Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов: .охлаждением раствора – C30B 7/08
Патенты в данной категории
| СПОСОБЫ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЖНОГО ГИДРОСУЛЬФАТФОСФАТА ЦЕЗИЯ СОСТАВА Cs5(HSO4)2(H2PO4)3
Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу гидросульфатфосфата цезия состава Cs5(HSO 4)2(H2PO4)3 , который может быть использован в качестве твердого протонпроводящего материала. Монокристаллы Cs5(HSO4) 2(H2PO4)3 получают путем приготовления водного раствора с мольным соотношением CsHSO 4:CsH2PO4, равным 2:3, насыщенного при температуре 50-75°С с последующей кристаллизацией методом управляемого снижения растворимости. Cs5(HSO4 )2(H2PO4)3 в виде поликристаллического порошка получают приготовлением водного раствора с мольным соотношением CsHSO4:CsH2 PO4, равным 2:3, насыщенного при температуре 50-75°С, высаливанием Cs5(HSO4)2(H 2PO4)3 этиловым спиртом с последующей просушкой при температуре до 80°С или методом твердофазного синтеза из шихты с мольным соотношением CsHSO4:CsH 2PO4, равным 2:3, при температуре 60-90°С. Полученное соединение CS5(HSO4)2 (H2PO4)3 обладает меньшим значением температуры фазового перехода (115,0°С) и большим значением протонной проводимости (1 Ом-1см-1 при температуре 120,0°С). Соединение Cs5(HSO 4)2(H2PO4)3 химически устойчиво до температуры 140,0°С. 3 н.п. ф-лы, 1 ил., 3 пр. |
2481427 патент выдан: опубликован: 10.05.2013 |
|
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ KDP НА ЗАТРАВКУ, РАЗМЕЩАЕМУЮ В ФОРМООБРАЗОВАТЕЛЕ
Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов. Способ осуществляют путем выращивания монокристаллов группы KDP для нелинейных оптических элементов на прямоугольную затравку соответствующего монокристалла из группы KDP, при этом используют затравку Z-среза 2, размер которой в направлении [100] определяют одним из меньших размеров (b) апертуры прямоугольного нелинейного оптического элемента, а ее длина (L) в направлении [010] равна сумме проекций высоты (с) и второго (а) большего значения апертуры нелинейного оптического элемента на плоскость (001) и описывается следующей формулой: L=cSin |
2398921 патент выдан: опубликован: 10.09.2010 |
|
| МОНОКРИСТАЛЛ ГЕКСАГИДРАТА СУЛЬФАТА ЦЕЗИЯ-НИКЕЛЯ, СПОСОБ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ И ПРИМЕНЕНИЕ В КАЧЕСТВЕ ФИЛЬТРА УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов гексагидрата сульфата цезия-никеля Cs2Ni(SO4)2 ·6H2O, которые предназначены для применения в качестве фильтров ультрафиолетового излучения в приборах обнаружения источников высокотемпературного пламени. Монокристалл выращивают из маточного раствора методом охлаждения. Предварительно маточный раствор и кристаллизатор с заранее размещенным внутри него затравочным кристаллом перегревают на 8-9°С выше температуры насыщения раствора. Затем заливают раствор в кристаллизатор, понижают температуру раствора до температуры, меньшей температуры насыщения на 0.1-0.5°С, начинают перемешивание раствора, термостатируют раствор при указанной температуре в течение 20-28 часов, после чего производят поэтапное снижение температуры раствора, на первом этапе температуру раствора снижают на 0.5-2°С, а на втором этапе снижение температуры ведут со скоростью от 0.6°С до 4°С в сутки, по завершении второго этапа раствор сливают, снижают температуру внутри кристаллизатора до комнатной и затем извлекают монокристалл из кристаллизатора. Монокристалл сохраняет термостабильность неограниченное время вплоть до температуры 130°С, что повышает эксплуатационную надежность приборов, в которых он используется, и пропускает ультрафиолетовое излучение в диапазоне волн от 220 до 320 нм. Приведены параметры решетки кристалла, ( |
2357020 патент выдан: опубликован: 27.05.2009 |
|
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Изобретение относится к области техники, связанной со скоростным выращиванием кристаллов типа КН2РО4 (KDP) при постоянной фильтрации раствора. Способ выращивания кристаллов из раствора включает кристаллизацию на затравку из пересыщенного раствора, вывод части раствора, его перегрев выше температуры насыщения, фильтрацию и стабилизацию температуры раствора в кристаллизаторе до температуры кристаллизации посредством системы фильтрации. Стабилизацию температуры раствора осуществляют путем периодической подачи в кристаллизатор из системы фильтрации очищенного раствора перегретого выше температуры насыщения, с одновременным выводом из кристаллизатора такого же количества раствора, температура которого ниже температуры кристаллизации, причем подачу перегретого раствора осуществляют до момента достижения температуры раствора в кристаллизаторе, равной температуре кристаллизации и определяемого датчиком температуры. Способ позволяет подавать в кристаллизатор раствор, перегретый выше температуры насыщения. Стабилизация температуры при этом, с точностью не хуже ±0,05°С, происходит за счет периодической подачи перегретого раствора. Способ позволяет вместо жидкостного термостата применять воздушное охлаждение или термостаты из пенопласта или поролона. Устройство для осуществления данного способа содержит перепускной канал, включенный параллельно кристаллизатору между входным и выходным патрубками. Через канал циркулирует профильтрованный раствор в периоды, когда достигается стабилизация температуры. Кроме того, выходной конец перепускного канала введен внутрь выпускного патрубка, что исключает образование паразитов. 2 н.п. ф-лы, 3 ил. |
