Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти; элементы памяти для них – G11C 11/00

Группа изобретений относится к области магнитных микро- и наноэлементов, представляет собой магнитный элемент для контроля параметров магнитной структуры типа «вихрь», который может быть использован как основа для создания магниторезистивной памяти с произвольной выборкой, а также способ такого контроля, применимый для диагностики наноматериалов. Сущность изобретения: на подложке из кремния формируют магнитный элемент из двух ферромагнитных дисков разного диаметра, асимметрично размещенных друг на друге и разделенных прослойкой из немагнитного материала, имеющей форму диска. Размеры магнитного элемента таковы, что в большом диске в отсутствие индуцированного магнитного поля формируется вихревое состояние, а в малом диске - однодоменное. Такое исполнение магнитного элемента позволяет создать асимметричную конфигурацию магнитной структуры, что является необходимым условием для контроля параметров вихря при его формировании в большом диске, и дает возможность контролировать хиральность вихря, образованного в большом диске, и направление намагниченности в малом диске. Это достигается при приложении магнитного поля под углами 0, 90, 180 или 270 градусов относительно оси, соединяющей центры дисков. В зависимости от угла приложения магнитного поля в большом диске формируется вихревое состояние с определенной хиральностью, а в малом - однодоменное состояние с контролируемым направлением намагниченности. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области магнитной записи информации, конкретно к способу получения пленок для магнитной записи информации. Способ получения полимерных нанокомпозиций в виде тонких пленок для сверхплотной записи информации включает получение прекурсора, состоящего из поливинилового спирта, воды и смеси водорастворимых солей трех- и двухвалентного железа, с последующей обработкой по крайне мере одним водорастворимым диальдегидом при pH от 0 до 3 в присутствии кислоты в качестве подкисляющего агента, получение тонкой пленки на диэлектрической немагнитной подложке путем нанесения прекурсора на вращающуюся на центрифуге подложку с образованием пленки геля, обработку полученной пленки геля щелочью, при введении щелочи в количестве, обеспечивающем полное протекание реакции щелочного гидролиза смеси солей железа с образованием смеси магнетита и маггемита, при этом обработку щелочью полученной пленки геля осуществляют в парах аммиака, образующегося из водного раствора аммиака (NH ₄OH) или гидразин-гидрата (N₂H₄·H ₂O) в течение 5,0-15,0 часов. Технический результат - уменьшение разброса наночастиц магнетита и маггемита по размерам, получение нанокомпозиции равномерной структуры. Полученная структура может использоваться в качестве запоминающей среды для сверхплотной магнитной записи информации. 2 ил. 1 пр.

Изобретение относится к схемам матриц ячеек памяти MRAM (Magnetic Random Access Memory) с передачей спинового значения. Технический результат заключается в увеличении плотности размещения отдельных транзисторных структур технологии МОП и запоминающих ячеек матрицы, а также повышении стойкости к нестационарным переходным процессам от воздействия ионизирующих излучений. Устройство матричного типа содержит множество устройств на магнитных туннельных переходах («MTJ») с передачей спинового вращения, организованных в матрицу запоминающих ячеек; устройство организации записи/чтения информации для конкретного устройства «MTJ», соединенное с соответствующими устройствами «MTJ» для изменения полярности намагниченности свободного слоя каждого устройства «MTJ», блок усилителя чтения данных на выходе матрицы запоминающих ячеек, выполненный с возможностью обнаруживать уровень сигнала и формировать двоичный выходной сигнал на основе сравнения уровня сигнала в разряде матрицы запоминающих ячеек в компараторе. При формировании топологии устройство «MTJ» выполнено в виде эллипса с осью легкого намагничивания, направленной по его большой оси. 11 з.п. ф-лы, 37 ил., 11 табл.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности, отказоустойчивости и сбоеустойчивости оперативного запоминающего устройства (ОЗУ). Ячейка памяти статического ОЗУ содержит три последовательно соединенных КМОП инвертора, включенных между шиной питания и шиной земли; первый проходной ключ, состоящий из двух последовательно соединенных адресных транзисторов, затворы которых соединены с адресной шиной записи и адресной шиной выбора столбца; второй проходной ключ в виде адресного транзистора, затвор которого соединен с адресной шиной считывания; схему подтверждения записанных данных, состоящую из двух параллельно соединенных комплементарных проходных ключей, один из которых соединен с прямым и инверсным входами адресной шины записи, а другой - с прямым и инверсным входами адресной шины выбора столбца; причем вход первого КМОП инвертора соединен через первый проходной ключ с первой разрядной шиной, выход первого КМОП инвертора соединен с входом второго КМОП инвертора; выход второго КМОП инвертора соединен с входом третьего инвертора и через схему подтверждения записанных данных с входом первого КМОП инвертора; выход третьего КМОП инвертора соединен через второй проходной ключ со второй разрядной шиной. