Получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой: .непосредственно из газообразного состояния – C30B 28/12

Изобретение относится к области технологии материалов для оптоэлектроники конструкционной оптики, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов ИК-техники. Способ включает подготовку шихты на основе селенида цинка, помещение ее в реактор, вакуумирование до давления 10^-5 -10^-4 мм.рт.ст., нагрев зоны испарения реактора до температуры испарения, пропускание паров ZnSe через фильтр с последующим их осаждением на подложку, имеющую температуру ниже температуры испарения, и последующие охлаждение реактора с заготовкой до комнатной температуры, при этом в качестве шихты используют смесь селенида цинка с элементарным селеном при следующих масс %: селенид цинка - 90-99, элементарный селен - 1-10, зону испарения реактора нагревают до температуры испарения 1000-1200°С, охлаждение ведут со скоростью 25-30°С/ч. Изобретение позволяет получать материал с контролируемым стехиометрическим соотношением элементов и высоким оптическим качеством заготовок, обладающих низким поглощением в рабочем диапазоне. 1 табл.

Изобретение относится к области технологии оптических сред, а именно к технологии получения поликристаллических оптических материалов, прозрачных для видимого и ИК-излучения в широком диапазоне спектра. Способ включат нагрев и испарение исходного сырья при температуре 1050-1150°C, конденсацию пара на подложку, нагретую до 950-1050°C, со скоростью 0,2-0,8 мм/час, при этом охлаждение установки с выращенной заготовкой осуществляют по регулируемому режиму, при котором до 900°C охлаждение проводят со скоростью 50-100°C/час, в интервале 900-600°C - со скоростью 30-50°C/час, от 600°C - инерционное охлаждение до комнатной температуры. Для отгонки труднолетучих примесей исходное сырье в виде порошка или компактных осколков может быть подвергнуто предварительному отжигу в среде инертного газа, например аргона, при температуре до 1200°C в течение 10-15 часов. Изобретение позволяет получить материал с высоким выходом годного продукта и следующими оптическими характеристиками при диаметре выращиваемых заготовок до 500 мм и толщине до 50 мм: пропускание на длине волны 0,6 мкм - 30%, 1,06 мкм - 60%, 3-5 мкм - 69%, 8-12,5 мкм - 71%. Двулучепреломление в оптическом материале не превышает 100 нм/см. 1 з.п. ф-лы, 2 пр.

