Соединения гафния: .галогениды – C01G 27/04
Патенты в данной категории
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ КАСКАД ДЛЯ РАЗДЕЛЕНИЯ И ОБОГАЩЕНИЯ ТЕТРАФТОРИДОВ ЦИРКОНИЯ И ГАФНИЯ
Изобретение относится к химической технологии редких и тугоплавких металлов, а именно к технологии очистки циркония от гафния. Каскад содержит последовательно соединенные сублимационные аппараты. При этом первый сублимационный аппарат для очистки тетрафторида циркония от гафния выполнен с насадкой из диоксида циркония с начальным содержанием гафния в ней не более 0,08%. Второй сублимационный аппарат для концентрирования гафния выполнен с насадкой, поступившей из первого сублимационного аппарата. Затем установлен аппарат для фторирования, выполненный с поступившей из второго сублимационного аппарата насадкой в виде диоксида гафния, при этом часть насадки из аппарата фторирования возвращается во второй сублимационный аппарат, а другая часть насадки является готовым продуктом - концентратом тетрафторида гафния. Техническим результатом является создание технологического каскада для получения ядерно-чистого тетрафторида циркония и тетрафторида гафния с содержанием более 99% за одну ступень разделения при отсутствии технологических отходов и максимальной простоте оборудования. 1 ил., 1 табл. |
2434957 патент выдан: опубликован: 27.11.2011 |
|
СПОСОБ ОЧИСТКИ ТЕТРАХЛОРИДА ГАФНИЯ СЕЛЕКТИВНЫМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ ПРИМЕСЕЙ
Изобретение может быть использовано в химической промышленности при производстве тепловыделяющих элементов ядерных реакторов. Исходный тетрахлорид гафния, хлористые соли, например тетрахлоралюминат калия или натрия, и сплав-восстановитель загружают в ампулу из боросиликатного стекла. Восстановление хлоридов примесей проводят в расплаве хлористых солей при температуре 250-450°С с переводом их в форму соединений менее летучих, чем HfCl 4. В качестве восстановителей используют бинарные или многокомпонентные сплавы металлов, выбранные из группы: Zn-Mg с содержанием Mg от 10 до 60 мас.%, Sn-Mg с содержанием Mg от 5 до 10 мас.%, Pb-Bi-Sn с содержанием Sn от 30 до 90 мас.%, Zn-Sn с содержанием Sn от 50 до 95 мас.%. Изобретение позволяет увеличить произодительность процесса очистки и получить тетрахлорид гафния с высокой степенью очистки от примесей. 1 табл. |
2404924 патент выдан: опубликован: 27.11.2010 |
|
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ТЕТРАХЛОРИДОВ ЦИРКОНИЯ И ГАФНИЯ РЕКТИФИКАЦИЕЙ
Изобретение относится к химической технологии редких и тугоплавких металлов, а именно к способам разделения циркония и гафния из смеси их тетрахлоридов ректификацией. Способ разделения включает подачу исходных хлоридов в ректификационную колонну под давлением, разделение хлоридов циркония и гафния в ректификационной колонне, раздельную конденсацию и отбор очищенного от гафния хлорида циркония и головного продукта в виде концентрата хлорида гафния. Подачу исходной смеси хлоридов циркония и гафния и отбор очищенных фракций ведут непрерывно при поддержании постоянного уровня расплава в испарительном кубе. Для поддержания постоянного уровня расплава в испарительном кубе ректификационной колонны используют отрицательную обратную связь регулирующего вентиля с указателем уровня жидкости в кубе. Подачу исходных хлоридов в ректификационную колонну осуществляют под давлением паров, равным или превышающим их давление в испарительном кубе, через систему раздельных питающих плавильных объемов, соединенных друг с другом. Температуру и давление в объемах питателей от первого до последнего увеличивают равномерно. Предложенное изобретение обеспечивает упрощение аппаратурного оформления процесса, существенное снижение металлоемкости, повышение производительности, стабильности и надежности работы ректификационной установки, а также уменьшение габаритов ректификационных колонн. 5 з.п. ф-лы, 1 ил. |
2329951 патент выдан: опубликован: 27.07.2008 |
|