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности и помехоустойчивости электроприводов с цифровым управлением за счет повышения достоверности функционирования устройств, содержащих ячейки памяти. Резервированный регистр, содержащий ячейки памяти информационных сигналов Ra, с которых по сигналам с шины управления данные поступают в блок коррекции, причем в регистр введены ячейки памяти контрольных сигналов Rx и блоки исправления ошибок, входы которых соединены с блоком коррекции и с элементами ячеек памяти Rx, Ra, при этом выходы блоков исправления ошибок контрольной части X'(x ₁', x₂', x₃') и информационной части A'(a₁' a_m') соединены с элементами ячеек памяти Rx, Ra соответственно и являются выходами регистра. 6 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении эффективности защиты информации, уменьшении габаритов и повышении надежности устройства. Электромеханическое устройство защиты информации, размещенной на цифровом USB флеш-накопителе, от несанкционированного доступа состоит из корпуса, содержащего ферромагнитный каркас, внутри которого коаксиально расположены неподвижный индуктор и подвижные якорь, выполненный из электропроводящего материала, и боек, выполненный из ферромагнитного материала. Якорь выполнен в виде диска с внутренней цилиндрической втулкой и соединен с бойком. Каркас выполнен в виде магнитопровода и в поперечном сечении охватывает индуктор, якорь и пространство рабочего хода якоря с бойком. Нижняя стенка каркаса выполнена с выгибом, предназначенным для цифрового USB флеш-накопителя. В каркасе расположены две двойные плоские пружины, которые выполнены с возможностью перемещения цифрового накопителя вдоль продольной оси z каркаса. 13 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении быстродействия, надежности и интеграции энергонезависимых электрически программируемых постоянных запоминающих устройств (ЭСППЗУ). Ячейка памяти, содержащая n(р)-МОП-транзистор, конденсатор, адресную разрядную шину, дополнительно содержит первый и второй диоды и числовую шину, при этом катод (анод) первого диода соединен с числовой шиной истоком n(р)-МОП-транзистора, его анод соединен с анодом второго диода, с подзатворной областью n(р)-МОП-транзистора и первым выводом конденсатора, второй вывод которого подсоединен к затвору n(р)-МОП-транзистора и к адресной шине, а катод второго диода соединен с областью стока n(р)-МОП-транзистора и разрядной шиной. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении потребляемой мощности. Полупроводниковое устройство памяти с двойным напряжением, содержащее множество формирователей записи, принимающих входные сигналы данных низкого напряжения; множество разрядных шин, соединенных с множеством формирователей записи, причем множество формирователей записи сконфигурировано с возможностью записи входных сигналов данных низкого напряжения во множество разрядных шин в ответ на прием входных сигналов данных низкого напряжения; схему отслеживания синхронизации, сконфигурированную с возможностью обеспечения задержки сигнала числовой шины высокого напряжения в соответствии со временем, связанным с множеством формирователей записи, записывающих входные сигналы данных низкого напряжения; и множество ячеек памяти, реагирующих на сигнал числовой шины высокого напряжения и на множество формирователей записи, записывающих входные сигналы данных низкого напряжения. 8 н. и 22 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении быстродействия и сбоеустойчивости системы. Способ регенерации и защиты от сбоев динамической памяти, включающий последовательное считывание данных, обнаружение ошибок в данных, содержащихся в памяти, модификацию данных путем коррекции найденных ошибок в данных по каждому адресу в памяти и чтение с периодом времени, не превышающим время регенерации памяти, причем запись модифицированных данных производят по тому же адресу в памяти с низшим приоритетом, и во время ожидания записи производят прослушивание обращений по тому же адресу в памяти, а затем производят анализ ошибки на устойчивость. