем на основе сегнетоэлектриков приводит к повышению надежности и к увеличению долговечности работы микромеханического реле. Использование микроэлектронной технологии для производства микромеханического реле позволяет минимизировать размеры устройства до 20-80 мкм и упростить технологию его производства. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к способу изготовления составного микромеханического компонента, сочетающему процессы глубокого реактивного ионного травления и литографии, гальванопластики и формования. Сущность изобретения: способ изготовления составного микромеханического компонента из кремния и металла включает следующие этапы: подготовку подложки, включающей верхний и нижний слои кремния, между которыми проходит промежуточный слой оксида кремния, избирательное травление по меньшей мере одной полости в верхнем слое для ограничения рисунка кремниевой части этого компонента, продолжение травления этой по меньшей мере одной полости в промежуточном слое, при этом в способе дополнительно выращивают металлический слой по меньшей мере от одного участка указанной по меньшей мере одной полости с целью создания металлической части в толще компонента для изоляции кремниевой части микромеханического компонента от разрушающих механических напряжений и отделяют составной микромеханический компонент от подложки. Изобретение обеспечивает получение составных микромеханических компонентов, приспособленных для изготовления часов. 3 н. и 29 з.п. ф-лы, 12 ил.

Устройства МЭМС изготавливают следующим образом. Берут подложку. Наносят на нее электродный слой. Наносят поверх электродного слоя временный слой. Формируют во временном слое рельеф с образованием отверстий. Наносят поверх временного слоя подвижный слой. Формируют поддерживающие структуры, расположенные над подвижным слоем и по меньшей мере частично в отверстиях в временном слое. Между по меньшей мере двумя поддерживающими структурами проходит участок подвижного слоя. Травят временный слой для его удаления, благодаря чему между подвижным слоем и электродным слоем образуется полость. Участок подвижного слоя выполнен с возможностью деформации и прижима к нижележащим слоям в ответ на образование электростатического потенциала между подвижным слоем и электродным слоем. 8 н. и 120 з.п. ф-лы, 101 ил.

Дисплей содержит средства пропускания света и средства обеспечения интерференции при отражении света, пропущенного через средства пропускания света. Средства обеспечения интерференции при отражении света содержат поглощающее вещество и подвижный отражающий слой. Поглощающее вещество расположено на части средств пропускания света. Подвижный отражающий слой расположен на поглощающем веществе. Коэффициент поглощения (k) поглощающего вещества ниже порогового значения для длин световых волн в рабочем оптическом диапазоне средств обеспечения интерференции при отражении света. Показатель преломления (n) поглощающего вещества возрастает по мере увеличения длины световой волны в рабочем оптическом диапазоне средств обеспечения интерференции при отражении света. Средства обеспечения интерференции при отражении света выполнены с возможностью отражения широкодиапазонного белого света в рабочем оптическом диапазоне. Технический результат - регулирование спектральных свойств отраженного широкодиапазонного белого света с высокой интенсивностью излучения. 4 н. и 38 з.п. ф-лы, 32 ил., 5 пр.

Изобретение относится к области микросистемной техники и может быть использовано при создании и изготовлении микромеханических устройств, содержащих упругие гибкие деформируемые исполнительные элементы, обеспечивающие преобразование «электрический сигнал - перемещение» и/или «изменение температуры - перемещение» для микроробототехнических систем. Изобретение направлено на расширение диапазона температур, повышение технологичности и надежности, что обеспечивается за счет того, что тепловой микромеханический актюатор включает кремниевую монокристаллическую пластину с ориентацией [100] с меза-структурой, состоящей из параллельных трапециевидных вставок, соединенных полиимидными прослойками, образованными полиимидной пленкой, нагревателя и металлизации нагревателя. При этом, согласно изобретению, полиимидная пленка выполнена из слоя полипиромеллитимида, прилегающего к параллельным трапециевидным вставкам, армированного углеродными нанотрубками с функциональными карбоксильными группами и концентрацией не более 11×10 ^-3 г/см³, и неармированного внешнего слоя полипиромеллитимида. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 2 табл., 8 ил.

