Соединения цинка: .оксиды, гидроксиды – C01G 9/02

Изобретение может быть использовано области интегральной и нелинейной оптики. Способ создания планарного волновода оксида цинка на ниобате лития включает приготовление пленкообразующего раствора с последующим выдерживанием его в течение 1 суток при комнатной температуре, нанесение раствора на полированный ниобат лития, сушку, отжиг, постепенное охлаждение в условиях естественного остывания муфельной печи. Ниобат лития предварительно очищают 96% раствором этилового спирта. Сушку ниобата лития с нанесенным пленкообразующим раствором осуществляют при температуре 60°С в течение 1 часа, с последующим отжигом при 400°С в атмосфере воздуха со скоростью нагрева 14°С/мин 1 час и при температуре 870-1050°С со скоростью нагрева 35°С/мин от 2 до 5 часов, при следующем соотношении компонентов пленкообразующего раствора, мас.%: кристаллогидрат нитрата цинка - от 5,2 до 9,9%; салициловая кислота - от 4,6 до 4,8%; 96% раствор этилового спирта - остальное. Изобретение позволяет снизить трудоемкость и энергоемкость процесса получения стойкого к излучению в зеленой области спектра планарного волновода со значениями максимального приращения показателя преломления 0,003-0,005. 1 ил., 2 табл., 3 пр.

Изобретение относится к технологии опто- и микроэлектроники и может быть использовано для получения опалоподобных структур. Способ получения фотонно-кристаллических структур на основе металлооксидных материалов включает заполнение темплата, состоящего из монодисперсных микросфер полистирола, растворами металлсодержащих прекурсоров, и последующий отжиг структуры на воздухе при температуре 450-550°С в течение 8-10 часов. В качестве прекурсоров, из которых формируется структура, используют насыщенные спиртовые растворы дихлорида олова SnCl₂·2H₂O или нитрата цинка Zn(NO₃)₂·2H₂O. Изобретение позволяет получать фотонно-кристаллические структуры на основе SnO₂ и ZnO с фотонной стоп-зоной в видимой и ближней ИК-области спектра и пористостью не менее 85%. 5 ил.

Изобретение относится к технологии получения обедненного по изотопу Zn⁶⁴ оксида цинка, очищенного от примесей олова и кремния, который в настоящее время используется в качестве добавки в водный теплоноситель первого контура атомных реакторов. Порошок оксида цинка, обедненный по изотопу Zn⁶⁴, полученного из диэтилцинка, обедненного по изотопу Zn⁶⁴ , растворяют в водном растворе уксусной кислоты, при соотношении реагентов - оксид цинка:вода:уксусная кислота, равном 1:(1,6-2,0):(1,8-2,2) по массе. Полученный раствор упаривают до пересыщения - образования плотной корочки ацетата цинка, плавно охлаждают до температуры 25-30°С и выдерживают в течение 15-20 часов. Выпавший из раствора кристаллогидрат ацетата цинка фильтруют и подвергают термическому разложению на воздухе до оксида цинка при температуре 600-800°С в течение 4-6 часов. Изобретение позволяет снизить содержание олова и кремния в товарном продукте до менее 10 ^-3%, сократив число стадий процесса его получения. 3 пр.