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в улучшении стабильности записи и уменьшении размеров ячейки битов в STT-MRAM. Магниторезистивное оперативное запоминающее устройство с переносом спинового момента (STT-MRAM), имеющее линии истока, причем каждая линия истока по существу расположена параллельно словарной шине, соединенной с первым рядом ячеек битов, при этом каждая линия истока расположена, по существу, перпендикулярно линиям битов, соединенным с первым рядом ячеек битов, причем устройство STT-MRAM содержит: средство для установления низкого напряжения в линии битов выбранной ячейки бита во время операции записи; средство для установления высокого напряжения в линиях битов невыбранных ячеек битов во время операции записи; селектор линий истока, соединенный со множеством линий выбора, каждая из линий выбора соединена с одной из множества линий истока, и выполненный с возможностью активировать линию выбора, и активированная линия выбора активирует линию истока; задающий модуль линии истока, соединенный с каждой из множества линий истока и выполненный с возможностью устанавливать высокое напряжение на активированной линии истока во время операции записи. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 18 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении помехоустойчивости. Статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами на МОП-транзисторах состоит из триггера, двух ключей выборки и логического элемента «И», управляющего ключами, причем триггер состоит из первого и второго МОП-транзисторов с n-каналом и третьего и четвертого МОП-транзисторов с р-каналом, при этом содержит дополнительную общую шину триггеров, к которой подключены истоки первого и второго МОП-транзисторов, причем потенциал общей шины триггеров выше, чем потенциал общей шины ячейки. 3 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности работы ячейки памяти. Ячейка памяти для быстродействующего ЭСППЗУ с управляемым потенциалом подзатворной области, электрическая схема ячейки памяти содержит n(р)-МОП-транзистор, первый и второй диоды, конденсатор, числовую, адресную и разрядную шины, при этом катод (анод) первого диода соединен с числовой шиной и истоком n(р)-МОП-транзистора, его анод соединен с анодом второго диода, с подзатворной областью n(р)-МОП-транзистора и первым выводом конденсатора, второй вывод которого подсоединен к затвору n(р)-МОП-транзистора и к адресной шине, а катод второго диода соединен с областью стока n(р)-МОП-транзистора и разрядной шиной, причем электрическая схема ячейки памяти дополнительно содержит р(n) полевой - транзистор, общую и управляющую шины, при этом его исток подключен к подзатворной области МОП-транзистора, затвор - к управляющей шине, а сток - к общей шине. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к электронной памяти. Техническим результатом является снижение мощности в электронном запоминающем устройстве. Запоминающее устройство содержит последовательно сегментированную разрядную линию для доступа к данным в упомянутом запоминающем устройстве, повторитель с защелкой, управляющий сегментами разрядной линии, причем повторитель с защелкой управляется разрядами адреса памяти и определителями, выбранными из списка сигналов разрешения чтения и сигналов разрешения записи. Способ описывает работу данного запоминающего устройства. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к битовым ячейкам магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (STT-MRAM). Технический результат - уменьшение площади полупроводниковой подложки, занимаемой ячейкой STT-MRAM. Данные битовые ячейки включают линию истока, сформированную в первой плоскости, и битовую шину, сформированную во второй плоскости. Битовая шина имеет продольную ось, параллельную продольной оси данной линии истока, и линия истока накладывается на по меньшей мере участок битовой шины. 3 н. и 20 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода. Техническим результатом является создание памяти с большой плотностью без увеличения контурной области каждой из ячеек MTJ. Магниторезистивная оперативная память с произвольным доступом (MRAM) содержит: матрицу ячеек магнитного туннельного перехода (MTJ), причем каждая из ячеек MTJ содержит множество боковых стенок, причем каждая из множества боковых стенок содержит свободный слой для проведения соответствующего независимого магнитного домена, выполненного с возможностью хранения цифрового значения; и нижнюю стенку, соединенную с каждой из множества боковых стенок, причем данная нижняя стенка проходит по существу параллельно к поверхности подложки, причем данная нижняя стенка содержит свободный слой. 3 н. и 21 з.