Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти, элементы памяти для них: ...с использованием нескольких магнитных слоев – G11C 11/15

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, магнитных запоминающих и логических элементах, спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. Техническим результатом является создание магниторезистивной наноструктуры, технология производства которой гарантирует требуемые параметры: гигантский магниторезистивный эффект в материале при работоспособности в условиях повышенной температуры (до 50°С), а также обеспечение высокой воспроизводимости параметров в условиях серийного производства. Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура содержит несколько наборов чередующихся слоев магнитомягких и магнитожестких нанокластеров, изолированных сверху и снизу сплошным диэлектрическим слоем из антиферромагнитного материала. Один набор содержит последовательно антиферромагнитный слой, слой магнитомягких нанокластеров, антиферромагнитный слой, слой магнитожестких нанокластеров, антиферромагнитный слой, причем толщина нанокластерной пленки равна 0,8-2,5 нм. Количество указанных наборов слоев равно от 2 до 5. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным (МР) эффектом. Техническим результатом изобретения является получение многослойной МР наноструктуры из магнитных наноостровов, имеющей высокую величину МР эффекта в небольших магнитных полях и обладающей высокой воспроизводимостью магнитных параметров для серийного производства наноэлементов на ее основе. В многослойной МР наноструктуре из магнитных наноостровов, состоящей из N пар чередующихся слоев, каждая из которых содержит слои из наноостровов различных по величине поля перемагничивания магнитных материалов, расположенных на диэлектрическом слое и защищенных сверху сплошным диэлектрическим слоем. Подобная многослойная МР наноструктура состоит их раздельно расположенных внутри каждого слоя наноостровов. При этом наноострова каждого слоя могут соприкасаются с наноостровами верхнего и нижнего слоя, что приводит к магнитному взаимодействию между ними. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных тонкопленочных наноструктур с анизотропным или гигантским магниторезистивным (МР) эффектом. Техническим результатом изобретения является создание многослойной тонкопленочной МР наноструктуры, имеющей различные поля перемагничивания входящих в нее магнитных слоев, обладающей высокой воспроизводимостью магнитных параметров и расширенными функциональными возможностями. В многослойной тонкопленочной магниторезистивной наноструктуре, содержащей первый защитный слой, на котором расположена первая магнитомягкая пленка, разделительный немагнитный слой поверх первой магнитомягкой пленки, на котором расположены вторая магнитомягкая пленка, и второй защитный слой, между второй магнитомягкой пленкой и вторым защитным слоем расположен слой карбида кремния, а разделительный немагнитный слой имеет толщину, достаточную для устранения обменного взаимодействия между магнитомягкими пленками. 3 ил.