Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие: ..управление или регулирование способа нанесения покрытия – C23C 14/54

Изобретение относится к электроаппаратостроению. Способ нанесения покрытия на медный контакт электрокоммутирующего устройства включает ионно-плазменное напыление молибдена на медный контакт. Напыление начинают при напряжении на медном контакте 1100-1500 В с обеспечением его нагрева до объемной температуры 180-230°С, потом напыление ведут при опорном напряжении на медном контакте 110-130 В с обеспечением напыления слоя покрытия толщиной 2-4 микрометра, а затем - при повышенном напряжении на медном контакте, равном 1100-1500 В, и продолжительности напыления, равной 0,3-0,5 от времени напыления покрытия толщиной в один микрометр. После чего продолжают напыление с многократным повышением напряжения на медном контакте до упомянутого повышенного напряжения и понижением напряжения обратно к упомянутому опорному напряжению c получением покрытия требуемой толщины. Обеспечивается увеличение электроэрозионной стойкости поверхности медных контактов, что соответственно повышает ресурс работы медных токопроводов электрокоммутирующих устройств. 1 табл., 2 пр.

Изобретение относится к области производства наноструктурных пленок с активным контролем и оптимизацией процесса их синтеза. Способ синтеза включает размещение в вакуумной камере изделия и контрольных образцов, нагрев и контроль их температуры и осаждение из испарителя металлического материала на изделии и контрольных образцах. При этом в процессе осаждения материала из вакуумной камеры поочередно извлекают контрольные образцы с помощью шлюзового устройства и посредством просвечивающего электронного микроскопа определяют фазовый состав, структуру и толщину осажденной на каждом образце пленки. После чего при необходимости изменяют по меньше мере один из следующих технологических параметров: температуру нагрева поверхности изделия и контрольных образцов, давление атмосферы в рабочем объеме вакуумной камеры, состав атмосферы, величину тока, проходящего через испаритель, расстояние между испарителем и поверхностью изделия, состав испаряемого материала. В случае образования на поверхности очередного контрольного образца пленки заданной структуры, фазового состава и толщины, процесс осаждения материала прекращают. Технический результат - получение наноструктурной пленки с заданными параметрами. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 6 ил., 2 табл.

Изобретение относится к системе ионной пушки, устройству парофазного осаждения и способу формирования многослойной просветляющей пленки на линзе. Система (60) ионной пушки содержит ионную пушку (14) для испускания пучка ионов; блок (61) электропитания для подачи электроэнергии на ионную пушку; два регулятора (64, 65) массового расхода для введения каждого из двух типов газов в ионную пушку; блок (12) управления, соединенный с блоком электропитания и работающий в качестве средства управления ионной пушкой для управления электроэнергией, подаваемой на ионную пушку из блока электропитания; и блок (12) управления, соединенный с регуляторами массового расхода и работающий в качестве средства управления массовым расходом для управления расходом газа, вводимого в ионную пушку из регуляторов массового расхода, при этом блок (12) управления в качестве средства управления массовым расходом снабжен такой функцией, что заданное значение для расхода каждого из двух типов вводимых газов пошагово изменяется в пределах диапазона устойчивой работы ионной пушки и реализуется изменение на другое заданное значение. В результате достигается сокращение времени формирования пленки. 3 н. и 24 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл., 2 пр.

Изобретение относится к области ионно-плазменного напыления многослойных пленок. Согласно способу получения пленок осуществляют ионно-плазменное напыление материала мишени на подложку в вакууме при приложении магнитного поля. При этом предварительно устанавливают зависимость характеристик материала напыляемого слоя от величины давления распыляющего газа. Напыление осуществляют при величине давления, а также величине и/или ориентации прикладываемого магнитного поля, необходимых для получения заданных характеристик материала напыляемого слоя. Причем по крайней мере два слоя напыляют из одной мишени при разных давлениях распыляющего газа. Устройство для получения пленок содержит экранированную катод-мишень и подложкодержатель, расположенный в горизонтальном магнитном поле с возможностью изменения ориентации поля. Экран выполнен регулируемым по высоте с по крайней мере двумя отверстиями для распыляемого материала. При этом каждое отверстие имеет регулируемую по высоте вставку, а по вертикали отверстия разделены дополнительной изолированной перегородкой. Технический результат - получение многослойных пленок с различными свойствами слоев и расширение технологических возможностей. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к средствам наблюдения за процессом нанесения покрытий в вакууме, а именно к способам определения скорости термического осаждения сплавов. Технический результат - повышение надежности системы возбуждения и расширение диапазона регистрируемых эмиссионных спектров. Способ включает возбуждение электронным ударом атомов сплава в паровой фазе, разложение полученного эмиссионного излучения в спектр, регистрацию спектра и расчет скорости осаждения. При этом возбуждение осуществляют с помощью двух плоскопараллельных металлических пластин, экранированных диэлектрической обкладкой, расположенных друг против друга параллельно пути следования паров испаряемого сплава и подключенных к выводам высокочастотного генератора. 2 ил.