п. ф-лы, 31 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении плотности информации в запоминающем устройстве без увеличения площади схемы каждой из MTJ-ячеек. Способ изготовления устройства на магнитных туннельных переходах, который включает в себя формирование канавки в подложке, осаждение проводящего контактного вывода внутри канавки и осаждение структуры с магнитными туннельными переходами (MTJ) внутри канавки. MTJ-структура включает в себя фиксированный магнитный слой, имеющий фиксированную магнитную ориентацию, слой туннельного перехода и свободный магнитный слой, имеющий конфигурируемую магнитную ориентацию. Фиксированный магнитный слой соединен с проводящим контактным выводом вдоль поверхности раздела, которая идет практически по нормали к поверхности подложки. Свободный магнитный слой, который является смежным с проводящим контактным выводом, переносит магнитный домен, выполненный с возможностью сохранять цифровое значение. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 43 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении эффективности защиты информации при возникновении опасности ее утечки. Устройство защиты информации, размещенной на цифровом USB флеш-накопителе, от несанкционированного доступа содержит каркас, к верхней стороне которого закреплены два индуктора, центральные оси которых пересекаются с продольной осью каркаса, перпендикулярной им. К нижней стороне каркаса закреплен индуктор так, что его центральная ось расположена посередине между центральными осями противоположно установленных индукторов. Коаксиально с каждым индуктором расположены подвижные якоря и бойки. Внутри каркаса расположены плоские пружины, обеспечивающие упругое сжатие в направлении от верхней и нижней сторон каркаса к его продольной оси. В корпусе устройства расположены каркас и электронный блок, в котором размещены последовательно соединенные между собой автономный источник постоянного напряжения, преобразователь постоянного напряжения в переменное, повышающий трансформатор, выпрямитель и емкостной накопитель энергии, к которому посредством электронного ключа подключены последовательно соединенные индукторы. 8 з.п. ф-лы, 20 ил.

Изобретение относится к полупроводниковому устройству, которое включает в себя транзисторы одного типа электропроводности. Технический результат - предотвращение снижения уровня электрического потенциала сигнала. Полупроводниковое устройство состоит из множества транзисторов с каналом n-типа, при этом схема включает в себя: из множества транзисторов транзистор (Т1), включающий в себя контактный вывод стока для приема напряжения VDD, контактный вывод истока и контактный вывод затвора для приема входного сигнала (IN); из множества транзисторов транзистор (Т2), включающий в себя контактный вывод стока для приема напряжения VDD, контактный вывод истока, подключенный к выходному контактному выводу (OUT), и контактный вывод затвора, подключенный к контактному выводу истока транзистора (Т1); и конденсатор (С1), предоставленный между узлом (n1) и контактным выводом (СК) синхросигнала для приема синхросигнала. Синхросигнал, вводимый в контактный вывод (СК) синхросигнала, имеет частоту выше, чем частота выходного сигнала, выводимого из выходного контактного вывода (OUT). 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 47 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении области (площади) устройства, увеличении матричной плотности и упрощении маршрутизации линии истока за счет уменьшения числа линий истока. Устройство памяти содержит первую колонку ячеек памяти включающую в себя первую ячейку памяти; вторую колонку ячеек памяти, включающую в себя вторую ячейку памяти; первую битовую линию, связанную с первой колонкой ячеек памяти; вторую битовую линию, связанную со второй колонкой ячеек памяти; и линию истока, совместно используемую первой колонкой ячеек памяти и второй колонкой ячеек памяти, причем в течение чтения первой ячейки памяти первая битовая линия несет первое напряжение, вторая битовая линия несет второе напряжение, и линия истока несет третье напряжение, причем второе напряжение и третье напряжение являются по существу одинаковыми. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП). Технический результат - повышение пределов рабочих режимов считывания и записи в устройстве STT-MRAM и снижение тока записи, требуемого для хранения значений данных в устройстве STT-MRAM. Устройство включает в себя тракт (102) считывания, соединенный со структурой МТП, и тракт (104) записи, соединенный со структурой МТП. Тракт (104) записи отделен от тракта (102) считывания. Устройство также включает в себя пару последовательно соединенных структур (106, 108) МТП, вследствие чего тракт (102) считывания содержит только одну из структур (108) МТП. 4 н. и 17 з.п. ф-лы, 20 ил.