Изобретение относится к преобразующим элементам устройств для проведения инерциальных измерений. Измерительный элемент датчика параметров движения на принципах молекулярно-электронного переноса представляет собой разделенные зазором две или более непроводящие пластины со сквозными отверстиями с нанесенными на одной или на обеих пластинах электродами, помещенные в рабочую жидкость. Электроды расположены в указанном зазоре и при протекании через измерительный элемент жидкость последовательно проходит через сквозные отверстия в одной пластине, зазор с электродами и сквозные отверстия во второй пластине. В данной конструкции можно обеспечить малую толщину микроканала, в котором происходит преобразование сигнала, а значит, высокий коэффициент преобразования потока рабочей жидкости в электрический ток. 10 з.п. ф-лы, 11 ил.

Оптическое устройство содержит первый электродный слой. Электрически изолированный первый запирающий слой расположен над первым электродным слоем. Фотопроводящий слой расположен над первым запирающим слоем. Ограничивающий носители слой расположен над фотопроводящим слоем, причем указанный ограничивающий носители слой ограничивает объем и содержит множество ловушек носителей, распределенных по всему указанному объему. Электрически изолированный второй запирающий слой расположен над ограничивающим носители слоем. Светозапорный слой расположен над вторым запирающим слоем и предназначен для блокирования света выбранной полосы длин волн. Отражающий слой расположен над светозапорным слоем и предназначен для отражения света в пределах выбранной полосы длин волн. Двоякопреломляющий или дисперсионный слой расположен над отражающим слоем. Оптически пропускающий второй электродный слой расположен над двоякопреломляющим или дисперсионным слоем. Технический результат - получение больших экранов дисплеев с хорошим разрешением, яркостью и быстрым откликом. 2 н. и 29 з.п. ф-лы, 17 ил.

Изобретение относится к способу эксплуатации емкостного микроэлектромеханического датчика. Датчик содержит по меньшей мере один дифференциальный конденсатор, образованный двумя неподвижными электродами, между которыми упруго подвешен с возможностью смещения под действием внешней силы, которое может быть измерено, и подвижный центральный электрод. Способ эксплуатации емкостного датчика, согласно которому между неподвижными электродами и центральным электродом прикладывают одинаковые, но противоположно направленные возбуждающие напряжения, а отклонение центрального электрода измеряют, при этом компенсируют часть заряда, которая может быть снята с центрального электрода и которая соответствует электростатической восстанавливающей силе и именуется помехой восстановления. Технический результат - значительное повышение точности микроэлектромеханического датчика. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 12 ил.

Устройство предназначено для исследования поверхности образцов после модификации их поверхности. Сканирующий зондовый микроскоп с нанотомом включает базовый элемент, на котором установлен держатель пуансона с пуансоном, сопряженный с первым приводом, держатель образца с образцом, сопряженный со вторым приводом, и сканирующий блок, имеющий возможность сопряжения с образцом. Первый привод выполнен однокоординатным (координата Y), перемещающим пуансон по направлению в сторону образца. Второй привод выполнен однокоординатным (координата X), перемещающим держатель образца с образцом перпендикулярно координате Y. Технический результат - повышение точности измерения, расширение функциональных возможностей устройства. 20 з.п. ф-лы, 18 ил.

Датчик давления повышенной чувствительности на основе нано- и микроэлектромеханической системы с тонкопленочными тензорезисторами. Датчик давления повышенной чувствительности на основе нано- и микроэлектромеханической системы с тонкопленочными тензорезисторами содержит корпус, установленную в нем нано- и микроэлектромеханическую систему (НиМЭМС), состоящую из упругого элемента - мембраны с жестким центром, заделанной по контуру в опорном основании, образованной на ней гетерогенной структуры из тонких пленок материалов, в которой сформированы контактные площадки. Также датчик содержит первые радиальные тензорезисторы из идентичных тензоэлементов, которые расположены по одной окружности на периферии мембраны. А также вторые радиальные тензорезисторы из идентичных тензоэлементов, которые расположены по другой окружности на мембране, соединенные тонкопленочными перемычками, включенные в измерительный мост. Причем радиус жесткого центра определен из соотношения: R _c=0,18R_m, где R_m - радиус мембраны. При этом тензоэлементы вторых радиальных тензорезисторов расположены по окружности, радиус которой определен из соотношения:

