Фосфор, его соединения: .оксиды фосфора – C01B 25/12
Патенты в данной категории
| КОМПОЗИЦИЯ НА ОСНОВЕ СЛОЖНЫХ ОКСИДОВ ЦИРКОНИЯ, ФОСФОРА И КАЛЬЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЯ
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Состав для получения тонкой пленки сложных оксидов циркония, фосфора и кальция содержит этиловый спирт, предварительно перегнанный и осушенный до 96 мас.%, оксохлорид циркония, хлорид кальция и ортофосфорную кислоту при следующем соотношении компонентов, мас.%: Оксохлорид циркония - 4,7-6,8 Хлорид кальция - 2,6-4,4 Ортофосфорная кислота - 0,5 Этиловый спирт - остальное. Предложенное изобретение позволяет получить тонкие пленки, обладающие высокими показателями преломления. 3 пр. |
2502667 патент выдан: опубликован: 27.12.2013 |
|
| СПОСОБ ПЕРЕРАБОТКИ ФОСФОГИПСА
Изобретение относится к области химии и может быть использовано для переработки экологически опасного фосфогипса. Фосфогипс смешивают с выработавшими ресурс охлаждающими и гидравлическими жидкостями, содержащими этиленгликоль. Смесь подвергают глубокому обезвоживанию до образования порошкообразного продукта при температуре 100-170°С и постоянном перемешивании, затем подвергают высокотемпературному обжигу. Изобретение позволяет утилизировать экологически опасные отходы. 2 з.п. ф-лы. |
2402488 патент выдан: опубликован: 27.10.2010 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОСФОРНОГО АНГИДРИДА Изобретение относится к способу получения фосфорного ангидрида, используемого в производстве искусственного волокна, медицинской и химической промышленности. Способ включает сжигание фосфора в осушенном воздухе при 600 - 900oC, выдержку полученного ангидрида при повышенной температуре с последующей подачей газа, содержащего ангидрид на осаждение. При этом выдержку ангидрида ведут при 650 - 750oC, а на осаждение подают газ с температурой 440 - 480oC. На стадию сжигания воздух подают с коэффициентом избытка 2,5 - 3,5 и влажностью 0,01 - 0,02 г/м3, а перед сжиганием фосфор отстаивают при 80 - 95oС в течение 8 - 24 ч с последующим снижением температуры до 70oC. Технический результат - упрощение процесса. 1 з.п.ф-лы. | 2111918 патент выдан: опубликован: 27.05.1998 |
|
| СПОСОБ ОЧИСТКИ ПЯТИОКИСИ ФОСФОРА Изобретение относится к очистке пятиокиси фосфора и может быть использовано при синтезе высокочистых фосфорсодержащих соединений. Сущность изобретения заключается в том, что возгонку фосфора проводят в вакууме при температуре 370 - 400oC, а конденсацию осуществляют либо при температуре не менее 70oС с получением монолитного поликристаллического продукта, либо при температуре менее 70oС с получением порошкообразного продукта. Достигаемый результат заключается в увеличении выхода очищенного продукта и повышении скорости процесса, а также расширении ассортимента получаемого продукта. 2 з.п.ф-лы, 2 табл. | 2111917 патент выдан: опубликован: 27.05.1998 |
|