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Способ получения оксида цинка включает измельчение порошка металлического цинка, обработку реакционной смесью, содержащей аммиак, и прокаливание полученной массы. В качестве реакционной смеси используют аммиачно-карбонатный раствор (АКР). Обработку реакционной смесью ведут при массовом соотношении компонентов Zn:AKP=1:(1÷2), a прокаливание полученного материала осуществляют при 240-310°С. Изобретение позволяет увеличить удельную поверхность оксида цинка. 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к способу получения соединений цинка и, в частности, к способу получения порошка оксида цинка. Способ получения порошка оксида цинка путем окисления цинка кислородом при нагревании, при этом металлический цинк предварительно подвергают перегонке при температуре ниже температуры кипения в потоке инертного газа, полученный порошок подвергают окислению во вращающемся реакторе с контролируемой атмосферой при температуре ниже температуры кипения цинка. Изобретение позволяет, при использовании в качестве исходных товарного металлического цинка и технического кислорода, получать порошок оксида цинка, содержание примесей в котором ниже, чем в исходном металле. 2 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к технологии получения оксида цинка, обедненного по изотопу Zn⁶⁴, применяемого в качестве добавки в системах охлаждения ядерного реактора. Получение оксида цинка проводят в жидкофазной среде. Диэтилцинк разбавляют гексаном в соотношении 1:(12-16) по объему. Далее к смеси добавляют воду с 10-30% избытком от стехиометрического количества. Полученный гидроксид цинка подвергают сушке при температуре 120-170°С в течение 3-4 часов и разложению при температуре 350-400°С в течение 15-19 часов до оксида цинка. Изобретение позволяет повысить выход оксида цинка до 99% и прочность и плотность спрессованных из него таблеток. 2 ил.

Изобретение относится к получению тонкопленочных материалов, применяемых в светотехнической, строительной, электронной отраслях техники. Состав для получения тонкой пленки на основе системы двойных оксидов циркония и цинка включает следующие компоненты, мас.%: оксохлорид циркония 4,0-8,6; нитрат цинка 3,8-7,6; предварительно перегнанный и осушенный до 96 мас.% этиловый спирт - остальное. Пленкообразующий раствор указанного состава наносят методом центрифугирования на подложку и подвергают ступенчатой термообработке. Изобретение позволяет получить тонкие пленки, имеющие высокие показатели преломления и стабильную структуру. 1 табл.

Изобретение относится к получению оксида цинка, обедненного по изотопу Zn⁶⁴, используемого в качестве добавки в системах охлаждения ядерного реактора. Порошок гидроксида цинка, полученный гидролизом обедненного по изотопу Zn⁶⁴ диэтилцинка, промывают гексаном «ОСЧ» из расчета 0,005-0,006 м³ гексана на 1 кг гидроксида цинка, затем сушат при температуре 120-160°С в течение 12-16 часов и прокаливают при температуре 340-370°С в течение 14-16 часов. Изобретение позволяет снизить содержание в оксиде цинка примесей олова до менее 10^-3 мас.%, углерода - до менее 0,025 мас.%.

Изобретение может быть использовано в производстве материалов, способных обеспечивать защиту от теплового излучения. Оксид цинка содержит галлий в диапазоне от 0,25 до 25 вес.% и имеет плотность n_e носителей заряда, составляющую 2×10²⁰/см³ или выше, и подвижность µ носителей заряда в диапазоне от 0,1 до 40 см² /В·с. Тонкая пленка из указанного галлийсодержащего оксида цинка имеет толщину 5 мкм или меньше, а также степень пропускания солнечного излучения Ts и степень пропускания видимого светового излучения Tv, удовлетворяющие неравенству Ts 1,4Tv-39. Тонкая пленка из галлийсодержащего оксида цинка удовлетворяет условию Y 0,4Х+1,06 при толщине пленки 400 нм или больше и условию Y 0,2Х+0,98 при толщине пленки 300 нм или меньше, где Х = плотность носителей заряда ×10^-20/подвижность носителей заряда и Y представляет собой значение Tv/Ts. Изобретение позволяет получить галлийсодержащий оксид цинка, обладающий свойством защиты от теплового излучения при сохранении высокой прозрачности для видимого светового излучения, 5 н. и 17 з.п. ф-лы, 10 ил., 6 табл.