Изобретение относится к теплоэнергетике и позволяет генерировать электрическую энергию за счет модуляции теплового потока, проходящего через электрический конденсатор с температуро-зависимой емкостью. Сущность: преобразователь состоит из диэлектрической или полупроводниковой подложки 1, на которой расположен неподвижный электрод 2, покрытый сегнетоэлектрической пленкой 3. На сегнетоэлектрической пленке 3 расположен второй неподвижный электрод 7, покрытый диэлектрической пленкой 8. На теплоизолирующих стенках 4 закрепляется теплопроводящая пластина 5. К пластине 5 прикрепляется один из концов подвижного электрода 6, подвижная часть которого расположена параллельно поверхности диэлектрической пленки 8 с зазором между ними. Подложка 1 и теплопроводящая пластина 5 имеют отличающиеся температуры. При приложении электрического напряжения между электродами подвижный электрод 6 обеспечивает циклический теплообмен между теплопроводящей пластиной 5 и сегнетоэлектрической пленкой 3 путем его перемещения от теплопроводящей пластины 5 к диэлектрической пленке 3. Технический результат: повышение эффективности за счет увеличения частоты, что увеличивает среднюю электрическую мощность на выходе преобразователя. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к микромеханическим, микроэлектромеханическим (МЭМС) и микрооптоэлектромеханическим (МОЭМС) элементам, а также способам их изготовления. Сущность изобретения: в способе изготовления элемента, в частности микромеханического, микроэлектромеханического или микрооптоэлектромеханического элемента, изготавливают первую сборку слоев, включающую первую подложку, на которую нанесен первый слой изоляции, на который, в свою очередь, нанесен по меньшей мере частично проводящий защитный слой, выполняют в защитном слое первые и вторые выемки, причем глубина травления первых выемок больше глубины травления вторых выемок и по меньшей мере равна толщине защитного слоя, и наносят частично проводящий структурный слой на защитный слой таким образом, что структурный слой примыкает по меньшей мере к некоторым участкам защитного слоя. Техническим результатом изобретения является создание элемента, в котором могут быть реализованы пересечения внутренних соединений, в частности мостики над подвижными структурами. 2 н. и 33 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области измерительной и микросистемной техники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам величин ускорения. Акселерометр содержит подложку 1, преобразователь перемещения 2, инерционную массу 3, активные области подвеса 4 и 9, пассивную область подвеса 5, неподвижный электрод 6, подвижный электрод 7, а также два дополнительных подвеса с активными областями 15, 16 и 23, 24 соответственно и с пассивными областями 17 и 25 соответственно, две дополнительные инерционные массы 13 и 21, два дополнительных неподвижных электрода 11 и 19, два дополнительных подвижных электрода 12 и 20 и два дополнительных туннельных преобразователя перемещения 34 и 35. Преобразователь перемещения 2 представляет собой туннельный контакт, образованный неподвижным электродом 6, который представляет собой цилиндрическую оболочку, жестко закрепленную относительно подложки 1. Изобретение позволяет одновременно измерить три взаимно перпендикулярные составляющие ускорения. 3 ил.

