Способы полимеризации: ..рентгеновскими лучами или электронами – C08F 2/54

Изобретение относится к фтортеломерам алкилкетонов, используемым для получения защитных термостойких покрытий. Фтортеломеры имеют общую формулу R₁(CF₂=CF₂ )_nR₂, где n от 6 до 20; R₁ и R₂ - фрагменты молекулы алкилкетона. Получают данные фтортеломеры путем осуществления свободно-радикальной реакции теломеризации ненасыщенных перфторолефинов (например, тетрафторэтилена) в жидкой среде телогена, в качестве которого используют алифатические кетоны, при температуре, обеспечивающей кинетическую эффективность процесса. Свободно-радикальную реакцию теломеризации инициируют ионизирующим излучением, например гамма-квантами ⁶⁰ Со при молярном соотношении ТФЭ/телоген=(0,5-20)/100, или химическими инициаторами при температуре разложения инициатора при молярном соотношении инициатор/ТФЭ/телоген=0,5/(0,5-20)/100, с последующим выделением теломеров с различной длиной цепи n в зависимости от концентрации тетрафторэтилена. Нанесение теломеров на подложку различной природы, конфигурации и микроразмеров с последующим высушиванием и термообработкой приводит к получению покрытий, обладающих хорошей стойкостью к химически агрессивным средам, термостойкостью, антифрикционными и водоотталкивающими свойствами. 4 н.п. ф-лы, 3 табл.

Способ деполимеризации полисахаридов типа галактоманнана, а также ксантана, предпочтительно, галактоманнанов, до заданной молекулярной массы путем облучения высокоэнергетическими электронными пучками. Предпочтительными галактоманнанами для обработки согласно этому способу являются гуаровая смола, эндосперм гуара и гидроксипропилгуар. В предпочтительном варианте осуществления гуаровую смолу деполимеризуют, предпочтительно, до молекулярной массы от, приблизительно, 100000 дальтон до, приблизительно, 200000 дальтон. Деполимеризованный гуар обладает полидисперсностью ниже, приблизительно, 3,0 и применим для разрыва пластов в нефтяных скважинах с целью увеличения добычи нефти. 6 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил., 15 табл.

Изобретение относится к химии полимеров и может быть использовано в электронной технике, оптике, медицинской технике. Описан способ нанесения тонких пленок из политетрафторэтилена на поверхность твердых тел путем формирования пленки непосредственно из паров тетрафторэтилена при давлениях 0,1-20 торр под действием пучка электронов с энергией 1-1000 кэВ в рабочей камере, отделенной от источника электронов, отличающийся тем, что процесс проводят при плотностях потока электронов, падающего на поверхность твердого тела, в диапазоне от 30 до 6000 мкА/см² , после чего проводят отжиг нанесенных пленок в вакууме или инертной атмосфере, без промежуточного контакта с воздухом, при температурах от 250 до 400 градусов Цельсия в течение 0,5-1 часа, при этом отжиг пленок проводится при 350°С в течение 1 часа, предпочтительно процесс ведут при плотностях потока электронов, падающего на поверхность твердого тела, в диапазоне от 100 до 3000 мкА/см ², давлениях паров тетрафторэтилена в диапазоне от 1 до 10 торр, при энергии пучка электронов от 10 до 200 кэВ. Технический результат - предложенный способ позволяет получить однородные тонкие пленки из политетрафторэтилена с высокой термостабильностью при сохранении низких значений диэлектрической проницаемости пленок. 2 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к области химии полимеров и может быть использовано в электронной технике, например, для нанесения литографической маски или иных фукциональных слоев. Описывается способ нанесения на поверхность твердых тел высокоразрешающего изображения функциональных слоев путем полимеризации мономеров из паровой фазы под действием остросфокусированного электронного луча с энергией 1-1000 кэВ с последующим вводом паров мономера при давлении 10^-4 -10 торр. Пучок электронов вводят в рабочую камеру через небольшое отверстие в мембране, что позволяет избежать рассеяния электронов на мембране и в то же время поддерживать в рабочей камере давление паров мономера, достаточное для обеспечения приемлемой скорости роста толщины (высоты) линии изображения. Предпочтительные условия нанесения изображения: энергия электронов в пучке 10-500 кэВ, давление паров мономера 0,001-10 торр. При диаметре электронного пучка 50 нм удается получить линии изображения шириной 100-150 нм. При улучшении фокусировки электронного луча достигаемая ширина линии может быть уменьшена. Использование предлагаемого способа позволяет наносить высокоразрешающее изображение функциональных слоев непосредственно из мономера в одностадийном "сухом" процессе без использования каких-либо растворителей. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.