Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ....сульфид кадмия – C30B 29/50
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 29/00 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой
C30B 29/50 ....сульфид кадмия
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ТИПА AIIBVI Использование: в приборостроении, квантовой электронике, лазерной спектроскопии и т д. Сущность изобретения: исходный халькогенид перед выращиванием обрабатывают в атмосфере дезоксидирующего газа при температуре на 10 - 20°С выше температуры кипения металла данного хальгенида. В качестве дезоксидирующего газа используют газ, получаемый в результате взаимодействия воздуха, технического азота и/или углекислого газа с углеродом (графитовой крошкой) при 850 - 950°С. Применение получаемого дезоксидированного газа позволяет удалить кислородные примеси из кристаллизируемого соединения, а также является универсальным для всех соединений типа AIIBVI В кристаллах, выращенных из исходных соединений после обработки дезоксидированным газом, отмечается улучшение их оптических параметров. 4 ил., 1 табл. | 2031983 патент выдан: опубликован: 27.03.1995 |
|