Оптическое устройство содержит подложку, содержащую металл, пассивирующий слой, проводящий слой, диэлектрический слой, первый оптический слой, подвижный второй оптический слой. Пассивирующий слой расположен на подложке и обеспечивает электрическую изоляцию для предохранения других структур, расположенных на подложке, от закорачивания на подложку. Проводящий слой расположен на пассивирующем слое. Диэлектрический слой расположен на проводящем слое. Первый оптический слой является по меньшей мере частично пропускающим и по меньшей мере частично отражающим для падающего света. Подвижный второй оптический слой является по меньшей мере частично отражающим для падающего света, отнесен от первого оптического слоя и расположен между первым оптическим слоем и диэлектрическим слоем. Первая полость задана между вторым оптическим слоем и диэлектрическим слоем. Вторая полость задана между вторым оптическим слоем и первым оптическим слоем. Второй оптический слой перемещается между первым и вторым положениями, модулируя отражательную способность устройства, в ответ на напряжения, прикладываемые между проводящим слоем и вторым оптическим слоем. Технический результат - избирательное поглощение и/или отражение света благодаря использованию оптической интерференции. 5 н. и 26 з.п. ф-лы, 65 ил.

Заявленная группа изобретений относится к устройствам и способам измерения электрической мощности. Устройство для измерения электрической мощности содержит: средства для преобразования напряжения в ток в кремниевом микромеханическом элементе, находящемся в силовом взаимодействии с проводником; средства для определения силы взаимодействия между кремниевым микромеханическим элементом и проводником. Сила взаимодействия прямо пропорциональна произведению напряжения и тока. Особенностью предлагаемого способа измерения электрической мощности является то, что напряжение преобразуют в ток в кремниевом микромеханическом элементе, находящемся в силовом взаимодействии с проводником. Определяют силу взаимодействия между кремниевым микромеханическим элементом и проводником. Техническим результатом группы изобретений является упрощение измерения электрической мощности. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к радиотехнике сверхвысокой частоты (СВЧ) и может быть использовано в радиосистемах, например в перестраиваемых радиолокационных системах. Микроэлектромеханический (МЭМ) ключ включает в себя подложку 1, выполненную из диэлектрического или полупроводникового материала, на которой расположены управляющий электрод 2, высокочастотный электрод 3 и один из концов подвижного электрода 4, подвижная часть которого расположена параллельно поверхности управляющего электрода 2 с зазором между ними. Также МЭМ-ключ включает в себя упругую пластину 5, расположенную между подвижным электродом 4 и подложкой 1 и закрепленную одним концом на подложке 1. Форма и размеры упругой пластины 5 оставляют открытой поверхность управляющего 2 и СВЧ 3 электродов, а под свободным концом упругой пластины 5 выполнено в подложке 1 углубление 6 для перемещения упругой пластины 5. В упругой пластине 5 выполнены вырезы, размеры которых превышают соответственно размеры управляющего 2 и высокочастотного 3 электродов. Длина подвижной части упругой пластины 5 меньше длины полости до управляющего электрода 2. Техническими результатами являются снижение управляющего электрического напряжения и повышение быстродействия МЭМ-ключа. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам, предназначен для использования в различных областях науки, связанных с измерением давления в условиях воздействия нестационарных температур и повышенных виброускорений. Техническим результатом изобретения является уменьшение погрешности измерения в условиях воздействия нестационарной температуры окружающей среды и повышенных виброускорений за счет уменьшения различия температур тензоразисторов и термоэлектрических неоднородностей путем уменьшения расстояния и повышения теплопроводности между ними. Тензорезисторный датчик давления содержит корпус, круглую мембрану с периферийным основанием, соединенные тонкопленочными перемычками из низкоомного материала и включенные соответственно в противоположные плечи измерительного моста окружные и радиальные тензорезисторы, выполненные в виде соединенных тонкопленочными перемычками одинакового количества, имеющих одинаковую форму тензоэлементов, расположенных по окружности на периферии мембраны. Выводные проводники соединяют тензорезисторы с гермовыводами. Тонкопленочные перемычки, которыми соединены тензоэлементы окружных и радиальных тензорезисторов, частично замкнуты дополнительными перемычками. Диаметр мембраны и расстояния между гермовыводами выполнены минимально возможными. Гермовыводы или их части, непосредственно контактирующие с выводными проводниками и проводами, выполнены из материалов, которые имеют минимально возможную разность коэффициентов термоэдс с материалами выводных проводников и проводами. Мембрана, периферийное основание, корпус, выводные проводники, гермовыводы, провода или их части, расположенные симметрично их продольным осям, выполнены из материалов с максимально возможным высоким коэффициентом теплопроводности. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области магнитных наноэлементов на основе многослойных металлических наноструктур с магниторезистивным эффектом и может быть использовано для преобразования высокочастотного магнитного поля в электрический сигнал. Технический результат - создание высокочастотного магниточувствительного наноэлемента на основе тонкопленочных резистивных полосок, обладающего требуемой амплитудо-частотной характеристикой (АЧХ) и высокими техническими характеристиками. Указанный технический результат достигается тем, что в высокочастотном магниточувствительном наноэлементе, содержащем подложку с диэлектрическим слоем, верхний и нижний защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка с осью легкого намагничивания, направленной под углом к продольной оси тонкопленочной магниторезистивной полоски, над тонкопленочной магниторезистивной полоской сформирован первый изолирующий слой с планарным проводником, закрытым вторым изолирующим слоем, поверх которого расположен поверхностный защитный слой, тонкопленочная магниторезистивная полоска состоит из тонкопленочных магниторезистивных участков различной ширины и длины, причем длина и ширина указанных тонкопленочных магниторезистивных участков разнится в пределах от полутора до трех раз. 5 ил.

