Соединения ванадия: .галогениды – C01G 31/04
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЕНТАФТОРИДА ВАНАДИЯ
Изобретение относится к технологии получения легколетучих высших фторидов многовалентных металлов. Способ получения пентафторида ванадия включает фторирование отходов производства - стружек, обломков, некондиционных изделий ванадия элементным фтором, отгонку образующегося пентафторида ванадия и его конденсацию. Фторируют в две стадии: напускают фтор в реактор до избыточного давления 1,5-2,0 кПа, выдерживают навеску ванадия в течение часа при температуре 40-60°С, нагревают реактор до начальной температуры 180-300°С и фторируют стружку техническим фтором, содержащим 92-94% об. фтора, 4-6% об. фтороводорода, остальное инертные примеси. Образующийся пентафторид ванадия конденсируют при (-25)-(-30)°С в баллоны-конденсаторы. Баллоны с продуктом выдерживают под разрежением 2,0-3,0 кПа в течение 2 часов при температуре (-25)-(-30)°С. Предложенное изобретение позволяет снизить стоимость пентафторида ванадия и повысить выход готового продукта. |
2265578 патент выдан: опубликован: 10.12.2005 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКООБОГАЩЕННЫХ ИЗОТОПОВ ВАНАДИЯ Изобретение может быть использовано при проведении физических исследований. Получают оксихлорид ванадия из соединения с концентрацией изотопа хлор-35 не ниже 85%. Для получения повышенной концентрации изотопа хлор-35 можно использовать двухфазный физико-химический метод разделения в аппаратах колонного типа или центробежный. Полученный оксихлорид ванадия в виде газообразной смеси изотопов подают в каскад газовых центрифуг. Проводят разделение методом центрифугирования. Получают высокообогащенные изотопы ванадия с концентрацией изотопа 50V 94,37 и 98,4%. Изобретение позволяет получать высокообогащенные изотопы ванадия с высокой производительностью, малой энергоемкостью. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 ил. | 2226424 патент выдан: опубликован: 10.04.2004 |
|