Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов: .выпариванием растворителя – C30B 7/02
Патенты в данной категории
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ДЛЯ ШИРОКОПОЛОСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ УЛЬТРАЗВУКА
Изобретение относится к области физической и технической акустики твердого тела и может быть использовано в радиоэлектронике, автоматизации технологических процессов, материаловедении, в частности, в области практического применения пьезоэлектрических свойств кристаллов при изготовлении из них пьезоэлектрических преобразователей для приборов ультразвукового неразрушающего контроля. Кристаллы иодата лития для широкополосных преобразователей ультразвука получают из водного раствора методом выпаривания при контролируемых кислотности раствора и температуре, при этом кислотность рН раствора поддерживают равной 0,8, а в раствор добавляют иодат цезия в количестве 0.2 мас.%. Изготовленные данным способом кристаллы йодата лития позволяют получить на их основе широкополосные преобразователи ультразвука с существенным увеличением эффективности преобразования, что значительно повышает диапазон их использования, приводит к более высокому значению коэффициента электромеханической связи, т.е. к более высокому коэффициенту полезного действия при практическом применении преобразователей. 1 табл. (56) (продолжение): CLASS="b560m"abstract. YAKUSHEV V.G. et al. Influence of the content of the solution upon the growth and the properties of lithium iodate crystals. "Izvestiya Sibirskogo Otdeleniya Akademii Nauk SSSR, Seriya Khimicheskich Nauk", (5), 1985, p.78-82, STN БД С A, AN 104:43299, abstract. SU 1535077 A1, 20.02.1996. |
2347859 патент выдан: опубликован: 27.02.2009 |
|
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ НА ЗАТРАВКУ, РАЗМЕЩАЕМУЮ В ФОРМООБРАЗОВАТЕЛЕ
Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейнооптических эффектов. Выращивание монокристаллов осуществляют из раствора на прямоугольную затравку, изготовленную из Z-среза монокристалла, размер которой в направлении [ ] значительно меньше, чем в направлении [ ], размещают ее внутри разъемного формообразователя в виде замкнутой рамки, собранного из отдельных планок, каждую из которых устанавливают относительно друг друга и торцов затравки под углами, обеспечивающими заданную форму и размеры растущего монокристалла в виде заготовки. При выращивании монокристалла для изготовления прямоугольной заготовки нелинейного оптического элемента формообразующие планки устанавливают исходя из условия соблюдения синхронизма, обеспечивающего расположение прямоугольной заготовки под углом 30° к направлению [ ] растущего монокристалла. Изобретение позволяет перейти от традиционного технологического процесса, когда при свободном размещении затравки в реакционном объеме кристаллизатора получают кристалл с естественным для данного вещества габитусом, к технологическому процессу, который позволяет получить непосредственно в процессе выращивания монокристалл-заготовку, который по своим размерам и форме максимально приближен к размерам и форме изготавливаемого из него оптического элемента. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 ил. |
2332529 патент выдан: опубликован: 27.08.2008 |
|
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЙОДАТА ЛИТИЯ ИЗ РАСТВОРА ПРИ НЕПРЕРЫВНОМ ВЫТЯГИВАНИИ РАСТУЩЕГО КРИСТАЛЛА ЗА ПРЕДЕЛЫ РОСТОВОЙ КАМЕРЫ
Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов. Способ осуществляют путем выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации на затравку z-среза заданной формы изотермическим испарением водного раствора йодата лития, при этом затравку, скрепленную с вытягивающим механизмом, размещают внутри и вблизи нижнего обреза соответствующей профилированной трубки, введенной в ростовую камеру и выходящей верхним обрезом за ее пределы, с последующим, по мере роста, вытягиванием растущего кристалла через эту трубку за пределы ростовой камеры. В процесса роста монокристаллов может осуществляться непрерывная подпитка маточного раствора. Изобретение позволяет выращивать кристаллы практически неограниченных размеров заданной высокой степени чистоты и структурной однородности. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. |
2291919 патент выдан: опубликован: 20.01.2007 |
|