Оптическое устройство содержит подложку, один или более интерферометрических светомодулирующих элементов, расположенных на подложке. Каждый из интерферометрических светомодулирующих элементов имеет оптическую характеристику, которая изменяется в ответ на напряжение, прилагаемое к этому элементу, и электропроводную оптическую маску, расположенную на подложке и отстоящую от интерферометрических светомодулирующих элементов. Маска электрически связана с интерферометрическими светомодулирующими элементами для обеспечения одного или более электрических путей для приложения напряжений к упомянутым интерферометрическим светомодулирующим элементам. Маска содержит первый отражающий слой и второй отражающий слой, выполненные с возможностью интерферометрически модулировать свет. Технический результат - увеличение контраста, подавление отражения окружающего света от любых структур в замаскированных зонах. 7 н. и 31 з.п. ф-лы, 31 ил.

Изобретение относится к устройствам точного позиционирования образца в сверхвысоком вакууме при помощи пьезоэлектрических двигателей и системы емкостных датчиков в установках с фокусированным ионным или электронным пучком, в которых формируются наноэлементы. Позиционирование образца относительно ионной пушки происходит не только с помощью грубых ультразвуковых двигателей, но и с помощью перемещения дополнительно установленной платформы с пьезодвигателями в систему позиционирования образца, положение которой отслеживается точными емкостными датчиками. Происходит компенсация термического дрейфа координатной системы позиционирования и нелинейности движения пьезодвигателей с помощью обработки сигналов с емкостных датчиков в системе позиционирования и обратной связи с пьезодвигателями. Ведется слежение и компенсация отклонения ионной пушки в результате термического перекоса вакуумной камеры с помощью дополнительных перемещений пьезоэлектрических двигателей в результате обработки сигналов с емкостных датчиков, следящих за положением фланца, к которому прикреплена ионная пушка, относительно основы системы позиционирования, закрепленной к нижнему фланцу камеры. Осуществляется контроль положения системы позиционирования, находящейся в камере сверхвысокого вакуума, с помощью интерферометрической системы, находящейся вне камеры, через смотровое окно. Технический результат - увеличение точности получения требуемых теоретически рассчитанных элементов наноэлектроники с хорошей воспроизводимостью. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Устройство отображения содержит матрицу интерферометрических модуляторов, сформированных на подложке, заднюю пластину, уплотнение и одну или более прокладок. Уплотнение размещено между подложкой и задней пластиной вместе для монтажа матрицы модуляторов в корпус. Прокладки размещены между матрицей и пластиной. Прокладки предохраняют заднюю пластину от контакта с матрицей. Прокладки не контактируют с задней пластиной или матрицей. В способе изготовления устройства отображения обеспечивают наличие матрицы интерферометрических модуляторов на подложке, размещают прокладки между матрицей и задней пластиной и уплотняют вместе заднюю пластину и подложку. Технический результат - предотвращение или уменьшение повреждений за счет монтажа устройства в корпус и использования прокладок. 4 н. и 35 з.