Изобретение может быть использовано в медицине, в компонентах оболочки микрокапсул для прецизионной доставки лекарств. В магнетронной распылительной системе на постоянном токе распыляют цинковую мишень, выступающую в роли катода, в магнитном поле, обеспечивающем попадание атомов цинка из зоны распыления в восходящий плазменный поток. Для формирования потока вертикальная составляющая индукции магнитного поля на внешнем крае зоны распыления мишени превышает индукцию магнитного поля по внутреннему краю зоны распыления мишени не менее чем на 10%. Кольцевой анод располагают над металлической мишенью. Систему анод-катод размещают в вакуумной камере в атмосфере рабочего газа, представляющего собой кислород или аргон-кислородную смесь, в которой соотношение парциальных давлений аргона и кислорода составляет от 50%:50% до 1%:99%. Величина горизонтальной составляющей магнитного поля над зоной распыления мишени составляет не менее 500 Э. Давление рабочей смеси выбирают не превышающим 10 ^-1 Па. Напряжение на аноде по отношению к мишени не менее 400 В. Изобретение позволяет получать наноразмерные кристаллические частицы оксида цинка при активации реакции и ее протекании в одной и той же области плазменного потока, что приводит к снижению энергопотребления и исключению необходимости в быстром охлаждении. 1 ил.

Изобретение может быть использовано в химической, косметической и других отраслях промышленности. Предложена композиция для включения в полимерные материалы, состоящая из наночастиц оксида цинка, гомогенно распределенных в воде или органической матрице. Наночастицы оксида цинка предварительно обработаны амином и органосиланом. Способ получения такой композиции включает приготовление водного раствора амина, подготовку порошков ацетата цинка и гидроксида натрия или калия, растворение ацетата цинка в приготовленном растворе с последующим добавлением гидроксида натрия или калия к смеси ацетат-амин-вода, отделение полученных наночастиц оксида цинка от раствора ацетата натрия или калия, их промывку, обработку органосиланами и введение в воду или органическую матрицу. Изобретение позволяет получить дисперсии нанокристаллического оксида цинка, совместимые с водой и органическими матрицами, содержащие неагломерированные оксидные наночастицы, равномерно распределенные по объему. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к светоустойчивым полимерным композициям. Описывается применение TiO₂ и/или ZnO, допированных вторым элементом, или восстановленного ZnO в полимерной композиции для уменьшения степени снижения прочности или изменения окраски полимерной композиции, которая содержит одно или несколько полимерных веществ и один или несколько органических или неорганических компонентов, которые являются светочувствительными и/или которые разлагаются под действием другого ингредиента композиции. Изобретение обеспечивает снижение УФ-светочувствительности композиции, по меньшей мере, на 5% по сравнению с композицией того же состава, но не содержащего упомянутые TiO₂ и/или ZnO, допированные вторым элементом, или упомянутый восстановленный ZnO. 26 з.п. ф-лы.

