Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти, элементы памяти для них: ..тонкопленочных – G11C 11/14

Изобретение относится к области магнитной записи информации, конкретно к способу получения пленок для магнитной записи информации. Способ получения полимерных нанокомпозиций в виде тонких пленок для сверхплотной записи информации включает получение прекурсора, состоящего из поливинилового спирта, воды и смеси водорастворимых солей трех- и двухвалентного железа, с последующей обработкой по крайне мере одним водорастворимым диальдегидом при pH от 0 до 3 в присутствии кислоты в качестве подкисляющего агента, получение тонкой пленки на диэлектрической немагнитной подложке путем нанесения прекурсора на вращающуюся на центрифуге подложку с образованием пленки геля, обработку полученной пленки геля щелочью, при введении щелочи в количестве, обеспечивающем полное протекание реакции щелочного гидролиза смеси солей железа с образованием смеси магнетита и маггемита, при этом обработку щелочью полученной пленки геля осуществляют в парах аммиака, образующегося из водного раствора аммиака (NH ₄OH) или гидразин-гидрата (N₂H₄·H ₂O) в течение 5,0-15,0 часов. Технический результат - уменьшение разброса наночастиц магнетита и маггемита по размерам, получение нанокомпозиции равномерной структуры. Полученная структура может использоваться в качестве запоминающей среды для сверхплотной магнитной записи информации. 2 ил. 1 пр.

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия, надежности и создание структуры с управляемыми характеристиками захвата и хранения зарядовой информации, увеличение ее объема и плотности. Сущность изобретения: в запоминающем устройстве с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков, содержащем полупроводниковую подложку, диэлектрический слой, проводящий слой и токоподводящие электроды, диэлектрический слой состоит из первой пленки широкозонного диэлектрика, наносимой на поверхность полупроводниковой подложки, пленки узкозонного диэлектрика и второй пленки широкозонного диэлектрика. Предложен также способ получения запоминающего устройства. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства. Техническим результатом является повышение плотности записи данных, пониженное потребление энергии и упрощение процесса изготовления запоминающего устройства. Магнитная память включает в себя одну или более парных ячеек, каждая из которых имеет многослойную магнитную структуру. Структура содержит магнитно-изменяемый ферромагнитный слой, ферромагнитный базовый слой, имеющий неизменяемое состояние намагниченности, и соответствующий разделительный слой, разделяющий ферромагнитные слои. Ячейки памяти упорядочены таким образом, что эффективная остаточная намагниченность каждой из ячеек не параллельна оси ячейки, параллельной ее длинной строне. Способы описывают процесс функционирования такого устройства. 3 н. и 43 з.п. ф-лы, 30 ил.

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью. Внешнее магнитное поле прикладывают к магнитному слою таким образом, чтобы вектор намагниченности прецессировал вокруг этого внешнего магнитного поля. Воздействие внешнего магнитного поля прекращают до того момента, как ориентация намагниченности совпадет с направлением внешнего магнитного поля. Перемагничивание завершается в результате затухающей прецессии намагниченности вокруг размагничивающего поля и поля магнитной анизотропии перемагничиваемого магнитного слоя. Предложенный способ позволяет ускорить процесс перемагничивания и используется в устройстве для перемагничивания магнитного носителя, системе магнитной записи и в запоминающем устройстве на магнитном носителе. 4 н.п. и 7 з.п. ф-лы, 5 ил.