Данная группа изобретений относится к средствам считывания данных из матрицы памяти. Технический результат заключается в снижении тока утечки в магнитном оперативном запоминающем устройстве. Он достигается тем, что прикладывают сигнал считывания к битовой шине, соединенной с матрицей памяти, включающей в себя множество ячеек памяти, причем каждая из множества ячеек памяти содержит устройство на магнитных туннельных переходах (MTJ); прикладывают положительное напряжение к выбранной шине слов, соединенной с выбранной ячейкой памяти матрицы памяти; и прикладывают отрицательное напряжение к невыбранным шинам слов, соединенным с матрицей памяти, и прикладывают отрицательное напряжение к каждой шине слов во время состояния ожидания. 5 н. и 20 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к технике защиты информации на цифровых накопителях информации. Техническим результатом является повышение эффективности устройства защиты информации, размещенной на цифровом накопителе, при возникновении опасности ее утечки, уменьшение полей рассеяния в окружающее пространство, уменьшение габаритов и повышение надежности устройства. Электромеханическое устройство состоит из коаксиально расположенных индуктора и подвижных электропроводящего диска якоря, ударного диска и бойка, индуктор и электропроводящий диск якоря расположены внутри коаксиального ферромагнитного сердечника, выполненного в виде стакана, закрытого крышкой, в которой выполнен ряд аксиальных направляющих отверстий, внутри которых размещены направляющие стержни, соединенные одним концом с ударным диском, а другим концом с плоскими выступами, которые взаимодействуют с электропроводящим диском якоря, заостренная часть бойка направлена в сторону цифрового накопителя информации. 8 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к проектированию ячеек энергозависимой магнитной памяти. Способ определения значений тока и спинового вращательного момента в магнитных многослойных структурах, состоящих из чередующихся ферромагнитных и немагнитных слоев, при различных прикладываемых напряжениях и при изменении взаимной ориентации намагниченности слоев, причем заявляемый способ предусматривает выполнение следующих этапов: определяют параметры многослойной системы, которую предполагается использовать в качестве ячейки магнитной памяти, в частности подсчитывают число имеющихся в многослойной системе слоев, определяют характеристики слоев, параметры решетки, число содержащихся в слоях монослоев, углы намагниченности по оси ОХ и OY; для каждого слоя вычисляют граничные s-s и d-d интегралы переноса; на основе полученных значений вычисляют граничные интегралы переноса и положение центров s- и d-электронов различных спинов проводящих зон всех слоев; производят вычисление тока как функции прикладываемого напряжения; производят вычисление вращательного момента как функции прикладываемого напряжения. Технический результат заключается в том, что способ позволяет конструировать ячейки энергонезависимой магнитной памяти с заранее заданными параметрами. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 табл.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении энергопотребления динамической оперативной памяти. Способ обновления матрицы динамической оперативной памяти (DRAM), организованной в виде множества независимо обновляемых блоков памяти, содержащий: ассоциирование указателя с каждым независимо обновляемым блоком памяти; при записи данных в независимо обновляемый блок памяти, установку ассоциированного указателя для отражения действительных данных; увеличение задержки между операциями обновления, пропорционально ненулевому числу подавленных циклов обновления, причем цикл обновления подавляется, если ассоциированный указатель отражает недействительные данные, таким образом, чтобы только все независимо обновляемые блоки памяти, которые содержат действительные данные, могли обновляться с максимальным периодом обновления; и обновление с упомянутым максимальным периодом обновления только независимо обновляемых блоков памяти, у которых ассоциированный указатель отражает действительные данные, сохраненные в них. 3 н. и 23 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента. Техническим результатом является уменьшение времени отклика (считывания/записи). Раскрыты системы, схемы и способы для определения напряжений считывания и записи для заданного транзистора числовой шины в магниторезистивной RAM с передачей спинового вращательного момента (STT-MRAM). Для операций записи может быть подано первое напряжение так, чтобы операции записи происходили в области насыщения транзистора числовой шины. Для операций считывания может быть подано второе напряжение, меньшее, чем первое напряжение, так чтобы операции считывания происходили в линейной области транзистора числовой шины. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 15 ил.