Изобретение может быть использовано в косметической промышленности при изготовлении солнцезащитных средств. Предложена дисперсия, содержащая частицы оксида цинка в дисперсионной среде, где частицы оксида цинка в дисперсии имеют средний объемный диаметр частицы в пределах от 70 до 130 нм, менее 16% по объему частиц имеют объемный диаметр менее чем на 35 нм ниже среднего объемного диаметра частицы и более 84% по объему частиц имеют объемный диаметр менее чем на 57 нм выше среднего объемного диаметра частицы. Частицы оксида имеют коэффициент поглощения при 524 нм (Е ₅₂₄) в пределах от 0,1 до 1,0 л/г/см, коэффициент поглощения при 450 нм (Е₄₅₀) в пределах от 0,3 до 2 л/г/см, коэффициент поглощения при 360 нм (Е ₃₆₀) в пределах от 11 до 20 л/г/см, коэффициент поглощения при 308 нм (Е₃₀₈) в пределах от 11 до 20 л/г/см, максимальный коэффициент поглощения Е(max) в пределах от 12 до 20 л/г/см и (max) в пределах от 363 до 377 нм. Предложенный солнцезащитный продукт содержит указанные частицы оксида цинка или дисперсию. Изобретение позволяет уменьшить отбеливающий эффект и повысить прозрачность солнцезащитных средств, содержащих частицы оксида цинка. 3 н. и 22 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для получения малоразмерных порошков на основе оксида цинка, которые обеспечивают низкопороговую лазерную генерацию ультрафиолетового излучения при комнатной температуре. В предлагаемом способе целлюлозный носитель пропитывают ZnO-прекурсором - водным раствором соли цинка органической кислоты, а затем подвергают носитель высокотемпературному пиролизу, причем в качестве целлюлозного носителя применяют фильтр бумажный обеззоленный белая лента с массой золы 0,005-0,15 мас.%. Высокотемпературный пиролиз осуществляют поэтапно, вначале фильтр, пропитанный ZnO-прекурсором, нагревают до заданной температуры в температурном диапазоне 500-1150°С, обеспечивая нагрев с температурным градиентом 3,7-4,4°С/мин. В процессе нагрева носитель обдувают воздухом. После достижения заданной температуры нагрев прекращают и выдерживают в изотермическом режиме в течение 10-60 минут, а затем охлаждают до комнатной температуры. В качестве ZnO-прекурсора используют водный раствор ацетата цинка Zn(CH₃COO) ₂·2Н₂О или водный раствор пеларгоновой кислоты Zn[CH₃(CH₂ )₇COO]₂ с концентрацией по цинку 10-70 г/л. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области технологии неорганических материалов, в частности к очистке оксида цинка от примеси кремния. Способ включает растворение оксида цинка в разбавленной уксусной кислоте, фильтрацию образующегося раствора ацетата цинка от нерастворимого осадка силиката цинка с последующим взаимодействием ацетата цинка с раствором карбоната аммония, выделением из реакционной смеси осадка аммиачно-карбонатного комплекса цинка, его сушку и термообработку. Растворение оксида цинка в разбавленной уксусной кислоте осуществляют при соотношении реагентов оксид цинка : уксусная кислота : вода, равном 1:(1,47-1,55):(2,6-4,3) по массе. Образующийся раствор ацетата цинка обрабатывают карбонатом аммония при соотношении реагентов ацетат цинка (в пересчете на исходный оксид цинка) : карбонат аммония, равном 1:(1,2-2,3) по массе. Результат изобретения: повышение глубины очистки оксида цинка от примеси кремния. 2 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области переработки водных растворов, содержащих тяжелые металлы, и может быть использовано в машиностроении для очистки кислых сточных вод, загрязненных соединениями тяжелых металлов, в частности цинка. Для осуществления заявленного способа очистки кислых сточных вод от цинка проводят двухстадийное осаждение с использованием на первой стадии гидроксида кальция и на второй стадии карбоната натрия, причем на первой стадии в процессе очистки совместно вводят растворы гидроксида натрия и хлорида кальция до конечного значения рН от более 7 до 8, а количество карбоната натрия определяют мольным отношением к хлориду кальция, близким к единице. Предлагаемый способ позволяет очистить сточные воды от цинка до тысячных долей мг/л. Совместное введение растворов гидроксида натрия и хлорида кальция позволяет отказаться от традиционного использования известкового молока, а дозированный расход карбоната натрия позволяет точно регулировать рН осаждения, добиваясь наибольшей полноты осаждения. 1 табл.

Изобретение относится к области технологии неорганических порошковых материалов, в частности оксида цинка. Способ осуществляют путем обработки оксида цинка карбонатом аммония и последующей термообработки образующегося продукта. Обработку оксида цинка карбонатом аммония проводят путем растирания сухих реагентов в соотношении (1-5):1 по массе или растворами карбоната аммония с концентрацией 25-100 г/л и соотношении реагентов (2,5-10):1 по массе. Термообработку продукта осуществляют при температуре 180-250°С. Техническим результатом изобретения является повышение удельной поверхности оксида цинка с 5-15 м² /г до величины 25-50 м²/г.