п. ф-лы, 76 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к, микроэлектронным датчикам - химическим и биосенсорам, предназначенным для одновременных акустических на поверхностно-акустических волнах (ПАВ) и оптических исследований физико-химических и (или) медико-биологических свойств тонких порядка 0.1 мкм (100 нм) и менее нанопленок. В сенсоре используются свет видимого диапазона, для которого характерны коэффициенты поглощения на 2-4 порядка величины больше, чем в ИК-диапазоне, волноводный режим измерения, в котором монокристалл пьезоэлектрика используется в качестве плоского волновода для света видимого диапазона, причем возможны два режима оптических волноводных измерений: МНПВО или многократный отражательно-поглощательный, а также нагреватель в виде нескольких ЧИП-резисторов, соединенных в последовательную цепь, и термодатчик - платиновый термометр сопротивления, что обеспечивает повышение чувствительности и упрощение конструкции. 4 ил., 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектромеханическим системам (МЭМС). Технический результат направлен на усовершенствование и создание новых изделий. Система для монтажа в корпус устройств на основе MEMS содержит подложку, устройство на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС), сформированное на подложке, объединительную плату, уплотнение, расположенное вблизи периметра устройства на основе МЭМС и контактирующее с подложкой и объединительной платой. Причем указанное уплотнение содержит клей, химически активный газопоглотитель, находящийся в контакте с уплотнением по внутренней периферии уплотнения. Способ и устройство реализуются вышеуказанной системой. 4 н. и 37 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к приборам для регистрации измерений спектрофлюорометрии. Прецизионный двухканальный спектральный флуориметр включает гермокорпус с верхней и нижней крышками и герметичной кюветой, аккумуляторы, измерительную камеру, регулируемые центрующими шайбами селективные фотодиоды в комбинации с интерференционными светофильтрами, узкополосную светодиодную с фокусирующей линзой, измерительно-регистрирующий блок со светочувствительностью и систему обработки данных. Спектральное разрешение измерительного оптического тракта характеризуется шириной полпропускания 10 nm и спектральным максимумом флуоресцентного сигнала +2 nm от номинала. Спектральные характеристики измерительного света характеризуются спектральным максимумом измерительного света +5 nm от номинала и шириной полунасыщения 20 nm. Электронная схема обеспечивает многокаскадное усиление сигнала не менее 1×1012 и оцифровку сигнала не менее 9,5 эффективных бит. Прибор обладает высокой светочувствительностью, более эффективным спектральным разрешением, слабым фотодеструктивным влиянием на исследуемый объект, низким энергопотреблением, малыми размерами и высокой надежностью. 7 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к отопительным тепловым сетям. Технический результат: повышение энергетической эффективности, исключение проблемы «размораживания», времени и затрат на прокладку, профилактику и обслуживание, значительно уменьшается масса теплосети и повышается ее гибкость. Фотонная теплосеть содержит устройства питания и управления, лазерные источники, волоконно-оптический кабель, оптические соединители, оконечные устройства. В теплосеть введены радиаторы отопления с камерами абсолютно черного тела, датчики температуры, оптический передатчик, оптическое волокно линии обратной связи, оптический приемник. При этом выходы датчиков температуры соединены с входом оптического передатчика, выход которого соединен с входом оптического волокна, выход которого соединен с управляющим входом устройства питания и управления, выход которого соединен с входом лазерных источников, выходы которых соединены с входами фотоннокристаллических волокон оптического кабеля, выходы которых посредством оптических соединителей соединены с отрезками фотоннокристаллических волокон, выходы которых соединены с камерами абсолютно черного тела, находящимися внутри радиаторов отопления. 1 ил.