2285068 патент выдан: опубликован: 10.10.2006 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЯТИВОДНОГО МЕТАСИЛИКАТА НАТРИЯ Изобретение относится к производству щелочных силикатов и может найти применение в химической промышленности в производстве моющих, чистящих, отбеливающих, дезинфицирующих средств, в текстильной, металлургической, машиностроительной, нефтеперерабатывающей и других отраслях. Сущность изобретения: пятиводный метасиликат натрия получают путем его выделения методом кристаллизации из натрий-кремнеземистого раствора. Отличительной особенностью является то, что процесс кристаллизации проводят в политермическом режиме при скорости охлаждения раствора 0,5-2oС/ч. Полученный кристаллизат подвергают термообработке при температуре 40-60oС. Кроме того, в него вводят аморфный кремнезем в пределах от 0,6 до 1,5% и вновь полученную смесь подвергают термообработке при температуре 40-60oС. В процессе кристаллизации возможно введение затравки при температуре раствора 50-55oС. Изобретение позволяет снизить остаточную влажность пятиводного метасиликата натрия, улучшить его качество и обеспечивает высокий выход продукта за счет увеличения размера кристалла. 2 з.п.ф-лы. | 2213694 патент выдан: опубликован: 10.10.2003 |
|
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ОРИЕНТИРОВАННЫХ И ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ КДР ИЗ ТОЧЕЧНОЙ ЗАТРАВКИ И ЗАТРАВОЧНЫЙ УЗЕЛ УСТРОЙСТВА Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов для нелинейной оптики. В кристаллизаторе с раствором соли жестко установлены две параллельно скрепленные между собой платформы 4 и 5 в виде дисков. Расстояние между платформами 4 и 5 определяется требуемой толщиной выращиваемого кристалла 6 и является рабочей зоной устройства, в которую нагнетается раствор соли 2 с помощью погружного центробежного насоса, также расположенного в кристаллизаторе и установленного с возможностью вращения вокруг своей центральной оси, которая совмещена с вертикальной осью, проходящей через центры платформ 4 и 5. На одной из платформ, например 4, расположен затравочный узел, представляющий собой паз 11, выполненный в платформе 4, дно которого, являющееся базовой поверхностью 12 для первичной затравки 9, выполнено параллельным рабочей поверхности платформы 4. В платформе 4 дополнительно выполнено сквозное отверстие 18 диаметром не более 1 мм для вторичной (рабочей) затравки сверхмалых размеров, соединяющее упомянутый паз 11 и рабочую зону устройства. Технический результат изобретения заключается в обеспечении выращивания ориентированного крупного кристалла на сверхмалой точечной затравке. 2 с. и 1 з.п.ф-лы, 3 ил. | 2197569 патент выдан: опубликован: 27.01.2003 |
|
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ КДР Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов, например, для нелинейной оптики. Сущность изобретения: в кристаллизационный сосуд с рабочим раствором соответствующей соли введены две скрепленные между собой на расстоянии, определяемом требуемой толщиной кристалла, платформы, установленные с возможностью вращения. В центре нижней платформы, изготовленной в виде пластины, выполнено углубление для точечной затравки, дно которого параллельно рабочей поверхности верхней платформы, а его поперечный размер d много меньше линейных размеров платформ. Высота углубления выбрана равной 1 - 1,5d. Рабочая поверхность верхней платформы параллельна рабочей поверхности нижней платформы. При этом в качестве точечной затравки выбран кристалл с заранее заданной ориентацией кристаллографических осей х, у, z относительно его базовой поверхности. Разработанное устройство обеспечивает выращивание высококачественных кристаллических заготовок требуемой толщины и с требуемой ориентацией кристаллографических осей. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. | 2136789 патент выдан: опубликован: 10.09.1999 |
|
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В ДОМАШНИХ УСЛОВИЯХ
Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей. Сущность изобретения заключается в том, что создают раствор исходного вещества, например медного купороса CuSO4  5H2O или красной кровяной соли K3Fe(CN)4, в воде до получения насыщенного раствора с последующим подогревом до 45oC, получают ненасыщенный раствор, в который при температуре Tкомн + 8oС вводят затравку, предварительно выращенную на леске с грузиком и петлей, после чего охлаждают раствор до комнатной температуры до получения пересыщенного раствора, что позволяет выращивать крупные кристаллы нужных размеров и декоративной формы. В качестве исходных растворов помимо указанных используют водные растворы минеральных солей: никелевого купороса NiSO4 7H2O, магния сернокислого MgSO4 7H2O, калия двухромовокислого K2Cr2O7, желтой кровяной соли K4 [Fe(CN)6] 3H2O, марганца двухлористого MnCl2 4H2O, меди двухлористой CuCl2 2H2O и др. Изобретение позволяет получать чистые монокристаллы или сростки кристаллов декоративной формы. 6 з.п.ф-лы, 3 ил.
|
2130978 патент выдан: опубликован: 27.05.1999 |
|
c+aCos
): а=6.3576(8), b=12.7660(17), с=9.2550(10), 
=106.97(01)°, V=718.4