Изобретение относится к способу осаждения вещества на подложку, импульсному источнику питания для магнетронного реактора и магнетронному реактору. Осуществляют распыление вещества на подложку в магнетронном реакторе. Перед подачей каждого импульса основного напряжения газ предыонизируют для обеспечения генерации импульсов тока. Время спада указанных импульсов тока после отсечки импульсов основного напряжения меньше 5 мкс. Импульсный источник питания содержит средства генерации импульсов основного напряжения, средства генерации управляющих импульсов и коммутирующие средства. В результате достигается эффективная ионизация распыляемых паров вещества. 3 н. и 14 з.п. ф-лы, 18 ил., 1 табл.

Изобретение относится к устройствам для напыления пористых покрытий на ленту и может быть использовано при производстве электронных компонентов, магнитных носителей записывающих устройств, декоративных покрытий. Устройство содержит вакуумную камеру, испаритель, валы размотки и намотки, верхние и основные направляющие ролики и отклоняющие ролики, установленные над испарителем симметрично относительно вертикали. Верхние направляющие ролики выполнены в виде охлаждаемых цилиндров. В зоне конденсации установлены вращающиеся барабаны, выполненные в виде охлаждаемых цилиндров, вокруг нижней части которых размещены основные направляющие ролики. Основные направляющие ролики установлены с возможностью прохождения между ними отрезков ленты с образованием угла 0-30° между прямой, соединяющей центр испарителя с любой точкой отрезка ленты, и нормалью к точке отрезка ленты, и с возможностью прохождения отрезка между верхним направляющим роликом и основным направляющим роликом, расположенным выше других основных направляющих роликов с образованием угла 55÷80°. Устройство по второму варианту содержит неподвижные барабаны, установленные в зоне конденсации и выполненные в виде охлаждаемых цилиндров, вокруг цилиндрической части которых размещены основные направляющие ролики, установленные во вращающихся сепараторах. Технический результат - максимальная открытая пористость, хорошая адгезия покрытия к ленте, предотвращение складкообразования ленты. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к отражающим покрытиям для оптических линз, в частности к композициям для формирования просветляющих покрытий. Размещают оптические линзы и одну контрольную оптическую линзу на одной и той же поверхности напыления в вакуумной камере напыления, содержащей взаимодействующее с указанной контрольной оптической линзой устройство непрерывного оптического контроля и источник с композицией для просветляющего покрытия. Сначала напыляют слой композиции с высоким коэффициентом преломления, представляющей собой смесь оксидов церия и титана с долей оксида церия меньше, чем приблизительно 25% общей массы композиции. Затем напыляют слой с низким коэффициентом преломления, содержащий оксид кремния, например смесь оксидов кремния и алюминия с долей оксида алюминия меньше, чем приблизительно 10% общей массы композиции. Посредством устройства непрерывного оптического контроля определяют момент достижения требуемой оптической толщины просветляющего покрытия и осуществляют регулирование луча света таким образом, чтобы соотношение интенсивностей синей, зеленой и красной компонент отраженного света обеспечивало практически белое отражение. Получают оптические изделия с покрытием, имеющим малую отражательную способность, практически не окрашивающим отраженный свет и обладающим малыми внутренними напряжениями. 6 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к способу и устройству нанесения покрытий и может быть использовано в приборостроении, электронной промышленности и машиностроении. Возбуждают колебания камертона, на концах которого размещены контрольные образцы. Нагревают контрольные образцы до заданных значений путем сравнения текущей температуры контрольных образцов с заданными. Измеряют начальный период колебаний и регистрируют его значения. Наносят покрытие при измерении текущих значений периода колебаний камертона. Определяют толщину покрытия по разности начальных и текущих значений колебаний на основе сравнения их с результатами пробных нанесений покрытия. Определяют момент начала нанесения покрытия, прогнозируемое время до окончания нанесения заданной толщины покрытий на основе определения динамики изменения скорости нанесения покрытия, и осуществляют предварительную сигнализацию о завершении процесса нанесения покрытия при достижении толщины покрытия, равной уровню 0,9 заданной толщины покрытия. Осуществляют сигнализацию об окончании нанесения покрытия на контрольные образцы при достижении заданной толщины нанесения покрытия. Технический результат - в повышении информативности и качества процесса нанесения покрытий. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к устройству для нанесения многослойных оптических покрытий и может быть использовано при изготовлении лазерной техники при создании просветляющих и отражающих покрытий на торцевых поверхностях полупроводниковых лазеров. Устройство содержит две размещенные в вакуумной камере мишени и два формирователя ионного пучка. В вакуумной камере размещен многоканальный загрузочный порт (МЗП) с подложками. Пары формирователь ионного пучка и мишень расположены по разные стороны (МЗП). Формирователь потока активного газа выполнен с возможностью формирования более одного потока и осуществления подачи потоков частиц активного газа на разные стороны (МЗП). (МЗП) выполнен с возможностью изменения положения подложек и переориентации их рабочих поверхностей относительно пар формирователь ионного пучка и мишень. В каждой упомянутой паре мишени выполнены в виде элементов, составляющих блок мишеней с возможностью их взаимной смены или смены на предназначенную для очистки отражающую мишень. Блок автоматизированного управления электрически связан с формирователями пучка, блоками мишеней, формирователем потоков активного газа и (МЗП). Изобретение направлено на повышение производительности технологического процесса и повышение воспроизводимости процесса нанесения покрытий в непрерывном технологическом режиме. 9 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретения относятся к вакуумной ионно-плазменной технологии и могут быть использованы в авиационной и газовой промышленности при подготовке поверхности изделий, например компрессорных лопаток, к нанесению на них защитных покрытий, формировании модифицированного поверхностного слоя изделий, а также в качестве стендового обеспечения при решении исследовательских производственно-технологических задач. В способе ионной обработки в качестве испаряемого токопроводящего материала используют титан или цирконий. Регулирование тока вакуумной дуги и отрицательного потенциала на изделии осуществляют на основе контроля дозы облучения с помощью многосеточного зонда, выполняющего функции электростатического анализатора заряженных частиц ионной составляющей потока плазмы. Коллектор зонда через аналого-цифровой преобразователь (АЦП) подсоединен к микроконтроллеру, подключенному через АЦП блоку электропитания. Блок электропитания подключен с подачей отрицательного потенциала и раздельной его регулировкой к изделию, электроду-испарителю и сеткам зонда. Микроконтроллер своим входом соединен с цифровым вакуумметром рабочей камеры и выходом через АЦП с приводом блока вакуумных насосов, а также входом через АЦП с дополнительным датчиком энергетического уровня ионного потока. Технический результат заключается в повышении эффективности оптимизации ионной обработки. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий в вакууме и может быть использовано для нанесения защитных, упрочняющих и декоративных покрытий на внутренние поверхности изделий. В вакуумной камере расположены вращающаяся подложка для установки обрабатываемой детали и электродуговой испаритель металлов. Испаритель состоит из немагнитного катода электродугового разряда и анода. Катод выполнен в виде охлаждаемого пустотелого цилиндра из испаряемого материала, в полости которого расположена система управления движением катодного пятна в виде катушки с соленоидами. Анод выполнен немагнитным в виде вертикальных пластин, расположенных по окружности вдоль катода и охватывающих его. Блок управления движением катодного пятна состоит из программируемого устройства, источника постоянного тока с отрицательным выходом для подключения к обрабатываемой детали, источника тока дуги и блока обратной связи, выход которого подключен к программируемому устройству, а вход - к выходу источника постоянного тока и выходу источника тока дуги. Пустотелый цилиндр выполнен с полусферической вершиной. Система управления движением катодного пятна имеет магнитопровод, на котором установлена катушка, выполненная многосекционной, в отдельных секциях которой размещены соленоиды. Анод имеет металлическое кольцо, а вертикальные пластины анода выполнены с длиной, превышающей длину катода, повторяющими его форму, и соединены в верхней части металлическим кольцом. Блок управления имеет регулируемый многоканальный источник тока, выходы которого подключены к соответствующим секциям катушки, а вход - к выходу программируемого устройства. Положительный выход источника тока дуги подключен к аноду, отрицательный - к катоду, положительный выход постоянного источника тока подключен к аноду. Такое выполнение установки позволяет достигнуть улучшения качества наносимого покрытия на внутренние поверхности тел вращения как открытых, так и закрытых с одной стороны за счет повышения надежности управления положением катодного пятна на поверхности катода. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к средствам наблюдения за процессом нанесения покрытий, в частности к устройству для контроля толщины покрытий в процессе нанесении их в вакууме, и может быть использовано в приборостроении, электронной промышленности и машиностроении для контроля толщины покрытий при нанесении их в вакууме. Устройство содержит, по крайней мере, один контрольный образец, регулируемый источник питания, нагреватель контрольного образца, соединенный с выходом регулируемого источника питания, преобразователь температуры контрольного образца, блок регистрации толщины покрытия и преобразователь толщины покрытия контрольного образца. Упомянутый преобразователь содержит систему возбуждения колебаний, связанную с блоком регистрации толщины покрытия, и колебательную систему и выполнен в виде камертона, содержащего, по крайней мере, две ветви. Контрольный образец закреплен на каждой ветви камертона. Такое выполнение устройства обеспечивает повышение точности контроля и уменьшение минимальной контролируемой толщины покрытий за счет уменьшения реакции преобразователя толщины покрытия контрольного образца на опору и исключения возникновения паразитной термоэлектродвижущей силы. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.