Раскрыты системы, схемы и способы для программно-управляемой логической схемы, использующей технологию магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращения (STT-MRAM). Запоминающие элементы на магнитном туннельном переходе могут быть сформированы в матрицы ввода и матрицы вывода. Матрицы ввода и матрицы вывода могут быть соединены вместе для формирования сложных матриц, которые обеспечивают возможность реализации логических функций. Технический результат - расширение функциональных возможностей. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 7 ил., 3 табл.

Изобретение относится к оперативной памяти. Техническим результатом является управление уровнем сигнала транзистора WL для операций считывания и записи. Раскрыты системы, схемы и способы управления напряжением словарной шины в транзисторе словарной шины в магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента (STT-MRAM). Первое напряжение может подаваться на транзистор словарной шины для операций записи. Второе напряжение, которое меньше первого напряжения, может подаваться на транзистор словарной шины во время операций считывания. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом является осуществление копирования и тиражирования электронным устройством мультимедийного контента путем. Внешние портативные однотипные накопители памяти в количестве более одного системно размещают в контейнере или кассете или барабане и обеспечивают считывание и/или запись мультимедийного контента считывающим или считывающим-записывающим или записывающим устройством электронного устройства на выбранное количество внешних портативных однотипных накопителей памяти с возможностью перемещения на место извлеченного из контейнера, или кассеты, или барабана внешнего портативного однотипного накопителя памяти следующего за ним внешнего портативного однотипного накопителя памяти. 7 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, магнитных запоминающих и логических элементах, спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. Техническим результатом является создание магниторезистивной наноструктуры, технология производства которой гарантирует требуемые параметры: гигантский магниторезистивный эффект в материале при работоспособности в условиях повышенной температуры (до 50°С), а также обеспечение высокой воспроизводимости параметров в условиях серийного производства. Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура содержит несколько наборов чередующихся слоев магнитомягких и магнитожестких нанокластеров, изолированных сверху и снизу сплошным диэлектрическим слоем из антиферромагнитного материала. Один набор содержит последовательно антиферромагнитный слой, слой магнитомягких нанокластеров, антиферромагнитный слой, слой магнитожестких нанокластеров, антиферромагнитный слой, причем толщина нанокластерной пленки равна 0,8-2,5 нм. Количество указанных наборов слоев равно от 2 до 5. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к псевдодвухпортовой памяти. Техническим результатом является возможность управления упорядочением двух операций с памятью, имеющей два отдельных порта, каждый из которых имеет собственный входной синхронизирующий импульс. Псевдодвухпортовая память содержит первый порт, второй порт и массив ячеек памяти с шестью транзисторами. Первое обращение к памяти инициируется посредством переднего фронта первого синхронизирующего сигнала (ACLK), принимаемого по первому порту. Второе обращение к памяти инициируется в ответ на передний фронт второго синхронизирующего сигнала (BCLK), принимаемого по второму порту. Если передний фронт второго синхронизирующего сигнала возникает в первом периоде времени, то второе обращение к памяти инициируется сразу после завершения первого обращения к памяти псевдодвухпортовым способом. Если передний фронт второго синхронизирующего сигнала возникает позднее во втором периоде времени, то второе обращение к памяти задерживается до времени после второго переднего фронта первого синхронизирующего сигнала. Длительность первого и второго обращений к памяти не зависит от тактов синхронизирующих сигналов. Способ описывает работу данного устройства. 5 н. и 32 з.п. ф-лы, 12 ил.