Изобретение относится к устройствам, специально предназначенным для выращивания поликристаллического кремния, а именно к системе охлаждения колпака реактора для выращивания поликристаллического кремния, преимущественно путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые стержневые подложки (основы). Система охлаждения колпака реактора состоит из двух жидкостных циркуляционных контуров. Первый жидкостный циркуляционный контур 1 образован между внутренней 2 и наружной 3 рубашками охлаждения и снабжен патрубками ввода 4 и вывода 5 охлаждающей среды, второй жидкостный циркуляционный контур 6, образован цилиндрической обечайкой 7, установленной внутри колпака реактора и жестко связанной с внутренней 2 рубашкой охлаждения и шпангоутом 8. Система снабжена дополнительными патрубками ввода 9 и вывода 10 охлаждающей среды. Цилиндрическая обечайка 7 может быть выполнена из аустенитной стали, внутренняя рубашка охлаждения 2 - из биметалла: аустенитная сталь - углеродистая сталь, а шпангоут - из углеродистой стали. Образование второго контура охлаждения обеспечивает охлаждение шпангоута с внутренней стороны реактора, что улучшает температурные условия работы шпангоута. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению исходного поликристалличсского кремния осаждением на нагретые стержни (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов. Разъемный реактор установки для получения стержней поликристаллического кремния содержит верхнюю неподвижную часть с размещенными на ее верхней стенке токовводами с узлами крепления основ, установленную на вертикальной стойке с образованием под реактором погрузо-разгрузочной зоны и отделенную от нижней подвижной части горизонтальным разъемом, нижнюю подвижную часть реактора, разделенную дополнительным горизонтальным разъемом на донную часть и обечайку, системы электропитания и подачи компонентов. В донной части под центральной осью каждой U-образной кремниевой основы размещены опоры, включающие в себя заключенные в стаканы 18 штоки 20, установленные на пружины 19, в верхней части на штоки 20 установлены через электроизоляционные вставки 21 подставки 22 с двумя площадками 23, расположенными соосно с осями стержней U-образных кремниевых основ с регулируемым зазором между ее нижней частью и площадками, а пружины 19 установлены в стаканы 18 в предварительно сжатом состоянии с усилием, равным или превышающим вес выращиваемых стержней при достижении ими площадок. Кроме того, на стакан 18 по резьбе установлена накидная гайка 24, опирающаяся своим дном в верхний торец штока 20, а стаканы 18 установлены в резьбовых втулках 17, закрепленных на съемной раме, выполненной из соединенных ребрами двух концентричных колец, соосных с расположенными в верхней неподвижной части реактора токовводами с узлами крепления основ. Учитывая особые условия эксплуатации, электроизоляционные вставки выполнены из кварцевого стекла. Технический результат изобретения заключается в установлении в регулируемом диапазоне постоянных значений напряжений растяжения в стержнях и весовой нагрузки на узлы крепления основ после достижения ими значений, еще не приводящих к разлому и падению стержней, что позволяет повысить производительность реактора. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые стержни (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов. Разъемный реактор 1 установки для получения стержней поликристаллического кремния содержит верхнюю неподвижную часть 2 с размещенными на ее верхней стенке по внутреннему и наружному рядам токовводами 6, 9, 13 с узлами крепления 7, 10, 14 U-образных основ 8, 11, 15, отделенную от нижней подвижной части горизонтальным разъемом, нижнюю подвижную часть реактора, разделенную дополнительным горизонтальным разъемом на обечайку 4 и донную часть 5, снабженную патрубками ввода парогазовой смеси хлорсиланов и водорода. Верхняя неподвижная часть 2 реактора 1 снабжена тридцатью токовводами с узлами крепления пятнадцати U-образных основ, причем два центральных токоввода 6 расположены на горизонтальной оси реактора симметрично относительно его центра, десять токовводов 9 расположены по окружности внутреннего рядя и восемнадцать токовводов 13 расположены по двум окружностям разных диаметров во внешнем ряду, причем один из токовводов каждой U-образной основы внешнего ряда расположен по окружности меньшего диаметра, смещенной к центральной зоне реактора, при этом в донной части реактора установлены семь патрубков ввода парогазовой смеси хлорсиланов и водорода, два из которых расположены на его вертикальной оси, каждый на расстоянии от центра, равном половине радиуса окружности внутреннего ряда, а пять патрубков расположены в точках пересечения радиусов, проходящих симметрично между проекциями на донную часть смежных пар токовводов внутреннего ряда, с окружностью, расположенной между проекциями на донную часть окружностей внутреннего и внешнего рядов, смещенной к центральной зоне реактора. Изобретение позволяет повысить производительность реактора путем увеличения коэффициента прямого извлечения кремния из хлорсиланов в водородной среде за счет повышения количества и плотности размещения в центральной зоне разъемного реактора U-образных кремниевых основ с их узлами крепления к соответствующим токовводам и обеспечения поступления свежей парогазовой смеси к выращиваемым стержням, размещенным с повышенной плотностью в центральной зоне реактора и во внешнем ряду. 3 ил.

Изобретение относится к получению жидкокристаллических пленок и покрытий из замещенных полипараксилиленов, используемых в качестве ориентирующих слоев в различных электрооптических устройствах (буквенно-цифровые индикаторы, ЖК дисплеи, оптические затворы и т.п). Заявлен способ получения жидкокристаллической пленки, который заключается в получении пленок из замещенного полипараксилилена путем последовательного осуществления в вакууме в трехфазном реакторе стадий: сублимации при 0-350°С, пиролиза при 450-700°С замещенного циклического дипараксилилена, в котором группы-заместители имеют концевые мезогенные группы, конденсации образующегося при пиролизе замещенного параксилилена с одновременной его полимеризацией на подложке при 150-320°С. Процесс осуществляется при скорости формирования пленки на подложке, составляющей от 0.0001 до 0.01 мкм/мин. При этом остаточное давление в системе составляет от 0,000001 до 0,5 мм. рт.ст. Получают жидкокристаллические полимерные материалы, пленки которых являются превосходными ориентантами по отношению к ЖК молекулам. 3 з.п. ф-лы.